“黄汇钦”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果82个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种P-GaN高反向耐压终端边缘的制备方法-CN202310499130.3在审
发明人： 黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种P‑GaN高反向耐压终端边缘的制备方法，所述制备方法包括：提供衬底，以及所述衬底上的外延层；其中，所述外延层包括漂移层；在所述漂移层的目标区域进行镁离子掺杂；根据镁离子掺杂结果，对所述外延层的表面进行刻蚀。本发明通过在终端边缘底下的飘移区参杂了镁离子让N‑‑GAN转成P‑‑GAN，与现有工艺相比，不仅能够更有效地利用光罩，且更有效地促使N‑‑GAN层/漂移层的电场分布更加均匀，电场集中效应明显改善。
一种 gan 反向耐压终端边缘制备方法

[发明专利]界面缺陷密度的测试方法及测试电路-CN202310449897.5在审
发明人： 黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种界面缺陷密度的测试方法及测试电路，其中，测试方法包括：通过在待测MOS管栅极施加脉冲电压，以获取待测MOS管漏极的电流曲线；根据电流曲线，确定待测MOS管的界面缺陷密度。本发明通过促使界面缺陷密度转换成可量测的栅极电压，或通过持续监测漏电流的变化来确定界面缺陷密度，从而能够快速且准确地测试出半导体器件的界面缺陷密度的高低，缩短半导体器件工艺开发的时程，也可以用来分辨半导体器件的电性是否优异。
界面缺陷密度测试方法电路

[发明专利]P-GaN HEMT动态建模方法、装置、设备及介质-CN202310552808.X在审
发明人： 黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种P‑GaN HEMT动态建模方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取P‑GaN HEMT的SPICE模型以及预设时间内栅极端的电荷变化量；根据预设时间内栅极端的电荷变化量，更新所述SPICE模型。本发明根据预设时间内栅极端的电荷变化量，在原有的SPICE模型中栅极端的电荷计算公式中增加获取的电荷变化量，能够对萧特基金属接触所引起的阈值电压偏移进行修正，从而使得修正后的SPICE模型更加符合真实电路情况。
gan hemt 动态建模方法装置设备介质

[发明专利]高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202310525551.9在审
发明人： 黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及制备方法，其中，制备方法包括：在预制器件的沟道层上方生成第一预设厚度的第一势垒层；所述预制器件包括衬底和设置在所述衬底一侧的所述沟道层；根据目标晶体管的预设器件参数确定目标栅极凹陷在所述第一势垒层的位置信息；在所述第一势垒层的所述位置信息对应的区域上沉积第二预设厚度的光刻胶；在沉积所述光刻胶后，在所述第一势垒层上方依次生成第三预设厚度的第二势垒层和第四预设厚度的氧化层；清除所述光刻胶，得到具有栅极凹陷的多层结构。上述制备方法能够提高晶体管中栅极凹陷的准确度，从而使晶体管的均匀性与电性良率大大提升。
电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的MOSFET及制备方法-CN202310574084.9在审
发明人： 黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种通过改进型终端边缘提高反向耐压的MOSFET及制备方法，该MOSFET包括：场板、P+掺杂区，所述场板包括：设置在P‑base层上方的第一段场板，由所述第一段场板延伸至沟槽终端中的第二段场板，所述第二段场板改变电场线在介电层的分布；所述P+掺杂区位于所述沟槽终端第二端的N+epi层和N+sub层和介电层三部分的邻接处。本发明能够克服沟槽终端微沟槽缺陷引起BV降低的缺点，通过改变电场线的分布提高反向耐压能力。
一种通过改进型终端边缘提高反向耐压 mosfet 制备方法

[发明专利]沟槽型功率器件及其高反向耐压终端边缘的制备方法-CN202310574737.3在审
发明人： 黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型功率器件及其高反向耐压终端边缘的制备方法，所述方法包括：获取第一沟槽型功率器件中沟槽栅极的电场分布以及沟槽宽度；基于沟槽栅极的电场分布，当判定某一沟槽栅极的终端边缘的电场强度大于第一阈值时，调整所对应沟槽栅极的沟槽宽度，根据调整后的沟槽栅极设计沟槽光罩。本发明根据沟槽栅极的终端边缘的电场强度对沟槽栅极的沟槽宽度进行调整，最终能够提高沟槽型功率器件终端边缘的反向耐压能力。
沟槽功率器件及其反向耐压终端边缘制备方法

