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[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN200510119903.2无效
发明人：郑震九;柳春基;朴庆珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：具有显示区域和驱动器的基板；多晶硅层，形成于基板上，并包括沟道、源和漏区和设置在沟道区与源和漏区之间、且具有低于源和漏区的杂质浓度的轻掺杂区；形成于多晶硅层上的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层上并与多晶硅层的沟道区交叠而且掺杂有杂质的杂质层；形成于杂质层上的栅极；覆盖栅极并具有分别暴露出源和漏区的第一和第二接触孔的层间绝缘层；以及通过第一和第二接触孔分别连接到源和漏区的源和漏极
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

[发明专利]源/漏碳注入和RTA退火,预SiGe淀积-CN200810146814.0有效
发明人：温伟源;聂俊峰;陈静怡;张绚;杨宗儒;林立德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-08-25 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了源/漏碳注入和RTA退火，预SiGe淀积。还公开了一种阻挡掺杂杂质从应力结构向外扩散的半导体器件系统、结构和源/漏的制造方法。说明性实施例包括半导体衬底、器件、和阻挡源/漏区中掺杂杂质侧壁外扩散的方法。提供具有栅结构、和具有在所述栅结构相对两侧的源和漏的半导体衬底。在所述源和漏的一部分蚀刻凹槽区。将阻挡掺杂杂质并入所述源和漏的其余部分。
注入 rta 退火 sige 淀积

[发明专利]蒸镀设备及蒸镀方法-CN200410088841.9无效
发明人：周国庆 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种蒸镀方法，适用于蒸镀设备，以将蒸镀源蒸镀至基板上。此蒸镀设备具有纯化室与蒸镀室，其中纯化室内设置有加热装置，而蒸镀室内设置有成膜装置。首先，提供蒸镀源于纯化室内，其中蒸镀源表面形成杂质。然后，通过加热装置加热蒸镀源，以使杂质成为气体而与蒸镀源分离。接着，将蒸镀源移至蒸镀室内，以通过成膜装置将蒸镀源蒸镀至基板上。因此，此蒸镀方法可在成膜之前除去杂质，以提供较佳之方法合格率。
设备方法

[发明专利]一种提高UIS能力的超结MOSFET制造方法-CN202110190645.6有效
发明人：秦芳莉;韩廷瑜;何云;梁路;陈会治;罗顶 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高UIS能力的超结MOSFET制造方法，该方法首先在衬底的外延层上形成P型柱和P型体区，在形成源区之前先从注入窗口处注入高剂量的P型杂质但并不退火作业，然后按现有工艺方法注入N型杂质形成源区；由于在源区形成前注入窗口没有隔离侧墙横向遮挡，有利于高剂量被注入的P型杂质横向扩散，借助源区形成时的退火作业将第二次注入的P型杂质向深度方向推进，这样就增大了高浓度P型杂质的面积分布，有利于降低BJT的基区电阻；在源区以及栅极侧壁的隔离侧墙形成后，第三次注入高剂量的P型杂质并退火，先后第二次和第三次P型杂质的注入增加了基区的掺杂浓度，也可以令基区电阻显著降低，达到提高器件UIS能力的目的。
一种提高 uis 能力 mosfet 制造方法

[发明专利]一种半导体晶体管结构及制作方法-CN202110749993.2在审
发明人：汤继峰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体晶体管结构，包括：形成有第一导电类型阱区的衬底，在所述衬底上设置有栅极结构；第二导电类型的源漏区，设置于所述第一导电类型阱区内,且源漏区分别位于栅极结构的两侧；在源漏区相对应的位置处开设有接触孔，所述接触孔向下延伸至第一导电类型阱区中；所述接触孔内填充有导电金属，接触孔底部有注入用于降低其接触电阻的杂质离子，所述接触孔底部与所述源漏区相接触的周边区域的杂质离子浓度低于其位于中间区域杂质离子的浓度本申请通过在填充接触孔时，保持接触孔底部与源/漏区相接触的周边区域处的杂质离子浓度低于其中间区域杂质离子的浓度，以此来降低源漏区与阱区之间的离子浓度差，从而减小漏电流。
一种半导体晶体管结构制作方法

[发明专利]半导体装置以及半导体模块-CN202011145820.1有效
发明人：安田英司;今井俊和;大河亮介;今村武司;坂本光章;吉田一磨;平子正明;升元康之;曾田茂稔;太田朋成 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的半导体装置及半导体模块，具有：半导体基板，包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层，形成于半导体基板的正面，包括浓度比半导体基板低的第一导电型的杂质；背面电极，形成于半导体基板的背面，由金属材料构成；第一、第二晶体管，分别形成于低浓度杂质层内的邻接的第一、第二区域，并在低浓度杂质层的正面具有源极电极及栅极电极；半导体基板作为共同漏极区域发挥功能，作为多个第一源极电极中的一个的第三源极电极与作为多个第二源极电极中的一个的第四源极电极分别是相对于第一区域与第二区域的边界最近的源极电极
半导体装置以及模块

[实用新型]可清除杂质的磨削工装-CN202223457789.2有效
发明人：王冬;李林;张雷鹏;董文义 -专利权人：青岛旭尔锐机械有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B24B55/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及磨削工装技术领域，具体为可清除杂质的磨削工装，包括：支架，支架用于为装置提供支撑；还包括：防尘组件，用于阻挡并收集磨削时产生的杂质；磨削组件固定架，用于安装磨削组件；磨削组件，磨削组件包括第一动力源，第一动力源底部设有动力源支架，动力源支架安装在防尘罩左侧面下部，第一动力源通过传动组件驱动砂带对工件进行磨削。本实用新型，通过设置挡灰板可以阻挡磨削使时产生的杂质，并收集到集尘箱中，方便打扫，同时通过喷嘴利用压缩空气清理砂带表面附着的杂质，并通过防尘罩阻挡和收集飞到空气中的杂质，延长了砂带使用寿命的同时，保护了操作人员的健康
清除杂质磨削工装

