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[发明专利]一种用于太阳能电池的环境友好型扩散源-CN202111352418.5在审
发明人：王孟 -专利权人：南京欣之禾安全技术有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于太阳能电池的环境友好型扩散源，属于半导体领域，一种用于太阳能电池的环境友好型扩散源，环境友好型扩散源包括有溶剂、氧化硅纳米球前驱源、杂质源和添加剂，溶剂为无水乙醇或异丙醇，氧化硅纳米球前驱源为甲基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷以及正硅烷乙酯中的任一一种，杂质源为扩散硼源或扩散磷源，添加剂为氨水、氨气以及液氨中的任一一种，可以通过环境友好型扩散源能够有效解决其在硅片衬底上扩散不均匀的问题，降低扩散不良品的出现
一种用于太阳能电池环境友好扩散

[发明专利]一次涂源全扩散生产整流管芯片的工艺方法-CN200610134895.3有效
发明人：于能斌;侯忠岩 -专利权人：鞍山市华辰电力器件有限公司
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用在大功率整流二极管生产的一次涂源全扩散生产整流管芯片的工艺方法。本发明的有益效果是比现有工艺简便，减少了工艺过程如和氧化、单面腐蚀、去氧化层扩硼铝、去氧化层扩磷源工艺相比少了4道工序，节约了大量的电能，人工和化学药品，既节能又环保，成本低，用纸源一次扩散的方法每片杂质源的成本为3－10元，而采用本工艺的杂质源成本仅为0.1－0.3元不到纸源成本的十分之一。
一次涂源全扩散生产整流管芯片工艺方法

[实用新型]一种梳棉机用除尘装置-CN202220010197.7有效
发明人：黄景盛 -专利权人：温州市鹿腾棉纺有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B01D50/60 文献下载
摘要：，所述沉淀管的一端与设有的第一连接管连接，且所述沉淀管的另一端与设有的第二连接管连接；所述沉淀管上还设有若干个安装座，并在所述安装座上设有喷淋头；通过所述喷淋头将液体喷向沉淀管，以湿化经过沉淀管中的气源，从而增强气源中的杂质的重量，实现杂质在沉淀管中的蓄积；所述沉淀管的底部还设有排污口，以将沉淀后的杂质排出沉淀管；所述第一连接管远离所述沉淀管的一端与设有的过滤器连接，且所述过滤器的内部还设有若干个过滤网，利用过滤网将经过过滤器的杂质进行进一步的过滤，以使得排出的气源得到进一步的净化；有基于此，本实用新型能够将杂质层层过滤，以实现气源的打标排放。
一种梳棉机除尘装置

[实用新型]一种吹扫装置-CN202320663315.9有效
发明人：穆永超;张会明;王毅;李翔晟;杨文强;范建鑫;孙慧林 -专利权人：北京首钢股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B21B45/02 文献下载
摘要：所述吹扫装置包括气源装置和吹扫组件，其中气源装置内储有吹扫气体；吹扫组件与所述气源装置连通，所述吹扫组件位于所述钢带下方，且所述吹扫组件的出气端向所述带钢下表面倾斜吹扫。本吹扫装置通过在带钢的下表面设置吹扫组件，通过吹扫组件上的喷嘴喷出高速气体对带钢下表面的杂质进行吹扫，使得杂质从带钢下表面脱离，进而达到及时清除带钢下表面杂质的目的，进而避免带钢在卷取时产生表面缺陷。
一种装置

