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[发明专利]一种基于乙醇水溶液受激拉曼散射的双波长激光器-CN201811228955.7有效
发明人：王正平;吴志心;许心光;孙洵;顾庆天;徐明霞;张立松 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01S3/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于乙醇水溶液受激拉曼散射的双波长激光器，包括沿光路依次安放的泵浦源、光阑、第一窗片、拉曼盒、第二窗片、第一滤色片，第一窗片、拉曼盒、第二窗片依次密封连接，拉曼盒内盛放有乙醇水溶液。泵浦源产生激光，经过光阑、第一窗片，入射到盛放有乙醇水溶液的拉曼盒中，乙醇和水同时分别产生受激拉曼激光，构成具有频率差的双波长受激拉曼激光，第一滤色片滤掉泵浦光，透射所需要的双波长激光。本发明泵浦源与工作介质的选择范围宽、波长选用灵活。抗光伤阈值高。激光口径、介质长度灵活。成本低廉。便于生产，调试简单。应用广泛，可用于精细激光光谱、差分吸收激光雷达、激光通信、环境检测、光纤通信、非线性光学频率变换等。
一种基于乙醇水溶液受激拉曼散射波长激光器

[发明专利]一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法-CN201611175554.0有效
发明人：李伟东;丁建旭;顾庆天;王圣来;许心光;余波 -专利权人：山东大学
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C30B29/14 文献下载
摘要：本发明涉及了一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法。利用KDP不溶于正己烷和氯仿的特性，以及正己烷密度小于水的密度，水的密度小于氯仿的密度这种物理性质，将残存在晶体表面的水溶液清除掉，保证生长台阶形貌的完整性、准确性，安全有效的保存晶体。有机溶剂在使用前，尽量加热到与生长溶液相似的温度，避免温度差过大造成晶体的开裂。本发明能够完全的避免在去除晶体表面所附着的水溶液时所带来的破坏，不会造成晶体表面残留溶质的再结晶以及表面结构的破坏。可以减少实验测试时寻找完整干净表面带来的工作难度，保证生长台阶形貌的完整性和准确性。
晶体表面形貌水溶液生长正己烷氯仿表面结构干净表面工作难度生长溶液实验测试物理性质有机溶剂晶体的温度差再结晶生长不溶附着溶质加热去除残留保证保存安全

[发明专利]一种易碎裂大尺寸单晶切割固定设备及其工作方法-CN201110159074.6无效
发明人：许心光;李毅平;孙洵;王圣来;王正平;顾庆天;王光林;齐开亮 -专利权人：山东大学
申请日： 2011-06-14 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种易碎裂大尺寸单晶切割固定设备及其工作方法，属于单晶材料加工技术领域。切割固定设备利用磁力器研制而成；防止成型碎裂的方法是：切割前，将待切割晶体放置在相对恒温的切割机室内，室内昼夜温差为±1℃，放置7-10天；将待切割晶体放在垫板上，将切割固定设备固定在切割机载物台上，使垫板固定；利用切割固定设备上的螺杆多点或小接触面接触晶体，使晶体固定，调整好晶体角度；在待切割成型坯片一端设置橡胶垫和挡板，挡板固定在载物台上，在待切割成型坯片最容易碎裂的上下边沿不影响坯片成型处，胶贴有机玻璃条、玻璃条或钢锯条；切割完成的成型坯片安全取出，将无用部分切除。本发明有效解决了晶体切割前的固定和成型坯片易碎裂的问题。
一种易碎尺寸切割固定设备及其工作方法

[实用新型]一种用于加工方形块状晶体材料样品的研磨抛光夹具-CN200820172109.3无效
发明人：牟晓明;王圣来;许心光;孙洵;顾庆天;李毅平;王波;孙绍涛;卢永强;孙云 -专利权人：山东大学
申请日： 2008-09-24 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： B24B7/00 文献下载
摘要：一种用于加工方形块状晶体材料样品的研磨抛光夹具，属于工装夹具技术领域，由工件夹持钳和准直套筒及配重支架组成，工件夹持钳与配重支架采用键槽配合安装在准直套筒内，工件夹持钳与配重支架的轴线平行于准直套筒的轴线，准直套筒与研磨机工作平面接触的端面垂直于套筒轴线，准直套筒的准直导轨与工件夹持钳和配重支架的准直导轨槽都平行于套筒轴线，工件夹持钳内用来放置工件的方孔内壁两两交线平行于准直套筒的轴线。工件夹持钳的圆柱面上设有准直导轨槽、紧固螺丝和垫板，配重支架的圆筒面上设有准直导轨槽和标尺，准直套筒内壁上设有准直导轨，其与研磨机工作面接触一端设有排污口。本实用新型结构简单，使用方便，性能可靠，使用寿命长。
一种用于加工方形块状晶体材料样品研磨抛光夹具

[发明专利]大尺寸磷酸二氢钾晶体切割固定设备和防止成型坯片碎裂的方法-CN200810015805.8无效
发明人：许心光;李毅平;孙洵;王圣来;王正平;顾庆天;王光林;齐开亮 -专利权人：山东大学
申请日： 2008-04-21 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：大尺寸磷酸二氢钾晶体切割固定设备和防止成型坯片碎裂的方法，属于人工晶体材料加工技术领域。切割固定设备是利用工业磁力起重器改制而成；防止成型碎裂的方法是：切割前，将待切割KDP晶体放置在相对恒温的切割机室内，室内昼夜温差为±1℃，放置7－10天；将待切割晶体放在垫板上，将切割固定设备固定在切割机载物台上，使垫板固定；利用切割固定设备上的螺杆多点或小接触面接触晶体，使晶体固定，调整好晶体角度；在待切割成型坯片一侧设置橡胶垫和挡板，挡板固定在载物台上，在待切割成型坯片的上下边沿不影响坯片成型处，胶贴有机玻璃条、玻璃条和钢锯条；切割完成的成型坯片安全取出，无用部分切除。本发明解决了晶体的固定和成型坯片易碎裂问题。
尺寸磷酸二氢钾晶体切割固定设备防止成型碎裂方法

[发明专利]一种大截面磷酸二氢钾类单晶体的生长方法及装置-CN03139027.7无效
发明人：王圣来;房昌水;李毅平;顾庆天;孙洵;高樟寿;王波 -专利权人：山东大学
申请日： 2003-09-01 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：一种大截面磷酸二氢钾类单晶体的生长方法及装置，属于晶体生长技术领域。原料为固体KDP类晶体的粉状原料，生长溶液是以水或重水为溶剂配置的溶液，籽晶采用与生长晶体相同的透明Z切晶片固定到载晶架上，固体KDP类晶体原料加入生长容器底部，加挡板，配制好的溶液经超细微孔滤膜过滤后加入容器中，分别控制晶体生长容器的两个温区的温度，采用恒温法并结合降温法生长大截面KDP类晶体。生长装置是在晶体生长容器中设有一挡板将容器隔成两部分，形成高、低两个温区，挡板上有小孔。本发明生长工艺容易实现，设备简单，可获得高质量大截面磷酸二氢钾类单晶体。
一种截面磷酸二氢钾类单晶体生长方法装置