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[实用新型]一种单端输入迟滞比较电路-CN201520312354.X有效
发明人：沈怿皓;于涛 -专利权人：上海中基国威电子有限公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H03K5/22 文献下载
摘要：第一绝缘栅双极型晶体管的门极接第五电阻至输入电压端，第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管的发射极分别接第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管的发射极，第三绝缘栅双极型晶体管、第五绝缘栅双极型晶体管的门极、集电极均接第四绝缘栅双极型晶体管的门极，第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管的集电极分别接第三电阻、第四电阻至第十三绝缘栅双极型晶体管、第十四绝缘栅双极型晶体管的集电极。
一种输入迟滞比较电路

[实用新型]一种半导体电路及智能功率模块-CN202222641578.8有效
发明人：冯宇翔;谢荣才;华庆;李强;盛爽;蒋华杏;高远航 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体电路及智能功率模块，包括：驱动IC芯片、多个电容和多组功率模块，所述驱动IC芯片引脚分别与所述多个电容、所述多组功率模块电连接；所述多组功率模块包括RC绝缘栅双极型晶体管和与所述RC绝缘栅双极型晶体管并联的绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的源极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的源极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的漏极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的漏极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极、所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极分别连接至所述驱动IC芯片的引脚。
一种半导体电路智能功率模块

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路-CN201310537659.6有效
发明人：叶彬城;陈文全 -专利权人：中航太克（厦门）电子技术股份有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G05B19/048 文献下载
摘要：绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路，涉及晶体管保护电路。设有控制中心、绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路、绝缘栅双极型晶体管和绝缘栅双极型晶体管驱动模块；绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的输入端与IGBT的C极及输入驱动端连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路与绝缘栅双极型晶体管驱动模块驱动输出电源连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的击穿信号输出端与控制中心连接，控制中心的控制PWM信号输出端接绝缘栅双极型晶体管驱动模块的输入端，绝缘栅双极型晶体管驱动模块与IGBT的E极连接。IGBT一旦发生击穿，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路检测到后将击穿电信号送至控制中心，经控制中心进行处理，避免带来连锁损坏。
绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路

[实用新型]一种绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路-CN201320688973.X有效
发明人：叶彬城;陈文全 -专利权人：厦门普罗太克科技有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： G05B19/048 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路，涉及晶体管保护电路。设有控制中心、绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路、绝缘栅双极型晶体管和绝缘栅双极型晶体管驱动模块；绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的输入端与IGBT的C极及输入驱动端连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路与绝缘栅双极型晶体管驱动模块驱动输出电源连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的击穿信号输出端与控制中心连接，控制中心的控制PWM信号输出端接绝缘栅双极型晶体管驱动模块的输入端，绝缘栅双极型晶体管驱动模块接IGBT的E极。IGBT一旦发生击穿，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路检测到后将击穿电信号送至控制中心，经控制中心进行处理，避免带来连锁损坏。
一种绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路

[发明专利]一种调频拓扑空载控制电路及其控制方法-CN201911085915.6有效
发明人：陈立锋;张营;孙九瑞 -专利权人：济宁学院
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开一种调频拓扑空载控制电路及其控制方法，属于电路控制技术领域，包括变压器，原边驱动线路包括第一原边绝缘栅双极型晶体管、第二原边绝缘栅双极型晶体管、第三原边绝缘栅双极型晶体管和第四原边绝缘栅双极型晶体管，其中第一原边绝缘栅双极型晶体管和第二原边绝缘栅双极型晶体管相串联，第三原边绝缘栅双极型晶体管和第四原边绝缘栅双极型晶体管相串联，第一原边绝缘栅双极型晶体管和第二原边绝缘栅双极型晶体管的串联线路与第三原边绝缘栅双极型晶体管和第四原边绝缘栅双极型晶体管的串联线路相并联后连接有第一电容
一种调频拓扑空载控制电路及其控制方法

[实用新型]一种全数字控制交流静止变流器-CN201320555047.5有效
发明人：郭丕龙;张宇娇 -专利权人：三峡大学
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H02M5/22 文献下载
摘要：一种全数字控制交流静止变流器，它包括电源，电源与第一双向晶闸管串接入变压器一次侧，变压器二次侧回路中设有第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管、第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管，第一绝缘栅双极型晶体管的发射极与第二绝缘栅双极型晶体管的发射极连接，第二绝缘栅双极型晶体管的集电极与第三绝缘栅双极型晶体管集电极连接，第三绝缘栅双极型晶体管的发射极与第四绝缘栅双极型晶体管的发射极连接，电源的两端与第二双向晶闸管及负载形成回路；晶闸管以及绝缘栅双极型晶体管与单片机的并行口连接
一种数字控制交流静止变流器

