“工艺缺陷”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1689962个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]系统性缺陷的监控方法-CN201810157687.8在审
发明人：王洲男;顾晓芳;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-02-24 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种系统性缺陷的监控方法，包括：提供产生系统性缺陷的半导体结构，分析所述半导体结构产生系统性缺陷的原因；根据所述半导体器件产生系统性缺陷的原因确定需要监测的生产机台；对所述生产机台的工艺参数进行实时监测；当所述工艺参数超过设定范围时，报警提醒。本发明先追踪定位半导体结构产生系统性缺陷的原因，再对造成半导体结构系统性缺陷的生产机台进行实时监测，当生产机台的工艺参数超过设定范围时，能够及时地发现并报警，在工艺参数异常之初就可以预知系统性缺陷的发生
系统性缺陷半导体结构生产机台实时监测报警半导体器件原因确定制造成本追踪定位不良品批量性监控良率停机监测分析检查发现

[实用新型]晶圆缺陷检测装置以及半导体工艺设备-CN201920250593.5有效
发明人：徐科;阚保国;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆缺陷检测装置以及半导体工艺设备，所述晶圆缺陷检测装置包括：工艺腔体，具有设置于所述工艺腔体内并用于放置晶圆的支撑部件；用于检测所述晶圆的表面缺陷的检测器，所述检测器安装在所述工艺腔体的底壁和本实用新型提供的所述晶圆缺陷检测装置能够在生产之前和之后对晶圆的表面缺陷进行检测，及时发现生产过程中的问题点，避免批量异常，进而使得生产效率得到提高，节省成本。
晶圆缺陷检测晶圆半导体工艺设备检测器本实用新型表面缺陷工艺腔体缺陷检测装置生产过程生产效率支撑部件工艺腔检测底壁顶壁种晶体内发现生产

[发明专利]焊盘结晶缺陷的返工方法及半导体器件-CN202010102875.8在审
发明人：李乔伟;胡胜;赵长林 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种焊盘结晶缺陷的返工方法及半导体器件，包括提供前端器件，所述前端器件上形成有金属层，所述金属层上形成有聚酰亚胺层，所述焊盘上形成有结晶缺陷；以所述聚酰亚胺层为掩膜，刻蚀去除焊盘上的部分金属层，同时轰击结晶缺陷，以使结晶缺陷离散，聚酰亚胺层起到掩膜层和钝化层的作用；再进行清洗工艺将结晶缺陷去除；执行塑化工艺，形成覆盖所述焊盘的保护层，保护层不仅阻断结晶缺陷的产生，还阻止已产生的结晶缺陷侵蚀返工后的晶圆本发明能够有效解决以聚酰亚胺作为钝化层的半导体器件的焊盘表面结晶缺陷的问题，通过返工减少报废。节省了常规返工工艺中在钝化层上还需再形成图形化的掩膜层工序，有利于工艺成本控制。
盘结缺陷返工方法半导体器件

[发明专利]一种压铸件缺陷预测及诊断系统-CN202110622377.0在审
发明人：程鹏;徐建华;叶盛;陈列;龙孟威;虞科 -专利权人：宁波海天金属成型设备有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明公开一种压铸件缺陷预测及诊断系统，包括一个或多个处理器获取工艺参数，通过深度学习模型对工艺参数进行处理与分析，输出预测的缺陷信息。所述深度学习模型还包括输入处理组件，用以对工艺参数进行加权处理和归一化处理。在上述预测及诊断系统的构建过程中还需要通过相关性分析对工艺参数进行筛选，以提高计算效率。本发明所涉及的方法考虑了多个压铸过程中的工艺参数，采用机器学习算法构建起工艺参数同缺陷之间的关联，可以预测压铸件的缺陷类型，同时能够实现在线检测工艺参数，并预测这些参数是否会在压铸件中产生缺陷，对于改进生产
一种压铸缺陷预测诊断系统