[发明专利]FinFet器件源漏区的形成方法-CN201310446229.3有效
发明人：刘金彪;徐强;熊文娟;李春龙;李俊峰;刘青;王垚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种FinFet器件源漏区的形成方法，包括提供衬底，所述衬底上具有鳍；在鳍的源漏区域进行离子注入；覆盖鳍的源漏区域以形成界面层，鳍顶部的界面层的厚度大于鳍侧面的界面层的厚度；进行热退火；去除界面层由于杂质在鳍与界面层的分凝作用，杂质会向界面层扩散，并且在界面层越厚地方析出更多的杂质，通过去除鳍表面析出的杂质，实现均匀的共型掺杂。
finfet 器件源漏区形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710186573.8无效
发明人：山冈义和;岛田聪;藤田和范;笹田一弘 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，具备：沟槽部、在沟槽部的表面上形成的绝缘膜、栅电极、源极杂质区域，栅电极的与绝缘膜接触的部分的上端部位于为了形成源极杂质区域而从半导体基板的表面上导入的杂质相对于绝缘膜的粒子射程以上深度的位置，且位于比源极杂质区域的下表面靠上的位置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件、半导体器件制造方法、液晶显示装置和电子设备-CN201310133195.2有效
发明人：森茂;东海林功;田边浩;柴田惠 -专利权人： NLT科技股份有限公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括：支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和漏极区与沟道形成区域之间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧的杂质浓度。
半导体器件制造方法液晶显示装置电子设备

[发明专利]具有薄膜晶体管的半导体器件-CN200410064274.3无效
发明人：小沼利光;菅原彰;上原由起子;张宏勇;铃木敦则;大沼英人;山口直明;须泽英臣;鱼地秀贵;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-09-20 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，它包括至少一个第一晶体管和一个第二晶体管，所述第一和第二晶体管各自包括：结晶半导体，具有源区和漏区、源区和漏区间的沟道区、以及分别在沟道区和源区之间以及沟道区和漏区之间的一对杂质区，其中包含于该对杂质区内的一种导电类型杂质的浓度小于源区和漏区内杂质的浓度；位于沟道区上的栅绝缘膜；以及位于栅绝缘膜之上的栅电极，其中，第二晶体管中的那对杂质区至少部分地与栅电极重叠，而第一晶体管中的那对杂质区与栅电极之间没有重叠，其中，第一和第二晶体管的源区和漏区包括硅化镍。
具有薄膜晶体管半导体器件

[发明专利]半导体器件、半导体器件制造方法、液晶显示装置和电子设备-CN200980111418.7有效
发明人：森茂;东海林功;田边浩;柴田惠 -专利权人： NEC液晶技术株式会社
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括：支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和漏极区与沟道形成区域之间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧的杂质浓度。
半导体器件制造方法液晶显示装置电子设备

[发明专利]高K金属栅MOS晶体管的制造方法-CN201110020726.8有效
发明人：张盛东;韩汝琦;韩德栋 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种高K金属栅MOS晶体管制作方法，通过在MOS晶体管沟道区正上方注入相应的杂质，使该MOS晶体管沟道区的底部以及沟道区与源漏区的交界处重掺杂有与衬底上所掺杂的杂质类型相同的杂质，MOS晶体管源漏区掺杂有与衬底上所掺杂的杂质类型相反的杂质，且上述沟道区掺杂不会对源漏区产生杂质补偿，从而生产出的晶体管具有表面浓度低而体内浓度高的倒掺杂的沟道，能同时满足高驱动电流的要求和抑制短沟道效应的要求。
金属 mos 晶体管制造方法

[发明专利]杂质的荧光检测-CN201910276638.0在审
发明人： K·D·鲁博 -专利权人：维蒂克影像国际无限责任公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本公开内容涉及杂质的荧光检测。公开了一种用于检测杂质在板层中的存在的方法。用荧光指示器标记杂质源。将杂质源与板层分离。传感器检测板层的照射和设置在板层上的杂质中包括的荧光指示器。检测从板层反射的光和设置在杂质中的指示器的荧光的差异，从而识别杂质在板层中的存在。
荧光板层指示器荧光检测杂质源波长反射传感器检测板指示器标记照射板照射源检测从板照射

[发明专利]一种有机纯物质中痕量杂质分析装置及分析方法-CN201310036515.2无效
发明人：李明;方向;熊行创;江游;黄泽建;蔡九霄 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机纯物质中痕量杂质分析装置及分析方法。所述装置包括：液相色谱仪、切割阀、基于等离子体的电离源和质谱仪，所述基于等离子体的电离源包括雾化器和电晕放电针；液相色谱仪依次连接切割阀、雾化器、电晕放电针和质谱仪。所述方法包括：样品送入液相色谱仪，依次通过切割阀、基于等离子体的电离源，样品中的杂质被离子化，送入质谱仪分析。本发明采用基于等离子体的化学电离源不仅能够电离极性和弱极性的杂质分子，同时可电离非极性的分子；将主成分切割后的杂质离子进入质谱仪后可进行相应的质量分析，从而获得杂质分子的定性信息。
一种有机物质痕量杂质分析装置方法