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[发明专利]电路、集成电路、接收器、收发器和放大输入信号的方法-CN201510288769.2有效
发明人： C·施特格尔 -专利权人：英特尔IP公司
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：根据示例的电路包括导抗转换器放大器，其基于第一导电类型的多个晶体管和在导抗转换器放大器的输出和供电电位的供电部之间耦接的供电晶体管，该供电晶体管是与第一类型互补的第二导电类型的晶体管。
电路集成电路接收器收发放大输入信号方法

[发明专利]双极晶体管、半导体器件和双极晶体管的形成方法-CN201310222181.8有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种双极晶体管、半导体器件和双极晶体管的形成方法，其中，双极晶体管的形成方法包括提供衬底，在衬底上形成有绝缘层、位于绝缘层上的纳米线，定义纳米线两端之间的部分长度纳米线为中区；去除中区下部分厚度的绝缘层形成镂空区；在形成镂空区后，对纳米线进行第一类型杂质掺杂，形成集电区；在中区表面形成环绕集电区的基区，在基区中掺杂有第二类型杂质，第二类型杂质的类型与第一类型杂质的类型相反；在部分长度基区表面形成环绕基区的发射区，在发射区中掺杂有第一类型杂质。本发明结合具有全包围栅极的场效应晶体管制造方法制造双极晶体管，实现了具有全包围栅极的场效应晶体管制造工艺和双极晶体管制造工艺的兼容。
双极晶体管半导体器件形成方法

[发明专利]在集成电路中形成I/O群集的方法和设备-CN200980127727.3有效
发明人：礼萨·贾利利泽伊纳利;斯雷克尔·邓迪加尔;韦维克·莫汉;托马斯·R·汤姆斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-07-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：所述第一I/O衬垫包含安置于所述第一I/O衬垫的第一端处的第一类型晶体管(318)和远离所述第一端而安置的第二类型晶体管(322)。所述第二I/O衬垫包含安置于所述第二I/O衬垫的第一端处的另一第一类型晶体管(320)和远离所述第一端而安置的另一第二类型晶体管(324)，所述第二I/O衬垫邻近于所述第一I/O衬垫，因此，与所述其它第二类型晶体管(322)相比，所述第一类型晶体管更靠近所述其它第一类型晶体管(318)。
集成电路形成群集方法设备

[发明专利]用于分离同一半导体管芯上的不同晶体管区的隔离结构-CN202310403144.0在审
发明人：马凌;R·哈泽;T·亨森 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的外延层或层堆叠；多个第一类型的晶体管单元，所述多个第一类型的晶体管单元形成在所述外延层或层堆叠的第一区中并且并联电耦合以形成垂直功率晶体管；多个第二类型的晶体管单元，所述第二类型不同于所述第一类型，并且所述多个第二类型的晶体管单元形成在所述外延层或层堆叠的第二区中；以及隔离结构，所述隔离结构横向且垂直地界定所述外延层或层堆叠的所述第二区。所述隔离结构的侧壁和底部包括电介质材料，所述电介质材料将所述外延层或层堆叠中的所述多个第二类型的晶体管单元与所述多个第一类型的晶体管单元电隔离。还描述了制造半导体器件的方法。
用于分离同一半导体管芯不同晶体管区隔离结构

[发明专利]互补式金氧半场效晶体管结构及制作其的方法-CN201510843117.0有效
发明人：理查·肯尼斯·奥克兰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明揭露一种互补式金氧半场效晶体管结构及制作其的方法。堆叠的互补式晶体管使用选择性沉积技术来形成一个直立柱体，下部包含一半导体的类型(例如锗)，上部包含另一种类型的半导体(例如砷化铟)。垂直柱体下部提供一类型晶体管的通道区，上部提供另一类型晶体管的通道区。这提供一种占据最小集成电路表面积的互补对。这种互补式晶体管可以使用于各种电路图。以上叙述为互补式晶体管，下方晶体管为p型晶体管，上方晶体管为n型晶体管。本发明的实施例的优点是提供互补式晶体管，其中该晶体管使用一最小的集成电路表面积。
互补式金氧半场晶体管结构制作方法