[发明专利]晶圆缺陷检测方法-CN201310630277.8有效
发明人：倪棋梁;范荣伟;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆缺陷检测方法，包括如下步骤：逐次移动晶圆，对晶圆各芯片区以第一扫描分辨率进行第一次缺陷检测；根据第一次缺陷检测获得的缺陷分布信息将晶圆表面划分为多个检测区，并为每个检测区分别设定一缺陷数量阈值，缺陷数量阈值与对应的检测区的缺陷数量成正相关关系；逐次移动晶圆，以第二扫描分辨率分别对各检测区进行第二次缺陷检测；其中，第二扫描分辨率低于第一扫描分辨率；若任一检测区缺陷数量超出其对应的缺陷数量阈值，则对该晶圆进行缺陷修复工艺。其提高了晶圆缺陷检测方法在实际工艺中的适用性，显著提高了缺陷识别率以及工艺效率，其精度高、实现成本低、利于在行业领域内推广。
缺陷检测方法

[发明专利]晶圆表面缺陷的检测方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202210485108.9在审
发明人：陈伟;孙玲 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆表面缺陷的检测方法、装置、计算机设备和存储介质。其中，晶圆表面缺陷的检测方法，包括：获取目标生产工艺前晶圆表面缺陷的第一缺陷分布图和目标生产工艺后晶圆表面缺陷的第二缺陷分布图；基于第一缺陷分布图中的缺陷的中心以及缺陷尺寸，建立对应缺陷的叠图几何图形，叠图几何图形的尺寸不小于对应缺陷的缺陷尺寸；对第一缺陷分布图和第二缺陷分布图进行叠图，获取第二缺陷分布图中的缺陷与叠图几何图形之间的相对位置关系，判断第二缺陷分布图中的各个缺陷是否为新增缺陷。本申请实施例能够有效提高缺陷检测准确性。
表面缺陷检测方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]改善吉帕级马氏体耐磨钢淬火后龟背缺陷的控制方法-CN202310216122.3在审
发明人：刘超;吴海瑞;何安瑞;原野;姚驰寰;刘红艳;王志峰;王青云;裴庆涛;李斌 -专利权人：北京科技大学;邯郸钢铁集团有限责任公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C21D11/00 文献下载
摘要：一种改善吉帕级马氏体耐磨钢淬火后龟背板形缺陷的控制方法，属于钢铁生产技术领域。这种吉帕级马氏体耐磨钢的主要生产方式是通过辊底式加热炉和辊式淬火机完成淬火冷却工艺获得。所述板形缺陷控制方法依次包括如下步骤：板形平直度测量，板形缺陷特征计算，板形缺陷特征判定，针对中部横弯缺陷特征量的板形工艺参数调试，针对头尾缺陷变形差异量的板形工艺参数调试，调试后的板形平直度特征检测判定通过本方法，有效解决了由于复杂多变的现实工况，例如环境水温、温度变化、加热炉燃烧温度变化以及淬火机夹送辊磨损等多种因素所导致的淬火后板形龟背缺陷的工艺参数调节问题，提高了板形工艺参数设定的有效性、板形合格率以及产线的生产效率
改善吉帕级马氏体耐磨淬火龟背缺陷控制方法

[发明专利]一种化合物半导体致命缺陷分析系统和分析方法-CN201710737010.7有效
发明人：郭渊 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种化合物半导体致命缺陷分析系统和分析方法，当生产批次完成某金属层的工艺制造后，该生产批次将进入电性测试机台进行电性测试，同时通过缺陷扫描机台对该金属层的表面进行缺陷扫描，数据采集系统将实时从两个机台上获取该生产批次的关键电性参数的电性测试数据和缺陷扫描数据，然后通过匹配分析检验模块生成关键电性参数良率Map和缺陷分布Map，采用图形叠加运算的方式，搜索出与致命缺陷参考模型相似的晶圆，并在搜索出的晶圆的叠加Map上突出显示与致命缺陷参考模型相似的位置区域，为工艺整合工程师是否进行工艺线生产暂停提供数据支撑，为工艺、设备工程师是否进行工艺改进、机台维护保养提供理论依据。
一种化合物半导体致命缺陷分析系统方法

