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[发明专利]一种镀膜控制方法及系统-CN202210330655.X在审
发明人：张晴晴;俞菲;汤宝;熊永华;胡强高 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种镀膜控制方法及系统，所述方法包括：基于镀膜参数进行镀膜处理；在镀膜过程中，获取镀膜材料上至少一个目标区域的监测参数；根据所述监测参数得到对应于所述至少一个目标区域的监测曲线；根据所述监测曲线和标准曲线，对所述镀膜参数进行实时调整。
一种镀膜控制方法系统

[实用新型]一种连续式电阻电子束蒸发镀膜装置-CN202320735328.2有效
发明人：韩辉;林启璇;范志鹏;王超;张松林 -专利权人：成都超迈光电科技有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续式电子束蒸发镀膜装置，包括镀膜伞工件盘，还包括进料仓、镀膜仓、出料仓，所述进料仓、镀膜仓、出料仓依次排布，所述镀膜仓与进料仓、出料仓之间连通。本发明中，通过进料仓、镀膜仓、出料仓之间的隔断阀保证镀膜仓在工作中全程保持真空的状态，可以连续的对下一批次待加工物料进行加工，节约了重复抽真空，提高了镀膜的效率。
一种连续电阻电子束蒸发镀膜装置

[发明专利]PbSe红外探测薄膜及其制备方法以及红外探测器-CN202310853012.8在审
发明人：刘一臻;牛晓滨;孙辉 -专利权人：电子科技大学;成都信息工程大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种PbSe红外探测薄膜及其制备方法以及红外探测器，该PbSe红外探测薄膜的制备方法包括：采用预敏化的靶材通过物理气相沉积法在基板上沉积PbSe薄膜。预敏化的靶材通过预敏化而在靶材中掺入氧化性元素，则进一步通过物理气相沉积即可在各类基底上直接制备出元素分布均匀的敏化PbSe薄膜，进而无需再进行高温敏化步骤，即避免了高温过程下造成的元素偏析，同时也克服了因为高温限制而导致无法在柔性有机材料等衬底上的缺陷，便于与现代电子制造技术兼容。因此，该PbSe红外探测薄膜的制备方法简化了PbSe红外探测器的制备工艺，极大的降低了成本，为PbSe应用于大面积高精度柔性可穿戴红外探测器提供了可能性。
pbse 红外探测薄膜及其制备方法以及红外探测器

[发明专利]一种防止微型电容器基膜烫伤的电子枪装置及防烫伤方法-CN202310707279.6在审
发明人：包中敢 -专利权人：上海邦妙真空科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止微型电容器基膜烫伤的电子枪装置，包括发射腔，所述发射腔一侧安装有分子泵和发射组件，另一侧开有发射口，所述发射组件的外侧罩有保护罩，所述保护罩固定连接接口法兰，所述发射口外侧连通发射通道，所述发射通道一端固定连接发射腔，所述发射通道另一端连接聚焦通道，所述聚焦通道上套有聚焦线圈，所述聚焦线圈连接聚焦线圈冷却套一侧，所述聚焦线圈冷却套另一侧连接基座法兰，所述基座法兰连接隔板，所述聚焦通道另一端设有偏转通道，所述偏转通道连接隔板，所述偏转通道上安装有偏转线圈。本装置运用于真空镀膜机中，可对基膜进行电子束轰击，使基膜被动带电，电荷量足够且均匀，可使基膜紧密均匀的吸附在主轮毂上。
一种防止微型电容器烫伤电子枪装置方法

[发明专利]一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片-CN202310603579.X有效
发明人：李文涛;鲁洋;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明提供一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片，该方法通过提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材，预融后的Ni金属靶材用于蒸镀至外延片上，其中，在预融处理中，控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率，再以第一预设功率阶段式降低至第二预设功率，后将预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上，以得到附着于衬底上的超薄Ni金属，使得超薄Ni金属作为Ag反射镜的粘附层时，反射镜的反射率大幅提高。
一种电子束超薄 ni 金属方法倒装 led 芯片

