“接触电阻”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2082038个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种复合极片及其制备方法和应用-CN202111531226.0在审
发明人：卢林;李庆玲;蒋治亿 -专利权人：江苏天合储能有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合极片及其制备方法和应用，所述复合极片包括集流体、活性物质层及设置在所述集流体和活性物质层之间的接触电阻调控层，所述接触电阻调控层包括依次并列设置的第一接触电阻调控层、第二接触电阻调控层、第三接触电阻调控层、第四接触电阻调控层和第五接触电阻调控层，所述第一接触电阻调控层、第三接触电阻调控层和第五接触电阻调控层的材料相同，所述第二接触电阻调控层和第四接触电阻调控层的材料相同，本发明通过控制集流体与活性物质涂层之间的接触电阻来减小或消除边缘的电流密度大的现象
一种复合及其制备方法应用

[发明专利]接触电阻的测试方法与装置-CN202011241123.6有效
发明人：杨海洋 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种接触电阻的测试方法与装置，用于测试MOS晶体管的接触电阻；上述方法包括：获取接触电阻的单位面积电阻值与电阻温度系数，根据上述单位面积电阻值、电阻温度系数以及接触电阻的面积，确定接触电阻的目标电阻值即本申请实施例所提供的接触电阻的测试方法，在测试过程中能够根据接触电阻的电阻温度系数，对接触电阻的测量结果进行校正，可以有效消除环境温度对接触电阻的测量结果的影响，进而提升MOS晶体管的测量精确度。
接触电阻测试方法装置

[发明专利]计算架空地线与预绞丝接触端口接触电阻的装置和方法-CN201811586774.1在审
发明人：郑风雷;尹创荣;张远健;陈冠豪;刘贯科;杨睿;周潮;夏云峰;黄健华;袁智斌;吴勋;张忠豪;巫伟中;王传旭;邱秋辉;陈灿辉;陈华干 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司东莞供电局
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本发明提供了计算架空地线与预绞丝接触端口接触电阻的装置和方法，包括：获取示波器显示的计算电路的瞬时电压和瞬时电流；根据瞬时电流得到接触电阻的电流；根据瞬时电压得到接触电阻的电压；根据接触电阻的电压和接触电阻的电流，得到接触电阻的阻值，充分考虑了交流领域中趋肤效应对接触电阻的影响，具有较高的准确度，填补了架空地线预绞丝接触端口接触电阻计算分析的空白。
接触电阻架空地线预绞丝瞬时电流瞬时电压示波器显示计算电路计算分析交流领域准确度填补

[发明专利]接触电阻减小-CN201680052244.1有效
发明人： G·M·耶里克 -专利权人：阿姆有限公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本文描述的各种实现方式针对用于减小接触电阻的系统和方法。在一种实现方式中，一种方法可以包括分析集成电路的单元的操作条件。所述方法可以包括选择性地标记沿着集成电路的关键路径具有时序退化的单元的实例。所述方法可以包括降低用于选择性标记的具有时序退化的单元的实例的接触电阻。
接触电阻减小

[发明专利]接触电阻测量方法及装置-CN201811344934.1有效
发明人：郑风雷;尹创荣;张远健;陈冠豪;刘贯科;杨睿;周潮;夏云峰;黄健华;袁智斌;吴勋;张忠豪;巫伟中;王传旭;邱秋辉;陈灿辉;陈华干 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司东莞供电局
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本申请提供一种接触电阻测量方法及装置，用于测量预绞丝与地线接触端口处的接触电阻，涉及接触电阻测量技术领域。该接触电阻测量方法包括：获取满足预设要求的接触电阻变化率的两种不同频率的交流电流；在预绞丝与地线接触端口处加载基于两种不同频率的交流电流，分别测量预绞丝与地线接触端口处的第一电压和第二电压；根据第一电压和第二电压，得到预绞丝与地线接触端口处的接触电阻。使用该接触电阻测量方法及装置，能够直接测量交流接触电阻，且有效减小接触电阻的测量值与实际值之间存在的误差。
接触电阻测量方法装置

[发明专利]金属接触电阻测试方法和测试回路-CN202010402442.4有效
发明人：聂永杰;许博文;赵现平 -专利权人：云南电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本申请公开一种金属接触电阻测试方法和测试回路，所述方法包括：在待测接触金属的两端分别接入限流电阻，通入特定电压，形成闭合回路，利用霍尔元件感应接触电阻的磁场分布，并根据霍尔电压和电流，计算得到接触电阻处的磁场强度；然后根据磁场强度及霍尔元件的参数，得到接触电阻上的电流分布，当测试接触金属接头之间的接触电阻时，根据输入电压和回路电流获得所述闭合回路的总电阻，并根据总电阻以及限流电阻的阻值，计算接触电阻。采用前述的方法，可准确的测试接触金属的接触电阻值分布情况，提高了金属接触电阻测试准确性。
金属接触电阻测试方法回路