[发明专利]显示设备-CN201980089216.0在审
发明人：都永洛;朴后根 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：显示设备包括：发光元件；第一晶体管，用于向发光元件传输驱动电流；第二晶体管，用于向第一晶体管传输数据信号，其中，第一晶体管包括第一有源层，第二晶体管包括包含氧化物半导体的第二有源层，以及发光元件包括：第一导电类型半导体，具有第一极性；第二导电类型半导体，具有与第一极性不同的第二极性；以及有源材料层，布置在第一导电类型半导体和第二导电类型半导体之间。
显示设备

[发明专利]电路布置及其形成方法-CN201980032805.5在审
发明人：张健学;张坤翔;奈觉专·伦;西瓦拉玛克里希南·哈里哈拉克里希南 -专利权人：南洋理工大学
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：提供了一种电路布置，其具有配置成接收输入信号的第一电路和配置成提供输出信号的第二电路，其中第一电路包括：第一上拉网络，其具有彼此电耦合的第一导电类型的第一晶体管和第二导电类型的第二晶体管；以及第一下拉网络，其具有彼此电耦合的第一导电类型的第一晶体管和第二导电类型的第二晶体管，其中第二电路包括：第二上拉网络，其具有第一导电类型的第一晶体管；以及第二下拉网络，其具有第二导电类型的第二晶体管，其中第一上拉网络和第二下拉网络彼此电耦合
电路布置及其形成方法

[发明专利]电平转换电路-CN98119208.4有效
发明人： Z·马尼奥基 -专利权人：西门子公司
申请日： 1998-09-10 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H03K19/017 文献下载
摘要：电平转换电路，具有第一导电类型的第一晶体管(1)及第二晶体管(2)，具有一个第二导电类型的第三晶体管(3)，其中第二晶体管(2)及第三晶体管(3)的节点构成了电平转换电路的输出端(A)，具有一个第二导电类型的第四晶体管(4)，具有一个电容(5、6)，它连接在第三及第四晶体管(3、4)的控制端子之间，及具有一个箝位电路，它连接在第四晶体管(4)的控制端子前面。
电平转换电路

[发明专利]一种硅晶体原生缺陷的检测方法-CN202111249604.6在审
发明人：薛忠营;刘赟;魏星 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅晶体原生缺陷的检测方法，包括：提供硅晶体，所述硅晶体具有原生缺陷；在所述硅晶体上生长外延层，所述外延层包括基于所述原生缺陷形成的外延缺陷；对所述外延层的表面进行光散射扫描，获取窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果；基于所述窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果确定外延缺陷类型；基于所述外延缺陷类型确定所述原生缺陷的类型。根据本发明提供的硅晶体原生缺陷的检测方法，利用外延生长将在硅晶体表面无法被探测的原生缺陷延伸至外延层表面，并对外延层的表面进行进行光散射扫描，基于获取的窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果确定所述外延缺陷的类型，进而确定所述原生缺陷的类型。
一种晶体原生缺陷检测方法

[发明专利]低功耗逻辑家族-CN201680061019.4在审
发明人：阿里·帕西欧 -专利权人：阿里·帕西欧
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：根据本发明，仅需使用一种增强类型的MOS晶体管来实现硬件中的典型布尔函数。较佳地，MOS晶体管类型允许反向偏置控制以调整和补偿操作条件。当在仅PMOS晶体管中实现时，下拉功能由具有连接到输出端上的门和源极的单个晶体管来执行。这种类型的连接确保下拉功能由下拉晶体管的泄漏电流执行。当所有上拉路径关闭时，所有上拉晶体管的漏电流需要小于该下拉电流。这些截止电流的比值可以通过晶体管的纵横比来调整。该逻辑类型在低电压下提供极低的电流消耗，并且可以避免在超低功耗设计中经常使用的更复杂的关断电路的可能性。与现有的解决方案相比，该逻辑类型提供了更高的运行速度。
逻辑类型下拉超低功耗设计单个晶体管上拉晶体管下拉晶体管补偿操作布尔函数电流消耗反向偏置关断电路截止电流路径关闭下拉电流泄漏电流低电压低功耗漏电流输出端晶体管上拉源极