[发明专利]一种线性渐变窄带滤光片的制备方法-CN202310623780.4在审
发明人：金波;艾曼灵;闫昱虹;吴江波;顾培夫 -专利权人：杭州科汀光学技术有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开一种线性渐变窄带滤光片的制备方法，基板为条状玻璃，膜厚分布的线性渐变特性是通过调节真空蒸发系统的几何配置即条状玻璃基板和膜料蒸发源之间的相对位置来实现的。几何配置主要包括：条状玻璃基板平面和蒸发源蒸发平面之间的距离h，蒸发源中央与基板旋转中心轴之间的距离L及夹具盘条状玻璃基板上选取的任一膜厚考察点离旋转中心轴之间的距离ρ。膜厚分布就是要计算出不同的几何配置h/L下膜厚比t/t0与ρ/L的关系。在h/L1.5的情况下，t/t0随ρ/L的变化当ρ/L0.8时呈现出非常好的线性关系，因而可获得膜厚连续线性渐变的各种滤光片。h/L常选1.5～2.5，本发明优选h/L＝1.8。滤光片选用三腔法布里‑珀珞结构。
一种线性渐变窄带滤光制备方法

[发明专利]一种电子束蒸发用气管集成式的穴状坩埚-CN202310688492.7在审
发明人：梁变变;杨峰;寇洋;黄康;程鹏;刘新宇;张梦蝶 -专利权人：齐鲁中科光物理与工程技术研究院
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明涉及电子束蒸发镀膜设备技术领域，尤其公开了一种电子束蒸发用气管集成式的穴状坩埚，包括坩埚，坩埚内设有反应室，所述反应室的外侧绕其轴线环形设有第一通孔，所述坩埚底部设有匀气盖板，与传统技术相比，本技术方案通过在每个反应室的四周设置环形分布的第一通孔，以及匀气盖板与分流装置贴合连接的方式，实现了第一腔室内的反应气体和第二腔室的惰性气体均可以均匀的通入到反应室内，保证了反应室内温度均匀和材料氧化充分，以及减少了在设备破空时外界空气对材料的污染。
一种电子束蒸发气管集成坩埚

[发明专利]一种无界面高激光损伤阈值薄膜及其制备方法-CN202110668586.9有效
发明人：陈笑迎;游丽君;赵丽丽;宋力昕;王枫;郑刚 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种无界面高激光损伤阈值薄膜及其制备方法。该制备方法包括：对于总膜层数为N的膜系结构，N≥2；设第n层的物理厚度为dn，并将第n层划分为等厚的两小层na和nb，两小层的厚度均为dn/2，其中，na靠近基底一侧，nb远离基底一侧；将基底进行清洗，并在洁净室中烘干；在两个蒸发源位置分别放入相应镀膜材料，开始镀膜；待真空室温度自然冷却至室温后将其取出。
一种界面激光损伤阈值薄膜及其制备方法

[实用新型]真空镀膜腔及真空镀膜系统-CN202320005444.9有效
发明人：谢斌平;王天邻;陈飞;杨贺鸣 -专利权人：费勉仪器科技（上海）有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本公开提供了一种真空镀膜腔及真空镀膜系统，真空镀膜腔包括：真空腔体；至少一组镀膜源接口，每组镀膜源接口包括：第一镀膜源接口，设置在真空腔体的侧壁上并且与真空腔体连通；以及第二镀膜源接口，设置在真空腔体的侧壁上并且与真空腔体连通，其中第一镀膜源接口和第二镀膜源接口被配置为位于镀膜表面的同侧。
真空镀膜系统

[实用新型]用于电子束蒸镀的容纳装置、蒸镀源及真空镀膜系统-CN202320012811.8有效
发明人：谢斌平;陈飞;郭维 -专利权人：费勉仪器科技（上海）有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于电子束蒸镀的容纳装置，包括：真空腔体，真空腔体包括：容纳段，用于与电子束蒸镀装置真空密封连接并且容纳电子束蒸镀装置的至少一部分；以及输出段，与容纳段连通，用于输出源材料的束流；以及冷却装置，与容纳段和/或输出段热耦合，用于对容纳段和/或输出段进行冷却。
用于电子束容纳装置蒸镀源真空镀膜系统

