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[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件-CN201280006501.X有效
发明人：寺本章伸;神林宏;上田博一;两角友一朗;原田豪繁;长谷部一秀;大见忠弘 -专利权人：国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社;富士电机株式会社
申请日： 2012-01-23 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。
半导体器件制造方法

[发明专利]微空腔的内壁面处理方法-CN201380075653.X在审
发明人：酒井健;吉田达郎;平塚亮辅;石川俊;大见忠弘;长谷部类;高野顺;菊山裕久;山本雅士 -专利权人：国立大学法人东北大学;斯泰拉化工公司
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供一种孔的内壁面处理方法，即使要被处理的基体中设置的孔是窄而深的孔，仍能可靠地进行蚀刻和清洗。对设置有基体(100)且可减压的处理空间进行减压，其中该基体在其内部具有被施予处理液(106)的表面以及在该表面中具有开口(110)的微空腔(104)；然后向该被减压的处理空间导入处理液(106)，以处理微空腔(104)的内壁面。这里，该微空腔(104)的纵横比(l/r)为5或更大，或者纵横比小于5且V/S(V：微空腔的容积、S：开口的面积)为3或更大。
空腔内壁处理方法

[发明专利]气化器-CN201280047608.9有效
发明人： 大见忠弘;白井泰雪;永濑正明;山下哲;日高敦志;土肥亮介;西野功二;池田信一;平尾圭志 -专利权人：株式会社富士金;国立大学法人东北大学
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供能够使气化器内的压力的举动稳定的气化器。本发明的气化器具备：腔，其具备流入口以及流出口；加热装置，其加热该腔内；隔壁构造体(13)，其设于该腔内，并将该腔内的液体材料划分到多个区划；以及液体流通部(20)，其设于隔壁构造体(13)的下部，以容许利用隔壁构造体(13)划分的各区划之间的液体流通，所述隔壁构造体具有格子状、蜂窝状、网孔状、或管状的隔壁。
气化

[发明专利]气体排气用泵系统和气体排气方法-CN201280038084.7无效
发明人：大山健二;阿久津功;岩城征道;大见忠弘 -专利权人：国立大学法人东北大学
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： F04C27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制密封气体混入工艺气体并且也能够降低密封气体的使用量的气体排气用泵系统。本发明的气体排气用泵系统具有主体泵和副泵。主体泵包括：螺杆转子；旋转轴，其以旋转自如的方式卡合于用于使螺杆转子旋转的旋转驱动部件；夹持部件，其以使旋转轴旋转自如的方式夹持旋转轴；润滑油供给通路，其具有用于向夹持部件注入润滑油的注油口；密封壳体，其与旋转轴的外周面之间空开规定的间隙，该密封壳体覆盖旋转轴的没有被夹持部件夹持的部分的周围；密封构件，其以围绕旋转轴的整周的方式架设在旋转轴与密封壳体之间；密封气体供给通路，其具有用于向间隙供给密封气体的供给口；以及密封气体排气通路，其具有用于将密封气体自间隙向主体泵之外排出的密封气体吸口。副泵是用于对密封气体排气通路进行减压的泵。
气体排气系统方法

[发明专利]排气用泵的定子及其制造方法、以及具备所述定子的泵及其制造方法及组装方法-CN201280036240.6无效
发明人：岩城征道;大见忠弘;大山健二;阿久津功 -专利权人：国立大学法人东北大学
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： F04C18/16 文献下载
摘要：本发明提供即便使螺杆转子与定子的间隙的宽与以往相比格外狭小也可以充分确保旋转的安全性、可以大幅提高泵的排气性能的定子。本发明的定子（106）以由加工成定子用的不锈钢等金属形成的基材为构成母体，在基材的与螺杆转子的齿的前端面（201）相对向的内壁面（203）上设置有PFA膜。PFA膜为通过在内壁面（203）上涂装PFA后，经过熔融与再熔融的过程而形成，从而赋予其自由表面以高平滑性。本发明的定子以定子（106）的内壁面（203）与螺杆齿槽部（103）的齿的前端面（201）之间存在间隔的方式被配置。对于内壁面（203）上的PFA膜的自由表面与前端面（201）的间隔的宽，通过按规定设置有本发明的PFA膜，从而可以比以往更加狭小。
排气定子及其制造方法以及具备组装

