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[发明专利]轴承部件-CN202080083344.7在审
发明人：山内清茂;原田隆道;大木力;山田昌弘 -专利权人： NTN株式会社
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C21D9/40 文献下载
摘要：淬火硬化层(15、16、24)包含多个马氏体结晶粒。淬火硬化层中的马氏体结晶粒的总面积的比率为70％以上。马氏体结晶粒被分为第1组和第2组。属于第1组的马氏体结晶粒的结晶粒径的最小值大于属于第2组的马氏体晶粒的最大值。属于第1组的马氏体结晶粒的总面积除以马氏体结晶粒的总面积后得到的值为0.5以上。除了属于第1组的结晶粒径最小的马氏体结晶粒以外，属于第1组的马氏体结晶粒的总面积除以马氏体结晶粒的总面积后得到的值小于0.5。
轴承部件

[发明专利]等离子显示面板的制造方法-CN201080061830.5无效
发明人：上谷一夫;坂元光洋;沟上要;吉田真介 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：制作包含凝集粒子和溶剂的凝集粒子膏剂，所述凝集粒子凝集了多个由氧化镁构成的结晶粒子。制作包含由氧化镁构成的立方体形状的结晶粒子和溶剂的结晶粒子膏剂。然后，通过混合凝集粒子膏剂和结晶粒子膏剂来制作混合结晶粒子膏剂。然后，通过将混合结晶粒子膏剂涂敷在基底层上来形成混合结晶粒子膏剂膜。然后，通过干燥混合结晶粒子膏剂膜而将凝集粒子和结晶粒子分散配置于基底层的整个面。
等离子显示面板制造方法

[发明专利]磁头滑块用材料、磁头滑块及磁头滑块用材料的制造方法-CN200610000382.3有效
发明人：杉浦启;川口行雄;人见笃志 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-01-06 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： G11B5/60 文献下载
摘要：本发明涉及磁头滑块用材料，其由含有氧化铝、碳化钛、及碳的烧结体构成，烧结体中的碳化钛结晶粒的平均结晶粒径大于氧化铝结晶粒的平均结晶粒径。
磁头用材制造方法

[发明专利]一种切削过程再结晶晶粒尺寸预测方法及系统-CN202211590846.6在审
发明人：任小平;凌晨;王雪鹏 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提出了一种切削过程再结晶晶粒尺寸预测方法及系统，涉及切削技术领域，具体方案包括：构建动态再结晶临界应变；通过构建的再结晶软化效应函数，对Johnson‑Cook本构方程进行修正；基于修正后的Johnson‑Cook本构方程，构建再结晶晶粒预测模型；通过构建的再结晶晶粒预测模型，预测最终的动态再结晶晶粒尺寸；本发明基于修正的Johnson‑Cook本构方程和再结晶晶粒尺寸预测模型，进行合金切削过程多尺度变形协同效应下的动态再结晶晶粒尺寸预测；其中，Johnson‑Cook本构方程通过添加再结晶软化效应函数进行修正，再结晶晶粒尺寸预测模型采用再结晶动力学修正方程JMAK，再结晶临界条件不单一采用再结晶温度，而是与应变率、切削温度等相关，提高了切削过程加工应力、应变率和切削温度及表面晶粒尺寸预测精度。
一种切削过程再结晶晶粒尺寸预测方法系统

[发明专利]合金纳米晶粒生长的模拟方法、装置、电子设备及介质-CN202011485958.6在审
发明人：吴艳;熊锦林;陈继兵 -专利权人：武汉轻工大学
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本申请公开了一种合金纳米晶粒生长的模拟方法、装置、电子设备及介质。该方法可以包括：设定初始微观结构，确定模拟的面积，模拟网格大小及模拟时间步长；通过相场法建立合金纳米晶粒生长模型；根据合金数据，分别确定再结晶前和再结晶后的自由能密度函数；将再结晶前和再结晶后的自由能密度函数分别带入合金纳米晶粒生长模型，分别模拟再结晶前的形变组织和再结晶后的合金纳米晶粒，模拟合金纳米晶粒生长。本发明通过再结晶方法获得纳米晶粒，使用连续相场模型，实现模拟真实时空下再结晶过程中纳米多晶合金晶粒生长的过程。
合金纳米晶粒生长模拟方法装置电子设备介质