[发明专利]半导体装置、半导体模块、以及半导体封装装置-CN201780047044.1有效
发明人：安田英司;今井俊和;大河亮介;今村武司;坂本光章;吉田一磨;平子正明;升元康之;曾田茂稔;太田朋成 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：具有：半导体基板(32)，包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层(33)，包括比半导体基板(32)的第一导电型的杂质的浓度低的浓度的第一导电型的杂质；背面电极(31)，由金属材料构成；以及晶体管(10，20)，被形成在低浓度杂质层(33)内，晶体管(10)在低浓度杂质层(33)的正面具有第一源极电极(11)以及第一栅极电极(19)，晶体管(20)在低浓度杂质层(33)的正面具有第二源极电极(21)以及第二栅极电极(29)，半导体基板(32)，作为晶体管(10，20)的共同漏极区域发挥功能，背面电极(31)的厚度a为25μm以上35μm以下，背面电极(31)的厚度a相对于包括半导体基板(32)和低浓度杂质层(33
半导体装置模块以及封装

[发明专利]净化剂及其制备方法与应用和净化方法-CN202010306546.5有效
发明人：贾银娟;高焕新;王灿;吴双;杨贺勤;高晓晨 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：，中孔率≥40％；还公开了一种净化剂的制备方法，该方法包括以下步骤：制备比表面积≥1000m2/g，中孔率≥40％的椰壳炭；在水存在下，将上述椰壳炭、水溶性铜源、水溶性锌源、水溶性铝源和沉淀剂进行接触，得到不溶性反应混合物；将不溶性反应混合物进行焙烧；使用本发明的净化剂可用于含有硫杂质、砷杂质和/或磷杂质的气体或液体的净化，净化后气体或液体中硫杂质、砷杂质和磷杂质的含量均在
净化剂及其制备方法应用净化

[发明专利]油呼吸器气源系统-CN200910252941.3无效
发明人：李金龙;王晓元 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： F04B39/16 文献下载
摘要：一种油呼吸器气源系统，用于对油呼吸器供给压缩空气，包括：用于分离压缩空气中固体杂质颗粒的过滤装置，压缩空气经过所述过滤装置过滤后，进入油呼吸器。通过过在油呼吸器气源系统中设置过滤装置，减少了压缩空气中的固体杂质颗粒的数量，避免了固体杂质颗粒进入油呼吸器并堵塞滤芯，提高了油呼吸器的使用寿命。
呼吸器系统

[发明专利]氦气回收用控制系统-CN02819338.5有效
发明人： M·S·A·巴克斯;S·E·杰恩斯;B·T·纽;J·斯莫拉雷克;M·T·埃姆利 -专利权人：普莱克斯技术有限公司
申请日： 2002-07-31 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： B01D53/22 文献下载
摘要：本发明包括一种气体循环系统，包含：a)具有规定纯度的气体源(28)；b)使用所述气体并向所述气体加入杂质的应用系统(6)；c)吸附系统(1)，用于从所述气体中除掉所述杂质从而产生一股净化气和一股废气；d)气体纯度分析器(100)，用于测定所述废气中所述杂质的含量；e)导管(5)、(8)、(9)、(13)和(15)，将气体源(4)连接到所述应用系统(6)，将所述应用系统(6)连接到所述吸附系统。
氦气回收控制系统

[发明专利]半导体的结构-CN200710101187.4有效
发明人：莊学理;郑光茗;孙元成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体的结构，包括：半导体基底；栅极迭层，在该半导体基底上；应力源，其至少一部分在该半导体基底中且邻接该栅极迭层，其中该应力源包括第一导电型的掺杂质；以及一部分的该半导体基底，邻接该应力源，且该部分的该半导体基底与该栅极迭层分别位于该应力源的两侧，其中该部分的该半导体基底被掺杂该第一导电型的掺杂质。
半导体结构