[发明专利]一种GW16型隔离开关静触头的回路电阻的测量方法-CN202010391892.8有效
发明人：叶茂泉;杨磊;杨正昌;袁辉祥 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司东莞供电局
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种GW16型隔离开关静触头的回路电阻的测量方法，包括固定电阻R0、接触电阻R1和接触电阻R2，所述接触电阻R1和接触电阻R2并联，并且所述固定电阻R0串联在所述接触电阻R1和接触电阻R2并联电路上，所述固定电阻R0、接触电阻R1和接触电阻R2共同构成整个静触头的回路电阻，该方法通过对固定电阻R0、接触电阻R1和接触电阻R2分别测量，能测量隔离开关静触头中单个软连接的回路电阻情况，弥补了现有方法只能测量整个静触头回路电阻的不足；并且能及时发现静触头单个软连接的回路电阻局部偏大情况，有效提高隔离开关运行的安全性和供电可靠性。
一种 gw16 隔离开关静触头回路电阻测量方法

[发明专利]一种GIS触头接触电阻的模拟方法-CN202211548321.6在审
发明人：张磊;陈梁远;韩方源;饶夏锦;潘绍明;芦宇峰;黎大健;孙志媛;赵坚;李锐;陈千懿 -专利权人：广西电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种GIS触头接触电阻的模拟方法，首先计算接触电阻的等效半径，并根据所述等效半径计算电流流过接触电阻的通流截面积，保持通流截面积不变，将接触电阻形状转化为矩形块，并在三维软件中对每一根触指建立等效接触电阻模型；然后对整个触指区域进行模型分类融合；在电磁场计算中，结合接触电阻的大小和等效模型的尺寸折算出其电导率，以模拟不同接触电阻的工况；在温度‑流体场耦合计算中，结合接触电阻大小和电导率，计算等效的接触电阻的热导率，并将电磁场的损耗计算结果导入到温度流体场中，可以在仿真中实现接触电阻的精确模拟。
一种 gis 接触电阻模拟方法

[发明专利]一种判定弓网接触电弧发生的接触力阈值模型构建方法-CN201910743615.6有效
发明人：刘志刚;周虹屹 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提出一种判定弓网接触电弧发生的接触力阈值模型构建方法，首先基于现有的Holm电接触理论中a斑点接触电阻模型，考虑其圆形接触斑点的假设结合电流密度的定义推导接触电阻与接触点电流密度的关系式；再根据a斑点接触电阻模型中圆形接触斑点的假设得出接触电阻与接触力的关系式，最后联立其与接触点电流密度的关系式获得判定弓网接触电弧发生的接触力阈值模型。本发明可用于计算接触电弧发生的接触力阈值以及接触电阻阈值，首次针对接触电阻影响弓网受流给出具体的计算模型，可揭示接触电阻与弓网电接触可靠性的具体关系。
一种判定接触电弧发生阈值模型构建方法

[发明专利]一种燃料电池极板-扩散层间非原位接触电阻测量方法-CN202210441253.7在审
发明人：赵泽熙;栗顺;姜大威;王冬冬;曲美玥;姜名勇;张清扬;刘泓成;李师航;刘天舒 -专利权人：一汽奔腾轿车有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本发明属于汽车技术领域，具体的说是一种燃料电池极板‑扩散层间非原位接触电阻测量方法。用于测量燃料电池各组件层间的界面接触电阻，通过一种非原位接触电组测量系统进行测量；对质子交换膜燃料电池的双极板‑扩散层界面接触电阻进行测量包括：控制压力对接触电阻进行测试和控制电流密度对接触电阻进行测试本发明通过控制压实力，电流密度等变量，监测温度，测量接触电阻，用于研究非原位接触电阻及影响因素。
一种燃料电池极板扩散层间非原位接触电阻测量方法