[发明专利]压电陶瓷及其制法、以及电子部件-CN201580002303.X有效
发明人：福冈修一;江口知宣;中久保仁 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2015-08-29 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：压电陶瓷(1)具有：由含Zn以及Bi的锆钛酸铅系结晶构成的多个结晶粒子(2)、和存在于多个结晶粒子(2)间的结晶晶界(3)，多个结晶粒子(2)包含结晶粒子(2)的内部的Zn以及Bi当中至少任意1种元素的含有量少于包含与该结晶粒子(2)相接的结晶晶界(3)的区域中的元素的含有量的第1结晶粒子(2a)。
压电陶瓷及其制法以及电子部件

[发明专利]纳米复合热电转换材料及其制造方法-CN201180006246.4有效
发明人：村井盾哉;木太拓志 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L35/26 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米复合热电转换材料(1)，其中基体具有多晶结构，并且其中存在具有不同组成的结晶晶粒(10)和结晶晶粒边界相(12)，并且其中相同类型的声子散射颗粒(14)分散在所述结晶晶粒(10)和所述结晶晶粒边界相
纳米复合热电转换材料及其制造方法

[发明专利]溅射靶及其制造方法-CN02821545.1有效
发明人：福岛笃志 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2002-07-30 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供通过型锻制造的溅射靶，其特征在于，平均结晶粒径最大的部分的平均结晶粒径D与平均结晶粒径最小的部分的平均结晶粒径d的关系为1.0＜D/d＜2.0。另外提供通过改良和钻研锻造工序和热处理工序，使结晶粒径微细和均匀，可以稳定制造特性优异的溅射靶的方法，以及由该方法得到的品质优异的溅射靶。
溅射及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法-CN200410055682.2有效
发明人：小路博信;下村明久;古山将树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-08-02 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种使用用于促使结晶的金属元素来控制晶向的结晶方法，其中对具有对准的晶向的结晶半导体膜辐照脉冲激光一次以形成具有小晶粒的结晶半导体膜，在相邻晶粒中对准晶向的有序间隔以栅格图形形成小晶粒本发明的又一目的是提供一种用于制造结晶半导体膜的方法。鉴于上述目的，本发明提供一种具有以栅格图形形成晶粒的结晶半导体膜，其中相邻的晶粒中晶向对准，并还提供具有该结晶半导体膜的薄膜晶体管。特别地在本发明中，为形成具有相邻晶粒中对准晶向的晶粒，将用于促使结晶的金属元素选择性地添加，以形成结晶半导体膜并且此后优选地辐照脉冲激光。
半导体器件以及用于制造方法

[发明专利]等离子显示面板的制造方法-CN200980100060.8无效
发明人：石野真一郎;沟上要;坂元光洋;盐川晃;加道博行;大江良尚;河原崎秀司;上谷一夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-03-10 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子显示面板的制造方法，保护层(9)如下构成：在将基底膜(91)蒸镀在介质层(8)上之后，将通过分散由金属氧化物组成的结晶粒子(92a)得到的结晶粒子膏涂布在该基底膜上，来形成结晶粒子膏膜，其后，烧结基底膜和结晶粒子膏膜。通过该方法，能使多个结晶粒子分布附着在整个面上。而且，结晶粒子膏在剪切速度为1.0s-1下的粘度为1Pa·s以上且30Pa·s以下的范围。
等离子显示面板制造方法