[发明专利]半导体装置-CN201310334981.9无效
发明人： 大见忠弘;寺本章伸;黑田理人 -专利权人：国立大学法人东北大学;财团法人国际科学振兴财团
申请日： 2009-04-10 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在反型晶体管或本征型晶体管、以及半导体层的积累层电流控制型积累型晶体管中，由于杂质原子浓度的统计偏差，阈值电压的偏差在微细化世代变大，难以确保LSI的可靠性。可以得到通过控制半导体层的膜厚和杂质原子浓度而形成的大电流控制积累型晶体管，使得耗尽层的厚度大于半导体层的膜厚。例如，通过使半导体层的膜厚为100nm并且杂质浓度高于2×1017[cm-3]，阈值偏差的标准偏差可以小于电源电压的偏差。
半导体装置

[发明专利]一种太阳能电池的制造方法-CN201310351564.5无效
发明人：若山惠英;茂山和基;大见忠弘;寺本章伸 -专利权人：国立大学法人东北大学
申请日： 2009-02-10 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，准备具有导电性表面的基材；对该导电性表面实施物理清洗，接着依次实施与超声波清洗合并进行的碱清洗、与超声波清洗合并进行的纯净水清洗以及与超声波清洗合并进行的臭氧水清洗，由此清洗该导电性表面；随后在该清洗过的导电性表面上直接设置n型、i型、p型结构的半导体薄膜；接着，在p型结构的半导体薄膜的外表面设置透明电极之后，利用氮化物系的水分扩散防止膜覆盖所述半导体薄膜的光入射侧和侧面。
一种太阳能电池制造方法

[发明专利]硅晶片的原子级平坦化表面处理方法及热处理装置-CN201280000929.3无效
发明人： 大见忠弘;寺本章伸;诹访智之 -专利权人：国立大学法人东北大学
申请日： 2012-04-05 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明为表面由单原子层的台阶形成有呈阶梯状的多个平台的硅晶片，在所述晶片中不存在滑移线。
晶片原子平坦表面处理方法热处理装置

[发明专利]氮化镓系半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201280004925.2无效
发明人：神林宏;寺本章伸;大见忠弘 -专利权人：先进动力设备技术研究协会;国立大学法人东北大学
申请日： 2012-01-23 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种用于制造氮化镓系半导体装置的半导体装置的制造方法，所述制造方法包括以下工序：第1半导体层形成工序，形成由氮化镓系半导体形成的第1半导体层；以及凹进部形成工序，使用溴系气体通过微波等离子工艺对第1半导体层的一部分进行干式蚀刻，从而形成凹进部。
氮化半导体装置制造方法

[发明专利]金属垫片-CN201280004505.4有效
发明人： 大见忠弘;白井泰雪;佐藤広嗣;内野良则;岩城征道 -专利权人：国立大学法人东北大学;日本华尔卡工业株式会社
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： F16J15/08 文献下载
摘要：提供一种能以比现有技术小的紧固力发挥出与现有技术相比同等以上的较高密封性的金属垫片。其是由形成有周向的开口且截面呈大致C字状的环状的外环和嵌装于该外环内侧的环状的内环构成，并通过在安装于构件间的状态下沿上下方向被按压来对构件间进行密封的环状的金属垫片，内环的截面形成为多边形，包括：与外环的内侧面的上侧抵接的上侧角部；与外环的内侧面的下侧抵接的下侧角部；以位于上侧角部与下侧角部之间的方式形成于内环的内周侧的内周侧角部；以及以位于上侧角部与下侧角部之间的方式形成于内环的外周侧的外周侧角部，在上侧角部与内周侧角部及外周侧角部之间、下侧角部与内周侧角部及外周侧角部之间分别形成有内角比180°大的弯曲部。
金属垫片