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201710604962.1有效
发明人：前田凉;坂田敏明;竹野入俊司 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：n型漂移区(3)的总杂质量与p型间隔区(4)的总杂质量大致相等，其宽度遍及整个深度方向实质恒定。n型漂移区(3)被设定为使漏极侧的部分(3H)的杂质浓度Cn1比源极侧的部分(3A)的杂质浓度Cn2高ΔCnx而成的n型杂质浓度分布曲线。p型间隔区(4)被设定为使漏极侧的部分(4H)的杂质浓度Cp1比源极侧的部分(4A)的杂质浓度Cp2高ΔCph并且使源极侧的部分(4A)的一部分(4L)的杂质浓度Cp3相对低而成的p型杂质浓度分布曲线。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种在室温环境下向氮化镓中引入杂质的方法-CN201610899050.7在审
发明人：秦国刚;侯瑞祥;李述体;李磊;徐万劲;谢兮兮;宋伟东;肖稼凯 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公布了一种在室温环境下向氮化镓材料引入杂质的方法，将待掺杂的氮化镓材料或器件和固态杂质源都置于利用射频在惰性气体中产生的等离子体中，使固态杂质源的原子和/或离子进入等离子体，杂质原子和/或离子与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能该方法既便捷又经济，其特点是样品表面掺杂浓度较高，可实现超浅深度掺杂，并且可同时引进多种杂质，无刻蚀作用，不仅适用于氮化镓薄膜或晶片的掺杂，还可对部分完成的氮化镓器件进行掺杂。
一种室温环境氮化引入杂质方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610087842.0无效
发明人：安武信昭 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-05-26 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种能够采用硅锗作为pMOS源/漏扩展区、在源/漏上形成硅化物层、以及实现高速工作的半导体器件，包括经由绝缘体形成在半导体衬底的第一导电类型区域内的栅电极；形成在栅电极的侧面上的第一侧壁；形成在第一侧壁的侧面上的第二侧壁；形成在第二侧壁下方，包括第二导电类型的第一杂质层，且包含锗的半导体层；形成在第二侧壁外面的区域内，且包含浓度高于第一杂质层的第二导电类型的杂质的第二杂质层；以及形成在第二杂质层上的硅化物层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200510113350.X无效
发明人：永井隆行 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体装置包括以预定间隔靠近主栅极布置的两个或更多个辅栅极，以及从所述源/漏层端部到靠近主栅极端部连续布置的低浓度层，低浓度层具有与源/漏层相同的电位型，并且具有比源/漏层的杂质浓度低的杂质浓度。
半导体器件

[实用新型]一种吸种装置-CN202222028324.9有效
发明人：江海宇;冯昭裕 -专利权人：广州市纯赢科技有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： A01C7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种吸种装置，应用于育苗播种设备技术领域，通过气源装置为吸头阀体提供负压气源，通过控制气源装置的连通来控制吸种与落种，完成吸种落种后或在进行落种作业时，驱动装置推动设置在吸头阀体的通针，将卡在吸嘴中的杂质顶出，完成清孔，无需人工手动清孔，大大节省了人力，并且避免了因杂质堵塞吸嘴导致的漏播。
一种装置

[发明专利]获得纯化的生物活性异源蛋白的方法-CN200880127098.X有效
发明人：帕莎·海泽瑞;尼特斯·戴夫;薇薇柯南丹·柯南;桑杰·缇瓦瑞;阿努依·戈尔;海瑞斯·伊尔;妮塔·罗伊;克里斯娜莫西·维克特桑;安普·维苏德瓦;阿努帕玛·贾格迪什;戈迪·撒切德威;缪科施·巴布帕·帕特勒 -专利权人：百康有限公司
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C07K14/62 文献下载
摘要：本发明涉及分离和/或纯化杂质，产生不含相关杂质或仅含实质上最低限度量的糖基化杂质的纯化的异源蛋白产品的方法。更具体而言，本发明涉及胰岛素类似物例如甘精胰岛素糖基化形式杂质的鉴别，其特征为在基于酵母的系统例如毕赤酵母属中表达后鉴定。本发明还涉及克隆编码蛋白甘精胰岛素的基因，将相关基因插入到适当的酵母宿主中；产生重组菌株的培养物，刺激异源多肽的表达、分泌和发酵后的纯化，以及有关的酶转化的方法。
获得纯化生物活性蛋白方法

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