[发明专利]一种具有自组装孔洞结构掺铟β相氧化镓薄膜的制备方法-CN202310919979.1在审
发明人：任卫;李雪梅;周倩;夏军波;徐通;张林基 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明属于半导体薄膜材料制备领域，具体公开了一种具有自组装孔洞结构掺铟β相氧化镓薄膜的制备方法，本发明首先使用电子束蒸发镀膜机以氧化镓和氧化铟颗粒为蒸发料在衬底上进行蒸发镀膜，按照氧化镓‑氧化铟‑氧化镓的蒸镀顺序形成“三明治结构”，然后通过在氮气氛围中控制薄膜的退火温度，得到孔洞尺寸与密度不同的β相氧化镓薄膜，所得到的具有自组装孔洞结构的掺铟β相氧化镓薄膜结晶度高、成膜质量好且光学性能优异。
一种具有组装孔洞结构氧化薄膜制备方法

[发明专利]一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用过渡层及其制备方法-CN202310810251.5在审
发明人：蒋洪川;裴伟钦;赵晓辉;邓新武;张羽;孙宁恺 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明属于薄膜传感器设计与生产技术领域，具体为一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用过渡层及其制备方法。是利用Zr元素在高温环境下的扩散作用，使ZrC薄膜中Zr元素向C/SiC复合材料基底方向扩散，形成从上至下Zr含量逐渐减少、C含量逐渐增加的ZrxC1‑x不定形陶瓷相，以此作为渐变陶瓷层，实现由C/SiC复合材料的低热膨胀系数到ZrC的高热膨胀系数的过渡。利用ZrSi2在1400℃以上高温下氧化，产生具有SiO2‑ZrSiO4玻璃相陶瓷的自修复效应，修复ZrSi2薄膜在高温氧化过程中产生的空洞以及微裂纹，实现传感器抗热震、抗热蚀性能的提升，提高绝缘层的抗热震性能和传感器的高温稳定性。
一种 sic 复合材料基底薄膜传感器用过渡及其制备方法

[发明专利]一种基于结构色的迷彩隐身蒙皮及其制备方法-CN202310575944.0在审
发明人：虞益挺;赵建村;霍怡惠;仰钧毅 -专利权人：西北工业大学宁波研究院;西北工业大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于结构色的迷彩隐身蒙皮，包括从下到上依次设置的基底层、第一反射层、中间介质层、第二反射层和顶层保护层，第一反射层的材料选自Al、Ag或Au中的一种，本发明还提供了基于结构色的迷彩隐身蒙皮的制备方法，与现有技术相比，本发明制得的基于结构色的迷彩隐身蒙皮性能稳定，耐辐射，使用寿命长，颜色定制化能力强，可定制多种颜色，同时，本发明迷彩蒙皮制备原料易得，制备方法简单，不仅能实现批量化制备，而且绿色环保、无污染。
一种基于结构迷彩隐身蒙皮及其制备方法

[发明专利]一种使用单一坩埚蒸镀厚铬金属层的方法-CN202011541707.5有效
发明人：徐晓强;程昌辉;吴向龙;闫宝华;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明提供一种使用单一坩埚蒸镀厚铬金属层的方法；使用单一坩埚，通过电子束和坩埚位置的调整，实现了将每次蒸镀形成的翘曲层重新打散成颗粒，然后继续进行蒸镀，以此完成了金属Cr厚膜层的蒸镀。本发明方法克服了制备厚金属Cr层需要通过多坩埚蒸镀的弊端，通过调整蒸镀过程中金属源表面形态，以较简单的方法、较低的成本、使用单一坩埚即可有效实现厚金属Cr层的制备。
一种使用单一坩埚蒸镀厚铬金属方法

[发明专利]一种微光夜视兼容滤光膜的制备方法-CN202310790308.X在审
发明人：唐乾隆;査家明;李斯成;汶韬;陆丹枫;颜刘兵;石成 -专利权人：江苏北方湖光光电有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种微光夜视兼容滤光膜的制备方法，所述制备方法得到的夜视兼容滤光膜中包括主膜系和辅助膜系，在不改变夜视兼容滤光膜透射光谱性能的前提下，将夜视兼容滤光膜分解成主膜系和辅助膜系，在透镜的两个表面分别镀制，降低膜层厚度相对灵敏度，便于制备。确定膜系基本结构为：主膜系滤光膜/基材/辅助膜系滤光膜，其中所述基材是K9、ZF88等玻璃材料，所述主膜系滤光膜、辅助膜系滤光膜中采用高折射率膜层Ta2O5和低折射率膜层SiO2交替成膜制备而成。对夜视兼容滤光膜的主膜系设计进行结构创新。主膜系结构采用两个腔层的F‑P结构+长波通结构在一个膜系中实现。
一种微光兼容滤光制备方法

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