[发明专利]一种短路耐量高的碳化硅器件及其制备方法-CN202310287239.0在审
发明人：刘涛;黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种短路耐量高的碳化硅器件及其制备方法，短路耐量高的碳化硅器件包括衬底层、漂移层、基极层、源极区域、接触区域、沟槽、栅极氧化层、绝缘膜层、栅极电极、源极电极和漏极电极，衬底层、漂移层、源极区域由碳化硅掺杂第一导电类型杂质形成，基极层和接触区域由碳化硅掺杂第二导电类型杂质形成，在源极区域内形成简并半导体，碳化硅掺杂第一导电类型杂质形成，杂质的掺杂浓度高于源极区域，简并半导体的电阻率与温度呈正相关。在传统的碳化硅器件的基础上，在源极区域插入简并半导体，由于简并半导体的电阻率与温度呈正相关，当器件发生短路时，温度升高使得简并半导体电阻增大，从而减小了短路时的电流，能有效防止器件损坏。
一种短路耐量高碳化硅器件及其制备方法

[发明专利]MOSFET老化测试方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310552833.8在审
发明人： 黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET老化测试方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：设置驱动电压信号，使得所述驱动电压信号在第一时段输出第一电压，在第二时段输出第二电压，在第三时段输出第三电压；其中，所述第三电压小于所述第一电压，且为正值，所述第二电压为负值；利用所述驱动电压信号为MOSFET的栅极电压赋值，获取MOSFET在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数；根据所述第一阈值电压函数确定MOSFET老化测试结果。本发明能够快速地分离MOSFET的瞬时电性飘移与稳态电性漂移，从而快速准确地得到MOSFET器件的老化测试结果。
mosfet 老化测试方法装置电子设备存储介质

[发明专利]堆叠型半导体器件及其制备方法、芯片-CN202310471728.1在审
发明人：乔凯;黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件领域，提供了一种堆叠型半导体器件及其制备方法、芯片，通过在第一半导体掺杂层和第二半导体掺杂层之间形成第一MOS器件，并在第二半导体掺杂层和第三半导体掺杂层之间形成第二MOS器件，从而使得第二半导体掺杂层作为第一MOS器件和第二MOS器件的公共源极或者公共漏极，由第一MOS器件和第二MOS器件形成一种堆叠型半导体器件，从而在单位面积内集成更多的并联器件，提升了器件的电流密度，解决了目前的工艺制造的器件在单位面积内能够并联的元件数量较少的问题。
堆叠半导体器件及其制备方法芯片

[发明专利]一种晶圆结构-CN202310484939.9在审
发明人： 黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆结构。该晶圆结构包括：晶圆主体，设有切割道，并包括由所述切割道界定的多个半导体器件，所述半导体器件包括三个电极部，所述三个电极部至少为两种不同的电极类型；导电层，形成于所述晶圆主体上，包括多个与所述半导体器件对应设置的导电盘和与多个所述导电盘连接的导电线，所述导电线设置于所述切割道，所述导电盘包括三个导电部，所述导电部与所述电极部对应设置且电连接，与同一电极类型的所述电极部对应的所述导电部采用同一所述导电线连接。通过上述方式，本申请提供的晶圆结构能够显著地降低半导体器件进行早期失效筛选的成本并提高筛选效率。
一种结构

[发明专利]一种MOM电容及其制备方法、高频集成电路、芯片-CN202310330834.8在审
发明人：李菀婷;黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种MOM电容及其制备方法、高频集成电路、芯片，在第一金属层与第二金属层之间形成第一层间绝缘层，并在第二金属层上形成与第一层间绝缘层接触的第二层间绝缘层，其中，通过由氟碳杂质共掺杂氧化硅和磷硼杂质共掺杂氧化硅中的至少一项组成第一层间绝缘层，并由氟碳杂质共掺杂氧化硅和磷硼杂质共掺杂氧化硅中的至少一项组成第二层间绝缘层，从而在给定的金属层间结构下有效扩展MOM电容的电容可变范围，便于设计人员能够在更小的尺寸空间下设计出所需的电容器，提升了集成电路的空间利用效率。
一种 mom 电容及其制备方法高频集成电路芯片