[发明专利]预测钛合金等温成形与动态再结晶演化耦合响应的方法-CN201610517073.7有效
发明人：李宏伟;孙新新;张宁;杨合 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种预测钛合金等温成形与动态再结晶演化耦合响应的方法，将得到的钛合金等温成形过程中晶粒的应力响应、晶粒间不均匀变形及其导致的不均匀位错密度作为变量传递给元胞自动机，得到该晶粒尺度不均匀变形条件下的动态再结晶演化，获得动态再结晶形核、长大的组织形态及其导致的晶界演化和更新的位错密度。将获得的动态再结晶形核及长大等晶粒与晶界信息及位错密度返回晶体塑性有限元方法，更新每个晶粒单元的位错滑移抗力，从而影响钛合金的后续变形，并通过本构关系计算晶粒尺度的应力响应。本发明实现了钛合金等温成形晶粒尺度不均匀变形、动态再结晶组织形态演变、再结晶晶粒尺寸演化、再结晶动力学、变形体和晶粒的流变应力的同步预测。
预测钛合金等温成形动态再结晶演化耦合响应方法

[发明专利]多孔质陶瓷部件及其制作方法以及过滤器-CN200980133200.1有效
发明人：立川泰治;重冈俊昭;西川祐介;高坂祥二 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：其特征在于，具备：由含有Al、Ti及O的单一的结晶构成的单结晶粒子(11)；和由结晶轴的方向不同的多个所述结晶构成的多结晶粒子(12)，单结晶粒子(11)彼此之间及单结晶粒子(11)和多结晶粒子(12)
多孔陶瓷部件及其制作方法以及过滤器

[发明专利]铜合金板及其制备方法-CN200910253107.6有效
发明人：高维林;须田久;成枝宏人;菅原章 -专利权人：同和金属技术有限公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明涉及铜合金板及其制备方法，提供了一种铜合金板材，具有含1.2-5.0wt％钛的化学组成，其余组分是铜和不可避免的杂质，其中：所述铜合金板材具有5-25μm的平均结晶粒径；(最大结晶粒径-最小结晶粒径)/(平均结晶粒径)不大于0.20；设定平均值的最大值是最大结晶粒径，所述最大值中的每一个是对应于许多区间中的一个的结晶粒径平均值，所述区间是从铜合金板材表面随机选择的，具有相同形状和尺寸；所述平均值的最小值是最小结晶粒径；所述平均值的平均值是平均结晶粒径；和所述铜合金板材具有满足I{420}/I0{420}＞1.0的结晶定向，设定铜合金板材表面上的{420}晶体平面上的X光衍射强度是I{420}，纯铜标准粉末的{420
铜合金及其制备方法

[发明专利]电介体陶瓷及层叠陶瓷电容器-CN201110059314.5有效
发明人：村木智则;中村友幸;松田真;盐田彰宏 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：结晶结构具有不同的第一结晶粒子(1)与第二结晶粒子(2)混合而成的混晶系结构。主相粒子以钛酸钡系化合物作为主成分，含有La、Ce等特定的稀土类元素。第一结晶粒子(1)由在主相粒子中没有固溶特定的稀土类元素R的主相粒子单独区域(3)、和特定的稀土类元素R固溶于主相粒子中的表层部的稀土类元素固溶区域(4)构成。第二结晶粒子(2)具有芯/壳结构，壳部(6)的特定的稀土类元素R固溶于主相粒子中。而且，对于第一及第二结晶粒子(1、2)相对于总结晶粒子的个数比例，第一结晶粒子(1)为12～84％，第二结晶粒子(2)为16～88％。
电介体陶瓷层叠电容器

[发明专利]等离子显示面板的制造方法-CN200980000257.4无效
发明人：宫前雄一郎;横田和弘;石野真一郎;坂元光洋;沟上要;河原崎秀司;大江良尚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-03-06 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：一种等离子显示面板的制造方法，其保护层由如下方式构成：在所述电介体层上蒸镀基底膜后，通过在所述基底膜上涂敷结晶粒子糊剂而形成结晶粒子糊剂膜，然后，通过将所述结晶粒子糊剂膜加热而除去溶剂，使多个结晶粒子以遍及整个面而分布的方式附着，所述的结晶粒子糊剂是在属于含醚键的脂肪族醇系溶剂或者2元以上的醇系溶剂的任一溶剂中分散有多个包含金属氧化物的结晶粒子的糊剂。
等离子显示面板制造方法

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