[发明专利]图像传感器与晶体管的制作方法-CN201210179855.6有效
发明人：赵立新;李文强;蒋珂玮 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器与晶体管制作方法。图像传感器包括像素阵列，像素阵列的一个或多个像素单元包括一个源跟随晶体管。源跟随晶体管是结型场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底；第二导电类型阱，位于第一导电类型衬底中；第二导电类型淀积掺杂层，位于第一导电类型衬底表面外并至少部分位于第二导电类型阱上；第一导电类型源区，位于第二导电类型阱中；第一导电类型漏区，位于第一导电类型衬底中和/或第二导电类型阱中；第一导电类型掺杂层，至少部分位于第二导电类型阱与第二导电类型淀积掺杂层之间，以使得第一导电类型源区与第一导电类型漏区电连接，并在其与第二导电类型阱之间以及其与第二导电类型淀积掺杂层之间分别形成
图像传感器晶体管制作方法

[发明专利]抗老化装置-CN201880043078.8在审
发明人： K·恩斯;D·内达尔格;V·德什潘德;L·海斯;A·K·斯里瓦斯塔瓦 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：提供了一种装置，该装置包括：相同导电类型的晶体管的堆叠，该堆叠包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管串联耦合并具有公共节点；和相同导电类型的反馈晶体管，耦合到该公共节点和该堆叠中的第一晶体管的栅极端子
晶体管堆叠导电类型公共节点反馈晶体管晶体管串联栅极端子耦合到合并

[发明专利]基于显微图像的草酸钙晶体智能鉴别方法和系统-CN202010594679.7在审
发明人：林永强;穆向荣;汪冰;郭东晓;林林;徐兴燕;于凤蕊 -专利权人：山东省食品药品检验研究院
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开基于显微图像的草酸钙晶体智能鉴别方法和系统，其中，草酸钙晶体智能鉴别方法包括：获取草酸钙晶体的训练数据，训练数据包含有多种晶体类型的草酸钙晶体；使用深度卷积神经网络对训练数据进行训练，得到用于鉴别草酸钙晶体的深度卷积神经网络模型；使用深度卷积神经网络模型对采集样品的显微图像进行特征匹配，以获取采集样品所含草酸钙晶体的晶体类型；根据采集样品所含草酸钙晶体的晶体类型，生成并输出采集样品的草酸钙晶体鉴别结果。
基于显微图像草酸晶体智能鉴别方法系统

[发明专利]垂直双极晶体管-CN201811612378.1在审
发明人：姜明吉;徐康一;朴容喜;白尚训;千健龙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：可以提供一种垂直双极晶体管，所述垂直双极晶体管包括：基底，包括第一导电类型的第一阱和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二阱，第一阱与第二阱邻接；第一鳍，从第一阱延伸；第二鳍，从第一阱延伸；第三鳍，从第二阱延伸；第一导电区，位于第一鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的发射极；第二导电区，位于第二鳍上，具有第一导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的基极；以及第三导电区，位于第三鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的集电极。
垂直双极晶体管第一导电类型导电类型导电区延伸发射极集电极邻接基底

[发明专利]隧道场效应晶体管及其形成方法-CN201310365871.9有效
发明人：黄新运;丁士成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种隧穿场效应晶体管及其形成方法，所述隧穿场效应晶体管包括半导体衬底，所述半导体衬底包括鳍部；栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部的中部；源极，所述源极横跨所述鳍部的一端；漏极，位于所述鳍部的另一端；所述漏极的导电类型为第一导电类型，所述源极的导电类型为第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型不同。本发明所提供隧穿场效应晶体管中PN结隧穿面积较大，隧穿场效应晶体管的工作电流较大，包括所提供隧穿场效应晶体管的器件的响应速度。
隧道场效应晶体管及其形成方法