[发明专利]半导体装置的检查方法以及采用该方法的半导体装置的制造方法-CN201410092725.8有效
发明人：山本敏男;浅川唯志;野中智己;石坂达也 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的检查方法中，预先测定与检查对象种类相同的半导体装置的端子引线和探针之间的接触电阻，对于具有接触电阻值大于在电特性试验中被视为不会发生误判的通常值的该接触电阻值的半导体装置，预先将为了使该较大的接触电阻值下降到通常值而所需的电能作为基准值而求出，利用与测定所述接触电阻相同的方法，测定作为检查对象的半导体装置的接触电阻，在显示为该接触电阻值大于所述通常值的情况下，在施加作为所述基准值的电能之后，再次测定接触电阻，确认接触电阻成为通常值并进行所需要的电特性试验
半导体装置接触电阻电特性试验检查对象端子引线误判探针检查施加制造

[发明专利]一种测量与推算接地体与土壤接触电阻的方法-CN201910068292.5有效
发明人：曾鹏;田承越;许逵;何荣卜;陈沛龙;刘宇;余腾 -专利权人：贵州电网有限责任公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G01R27/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量与推算接地体与土壤接触电阻的方法，该方法包括步骤：首先在试验装置内安放接地体并填入模拟土壤，连接好试验线路构成试验装置一；测量试验装置一中的回路总电阻和试验装置一中的土壤电阻，计算铝板与土壤的接触电阻；推算出试验装置一中铝板与土壤的单位面积接触电阻；测量试验装置二中的回路总电阻，求得的铝板与土壤的单位面积接触电阻带入热功率等效公式中求出铝板与土壤的接触电阻，得出试验装置二中的土壤电阻，计算接地体与土壤的接触电阻；推算出接地体与土壤的单位面积接触电阻和接地体与土壤接触电阻的等效涂层电阻率。本发明实现了测量接地体与土壤接触电阻的目的。
接触电阻接地体土壤试验装置金属板推算测量试验装置回路总电阻土壤电阻测量涂层电阻率等效公式模拟土壤试验线路热功率填入

[发明专利]一种接触电阻测试系统-CN201610791234.1在审
发明人：李全海;刘剑峰;肖永清;姜伟;祝金 -专利权人：李全海
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触电阻测试系统，所述系统包括：接触电阻测试仪、测试装置；所述测试装置包括：接头测试模块、检查评估模块、数据库；所述接头测试模块发出指令，启动接触电阻测试仪；所述接触电阻测试仪测量电气设备接头的接触电阻值；所述接触电阻测试仪将测量得到的接触电阻值返回至接头测试模块；所述数据库对测量得到的接触电阻值记录并保存；所述检查评估模块根据评价标准，对测量的接触电阻值进行评价，将评价结果进行记录并保存。通过本发明中的一种接触电阻测试系统，达到一次电气设备接头精细化检修的目的，使一次电气设备接头与其一次主电气设备的状态检修周期同步进行。
一种接触电阻测试系统

[发明专利]接触电阻测量方法及装置-CN202010607619.4有效
发明人：郑风雷;尹创荣;张远健;陈冠豪;刘贯科;杨睿;周潮;夏云峰;黄健华;袁智斌;吴勋;张忠豪;巫伟中;王传旭;邱秋辉;陈灿辉;陈华干 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司东莞供电局
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本申请提供一种接触电阻测量方法及装置，用于测量预绞丝与地线接触端口处的接触电阻，涉及接触电阻测量技术领域。该接触电阻测量方法包括：获取满足预设要求的接触电阻变化率的两种不同频率的交流电流；在预绞丝与地线接触端口处加载基于两种不同频率的交流电流，分别测量预绞丝与地线接触端口处的第一电压和第二电压；其中，采用检波法、采样法、热电法、测辐射热法和补偿法中任意一种测量方法测量所述第一电压和所述第二电压；根据第一电压和第二电压，得到预绞丝与地线接触端口处的接触电阻。使用该接触电阻测量方法及装置，能够直接测量交流接触电阻，且有效减小接触电阻的测量值与实际值之间存在的误差。
接触电阻测量方法装置

[发明专利]接触电阻的测试方法及设备-CN202110551274.X在审
发明人：林仕杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种接触电阻的测试方法及设备，在测试工作于线性区的MOS晶体管的接触电阻时，通过确定MOS晶体管在各个采样温度下的总阻值与MOS晶体管的沟道宽度之间的函数关系，来确定出MOS晶体管的接触电阻在各个采样温度下的阻值；根据MOS晶体管的接触电阻在各个采样温度下的阻值，确定出接触电阻在当前环境温度下的校准系数，进而根据接触电阻在当前环境温度下的校准系数，对接触电阻的测量结果进行校正，得到接触电阻在当前环境温度下的准确阻值，可以有效消除环境温度以及寄生效应对接触电阻的测量结果产生的影响，提升MOS晶体管的测量精确度。
接触电阻测试方法设备

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条