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201280004168.9无效
发明人：神林宏;寺本章伸;大见忠弘 -专利权人：先进动力设备技术研究协会;国立大学法人东北大学
申请日： 2012-01-23 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：提供一种半导体装置的制造方法，其具有：第1牺牲层形成工序，形成与第1半导体层的至少一部分接触、第1半导体层中所包含的杂质的固溶度比第1半导体层高的第1牺牲层；退火工序，对第1牺牲层及第1半导体层进行退火；除去工序，用湿法工艺除去第1牺牲层；形成覆盖第1半导体层的至少一部分的绝缘层的工序，及对第1半导体层的一部分进行蚀刻的工序的至少一个工序；形成与第1半导体层电性地连接的电极层的电极形成工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]多层布线基板-CN201180054307.4无效
发明人： 大见忠弘;后藤哲也;桥本昌和 -专利权人：国立大学法人东北大学;日本瑞翁株式会社
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种多层布线基板(100)，其将高密度布线区域和高频传输区域安装于同一基板上，其中，作为至少高频传输区域使用的绝缘层的材料，通过使用介质损耗角正切(tanδ)小于0.01的树脂材料，使得能够在高频传输区域传输40GHz以上的信号频率。绝缘层由聚合性组合物形成，所述聚合性组合物含有：环烯烃单体、聚合催化剂、交联剂、具有2个亚乙烯基的双官能化合物及具有3个亚乙烯基的三官能化合物，且所述双官能化合物和所述三官能化合物的含有比例以重量比的值(双官能化合物/三官能化合物)计为0.5～1.5。
多层布线

[发明专利]SOI基板的蚀刻方法以及SOI基板上的背面照射型光电转换模块及其制作方法-CN201180054435.9无效
发明人： 大见忠弘;大桥朋贡;吉川和博;吉田达朗;内村彻平;添田一喜;须川成利 -专利权人：国立大学法人东北大学
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明课题在于提供SOI基板的蚀刻方法，该方法是能够高速且平整地湿式蚀刻Si基板的蚀刻方法。氢氟酸-硝酸一般写作HF（a）HNO3（b）H2O（c）（其中，a、b和c的单位为wt%，a+b+c=100）。本发明人等发现，通过适当地选择组成，使用高浓度氢氟酸-硝酸的SiO2层的蚀刻速率明显比Si基板的蚀刻速率低，对Si基板进行蚀刻直至SiO2层露出。通过如此操作，可以高速地蚀刻Si基板，并且相比以往可显著地提高蚀刻后的表面的平整性。即使高浓度氢氟酸-硝酸的组成稍微蚀刻了SiO2层，由于Si基板的蚀刻快速完成，所以实质上SiO2层的蚀刻也基本不进行，具有平整表面的SiO2层露出。
soi 蚀刻方法以及基板上背面照射光电转换模块及其制作方法

[发明专利]阴极体、荧光管、以及阴极体的制造方法-CN201180042487.4无效
发明人： 大见忠弘;后藤哲也;石井秀和 -专利权人：国立大学法人东北大学
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01J61/06 文献下载
摘要：本发明提供一种阴极体，其具有：作为基体的圆筒形杯（30）；设置在圆筒形杯（30）的表面的具有SiC的阻挡层（303）；以及形成在阻挡层（303）的表面的具有稀土元素的硼化物的膜，该阴极体能够防止基体的成分元素与硼化物的相互扩散。
阴极荧光以及制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201180038942.3无效
发明人： 大见忠弘 -专利权人：国立大学法人东北大学
申请日： 2011-08-04 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种即使将基板减薄也能够防止其翘曲的TSV构造的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法在半导体基板的表面集成半导体元件，形成至少一部分电路，自半导体基板的表面开孔，在孔的内表面形成绝缘膜和阻挡膜，在阻挡膜的表面以填埋孔的方式形成导电性金属，加工半导体基板的背面使其厚度减小，使导电性金属突出，在半导体基板的背面设置SiCN膜。
半导体装置制造方法

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