[发明专利]一种横向绝缘栅双极型晶体管、功率开关器件及集成电路-CN202310262213.0在审
发明人：乔凯;黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请提供了一种横向绝缘栅双极型晶体管、功率开关器件及集成电路，属于集成电路制造的技术领域。该横向绝缘栅双极型晶体管包括衬底、外延层以及绝缘层。外延层包括具有第一导电类型的基区，形成于外延层的第一端；具有第二导电类型的发射区，形成于基区靠近绝缘层的一侧，并与基区相接；具有第一导电类型的集电区，形成于外延层的第二端，且与基区分离设置；具有第一导电类型的辅助区，形成于外延层内；具有第二导电类型的漂移区，形成于外延层内，且漂移区用于实现基区与集电区之间的导通，以及集电区与辅助区之间的导通。该横向绝缘栅双极型晶体管具有较好的抗闩锁能力。
一种横向绝缘栅双极型晶体管功率开关器件集成电路

[发明专利]一种碳化硅MOSFET管短路检测电路及装置-CN202310289332.5在审
发明人：陈涛;黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅MOSFET管短路检测电路及装置，其中所述检测电路包括：碳化硅MOSFET管；第一类短路检测单元，所述第一类短路检测单元与所述碳化硅MOSFET管的第一电极连接，用于基于漏极电流输出第一故障信号；第二类短路检测单元，所述第二类短路检测单元与所述碳化硅MOSFET管的栅极连接，用于基于栅极电压输出第二故障信号；和逻辑信号处理单元，根据所述第一故障信号和所述第二故障信号输出控制信号，控制所述碳化硅MOSFET管关断。本发明采用栅检测和电流检测结合的方法，不需要采用积分电路，检测速度快，可以囊括多种短路的模式，从而保证检测结果更准确。
一种碳化硅 mosfet 短路检测电路装置

[发明专利]一种四通道鳍型的垂直碳化硅器件及其制备方法-CN202310289500.0在审
发明人：刘涛;黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种四通道鳍型的垂直碳化硅器件及其制备方法，四通道鳍型的垂直碳化硅器件包括，N型衬底层、N型掺杂漂移层、鳍型硅墙、P型屏蔽区、栅氧化层、多晶硅栅层、漏极、栅极和源极，其中鳍型硅墙设有两个，两个鳍型硅墙间隔且平行成型在所述漂移层的上表面，鳍型硅墙包括N型掺杂缓冲层、P阱层、N+区域和P+区域，P阱层位于所述漂移层的延伸部的上表面，P阱层的上表面设有源区，源区包括两个N+区域和一个P+区域，P+区域设置在两个N+区域之间。增加器件的电流通道数量，电流通道由双通道增加至四通道，提高器件的功率，并且能很好保护栅结构，同时也能够很好的保护集成SBD二极管，提高器件的反向性能。
一种通道垂直碳化硅器件及其制备方法

[发明专利]半桥功率器件及其制备方法、芯片-CN202310202827.X在审
发明人：刘浩文;黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提出一种半桥功率器件及其制备方法、芯片，其中，半桥功率器件通过从第一衬底的表面至埋氧化层的表面设置三个沟槽并填充绝缘材料，形成两个绝缘区域，每一绝缘区域内的第一衬底、P‑body区、第一N+区和第二N+区等效形成一MOS管，并通过金属层引出，同时，两个等效MOS管通过导电介质跨接，形成等效的半桥功率器件，两个MOS管之间通过绝缘层绝缘设置，高压的漏极金属层与低压的P‑body区不存在电流通路，减弱了背栅效应，进而减小了噪声影响和功耗。
功率器件及其制备方法芯片

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 82 条