[实用新型]抑制绝缘栅双极型晶体管关断尖峰的电路-CN201520264379.7有效
发明人：吴志猛;廖荣辉;曹晓生;文熙凯 -专利权人：深圳市禾望电气股份有限公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种抑制绝缘栅双极型晶体管关断尖峰的电路，包括绝缘栅双极型晶体管和负反馈电路；所述驱动电路的输出端与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，用于驱动所述绝缘栅双极型晶体管导通或关断，所述负反馈电路的第一端与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述负反馈电路的第二端与所述绝缘栅双极型晶体管的辅助射极连接，所述负反馈电路的第三端与所述绝缘栅双极型晶体管的功率射极连接，用于检测所述辅助射极与所述功率射极之间的寄生电感的压降，在所述绝缘栅双极型晶体管关断时抑制所述绝缘栅双极型晶体管的集电极和功率射极之间的关断尖峰
抑制绝缘栅双极型晶体管尖峰电路

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管电路、相关应用系统和制造方法-CN202210726770.9在审
发明人：冯宇翔;张土明;华庆 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管电路、绝缘栅双极型晶体管应用系统以及绝缘栅双极型晶体管电路制造方法，绝缘栅双极型晶体管电路包括三极管、反相器、第一续流二极管、第二续流二极管、第一晶体管以及第二晶体管。本发明的绝缘栅双极型晶体管电路、绝缘栅双极型晶体管应用系统以及绝缘栅双极型晶体管电路制造方法可选择并联不同型号的续流二极管且应用范围广。
绝缘栅双极型晶体管电路相关应用系统制造方法

[实用新型]一种低温度系数低压CMOS带隙基准-CN201520311921.X有效
发明人：沈怿皓;于涛 -专利权人：上海中基国威电子有限公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： G05F1/565 文献下载
摘要：第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管的集电极均接第二绝缘栅双极型晶体管的门极，第四绝缘栅双极型晶体管的门极接第六绝缘栅双极型晶体管的门极，第一三极管、第三三极管的发射极分别接第七绝缘栅双极型晶体管、第九绝缘栅双极型晶体管的集电极，第七绝缘栅双极型晶体管、第八绝缘栅双极型晶体管的集电极分别接运算放大器电路的负极端、正极端，运算放大器电路的输出端接第一绝缘栅双极型晶体管的门极。
一种温度系数低压 cmos 基准

[发明专利]保护电路及保护系统-CN201811460081.8在审
发明人：张帆;薛飞;张皎;孟海磊;刘明林;许勇;孙继军;牛永会;曹楠 -专利权人：中电普瑞电力工程有限公司;国网山东省电力公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H02H3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种保护电路，包括：电容、二极管、第一、第二、第三绝缘栅双极型晶体管以及断路器；第一绝缘栅双极型晶体管的集电极分别与二极管的阴极和电容的一端连接；第一绝缘栅双极型晶体管的发射极与二极管的阳极连接；第二绝缘栅双极型晶体管的集电极分别与第一绝缘栅双极型晶体管的发射极和第三绝缘栅双极型晶体管的发射极连接；第二绝缘栅双极型晶体管的发射极分别与第三绝缘栅双极型晶体管的集电极和电容的另一端连接；断路器的一接线端与第三绝缘栅双极型晶体管的发射极连接；断路器的另一接线端与第三绝缘栅双极型晶体管的集电极连接。
绝缘栅双极型晶体管二极管断路器发射极集电极电容发射极连接电路一端连接接线端集电极连接系统可靠性阴极旁路功能阳极连接直流故障换流器子单元闭锁换流

[实用新型]保护电路及保护系统-CN201822010530.0有效
发明人：张帆;薛飞;张皎;孟海磊;刘明林;许勇;孙继军;牛永会;曹楠 -专利权人：中电普瑞电力工程有限公司;国网山东省电力公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H02H3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种保护电路及保护系统，包括：电容、二极管、第一、第二、第三绝缘栅双极型晶体管以及断路器；第一绝缘栅双极型晶体管的集电极分别与二极管的阴极和电容的一端连接；第一绝缘栅双极型晶体管的发射极与二极管的阳极连接；第二绝缘栅双极型晶体管的集电极分别与第一绝缘栅双极型晶体管的发射极和第三绝缘栅双极型晶体管的发射极连接；第二绝缘栅双极型晶体管的发射极分别与第三绝缘栅双极型晶体管的集电极和电容的另一端连接；断路器的一接线端与第三绝缘栅双极型晶体管的发射极连接；断路器的另一接线端与第三绝缘栅双极型晶体管的集电极连接。
绝缘栅双极型晶体管二极管断路器发射极集电极电容发射极连接电路一端连接接线端本实用新型集电极连接阴极旁路功能阳极连接直流故障换流器子单元闭锁换流

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管直流特性的仿真方法-CN201410061156.0有效
发明人：孙伟锋;戴佼容;孙陈超;顾春德;叶伟;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2014-02-24 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提出一种绝缘栅双极型晶体管直流特性仿真方法，包括以下步骤：获取不同温度下、不同宽长比绝缘栅双极型晶体管的直流特性测试数据；建立绝缘栅双极型晶体管的直流宏模型，在NMOS晶体管与PNP晶体管组合的基础上，加入一个压控漂移区电阻表示绝缘栅双极型晶体管的电导调制效应；获取绝缘栅双极型晶体管直流宏模型的初步模型文件；提取绝缘栅双极型晶体管25℃时的直流宏模型的模型参数；继续将85℃及125℃时的测试数据载入MBP，对绝缘栅双极型晶体管直流宏模型进行温度参数的提取；保存绝缘栅双极型晶体管直流宏模型的模型参数；在Cadence中仿真得到绝缘栅双极型晶体管的输出特性，完成对绝缘栅双极型晶体管仿真方法的建立。
一种绝缘栅双极型晶体管直流特性仿真方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及制作方法、电子设备及存储介质-CN202210156399.7在审
发明人：李春艳;葛孝昊;曾丹 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本申请涉及一种绝缘栅双极型晶体管及制作方法、电子设备及存储介质，通过上述缘栅双极型晶体管的制作方法制作而成的缘栅双极型晶体管，结构依次为第二金属层、氧化层、外延层、第一金属层，制作工艺简单，且将缘栅双极型晶体管制作成垂直结构，垂直结构的绝缘栅双极型晶体管能够降低漏电流，进而提高缘栅双极型晶体管可靠性，以此解决横向缘栅双极型晶体管耐压不足的问题，进而提升了用户体验。
绝缘栅双极型晶体管制作方法电子设备存储介质

[发明专利]智能功率模块-CN201110279438.4无效
发明人：冯宇翔;黄祥钧;程德凯;潘志坚;华庆;陈玲娟 -专利权人：广东美的电器股份有限公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种智能功率模块，包括第一至第三电阻、第一、二绝缘栅双极型功率管；其中第一电阻的一端接高压侧驱动信号HO端，第一电阻的另一端连接第一绝缘栅双极型功率管的栅极；第一绝缘栅双极型功率管的射极接第二绝缘栅双极型功率管的集电极，其集电极接高压端P；第二绝缘栅双极型功率管的射极通过第三电阻接地；第二电阻的一端接低压侧驱动信号LO端，其另一端接第二绝缘栅双极型功率管的栅极；特点是还包括第一、二反向放电电路，其中第一反向放电电路的输入端接第一绝缘栅双极型功率管的栅极，其输出端接第一绝缘栅双极型功率管的射极，其又一端接高压端P；第二反向放电电路的输入端接第二绝缘栅双极型功率管的栅极，其输出端接第一绝缘栅双极型功率管的射极，其又一端接第二绝缘栅双极型功率管的集电极。其加快了高压能量的释放，提高一第一、二绝缘栅双极型功率管的使用寿命。
智能功率模块

[实用新型]智能功率模块-CN201120352465.5有效
发明人：冯宇翔;黄祥钧;程德凯;潘志坚;华庆;陈玲娟 -专利权人：广东美的电器股份有限公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种智能功率模块，包括第一至第三电阻、第一、二绝缘栅双极型功率管；其中第一电阻的一端接高压侧驱动信号HO端，第一电阻的另一端连接第一绝缘栅双极型功率管的栅极；第一绝缘栅双极型功率管的射极接第二绝缘栅双极型功率管的集电极，其集电极接高压端P；第二绝缘栅双极型功率管的射极通过第三电阻接地；第二电阻的一端接低压侧驱动信号LO端，其另一端接第二绝缘栅双极型功率管的栅极；特点是还包括第一、二反向放电电路，其中第一反向放电电路的输入端接第一绝缘栅双极型功率管的栅极，其输出端接第一绝缘栅双极型功率管的射极，其又一端接高压端P；第二反向放电电路的输入端接第二绝缘栅双极型功率管的栅极，其输出端接第一绝缘栅双极型功率管的射极，其又一端接第二绝缘栅双极型功率管的集电极。其加快了高压能量的释放，提高一第一、二绝缘栅双极型功率管的使用寿命。
智能功率模块

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