[发明专利]降低GH4169镍基合金锭冶金缺陷的工艺方法-CN201910899792.3有效
发明人：蒋世川;张健;周扬;赖宇 -专利权人：成都先进金属材料产业技术研究院有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C22C19/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种工艺方法，尤其是公开了一种降低GH4169镍基合金锭冶金缺陷的工艺方法，属于镍基合金重熔生产工艺技术领域。提供一种成品质量缺陷少的降低GH4169镍基合金锭冶金缺陷的工艺方法。所述的工艺方法以真空感应熔炼得到的GH4169镍基合金熔炼锭为基锭，通过一次均匀化处理、一次快锻镦拔和一次重熔来获得降低GH4169镍基合金锭的冶金缺陷。
降低 gh4169 镍基合金锭冶金缺陷工艺方法

[发明专利]一种金属锻件缺陷修补工艺-CN201410392368.7在审
发明人：田春耕 -专利权人：洛阳九创重型机械有限公司
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： B23P6/04 文献下载
摘要：一种金属锻件缺陷修补工艺，只要涉及5000-10000吨压机模座旧件缺陷修补的工艺。包括如下步骤：a、准备待修补的旧模座，对缺陷部位进行机械加工方法清理，使缺陷的边角平缓过渡；b、对旧模座整体预热200-300℃；c、在保温200-280℃情况对步骤a中的缺陷处选择修复材料由与模座成分相同的焊材焊，24小时进行连续焊补；d，焊补完成后进炉热处理400-450℃，出炉冷却至室温，完成模座缺陷处的修补，采用机械加工方法完成精加工工艺。
一种金属锻件缺陷修补工艺

[发明专利]去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层的方法-CN201610016127.1在审
发明人：冯俊伟;王铁渠;胡海波;崔永鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层的方法，包括：提供基底，所述基底包括多晶硅层、以及形成于多晶硅层上的光刻抗反射层，所述光刻抗反射层内形成有颗粒缺陷；采用第一湿法刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀；以及采用第二湿法刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀本发明实施例通过分别采用第一湿法刻蚀工艺和第二湿法刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀，彻底地去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层，得到干净的多晶硅表面。其中，第二湿法刻蚀工艺通过使用氨水与双氧水的混合溶液消除颗粒缺陷与多晶硅层表面之间的粘合力；再使用氢氟酸的水溶液溶解去除所述颗粒缺陷，有效地避免了颗粒缺陷因较强的粘合力回粘到多晶硅层表面而无法彻底去除。
去除含有颗粒缺陷光刻反射层方法

[发明专利]一种T型焊缝未焊透缺陷高度超声波测定工艺-CN202310570747.X在审
发明人：黄自德;殷学成;瞿冠生;李婷;许超;蔡正洪;孟磊;李智群;周兵;余鹏林 -专利权人：长江三峡技术经济发展有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01B17/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种T型焊缝未焊透缺陷高度超声波测定工艺，基于超声波能量作用于缺陷时，会在缺陷尖端发生衍射，而且无论超声波声束垂直于缺陷表面或平行于缺陷表面，缺陷尖端都会产生衍射波，通过接收和识别缺陷上下尖端的衍射波的位置，进而达到测定缺陷高度的目的。此工艺利用超声横波端点衍射法测定T型焊缝未焊透缺陷高度，简化超声波测定T型焊缝未焊透高度操作步骤，保证测量精度。
一种焊缝未焊透缺陷高度超声波测定工艺

[发明专利]一种耐蚀合金复合管焊缝缺陷的返修焊接工艺及评定方法-CN202011279472.7有效
发明人：罗泽松;陈劲;吴立斌;刘乐意 -专利权人：四川石油天然气建设工程有限责任公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B23K31/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种耐蚀合金复合管焊缝缺陷的返修焊接工艺及评定方法，涉及管道焊接技术领域。所述工艺焊缝缺陷进行分类后再修复。第一缺陷类型为弧坑裂纹缺陷，通过修磨去除；第二缺陷类型为根焊区或过渡层存在缺陷，通过形成第一坡口后焊接去除；第三缺陷类型为除第一、第二缺陷类型外的其它裂纹类缺陷，通过形成第二坡口后焊接去除；第四缺陷类型为除第二缺陷类型外的非裂纹类缺陷本发明的有益效果包括：能够对双金属复合管进行返修焊，且能评定对双金属复合管返修焊的工艺。
一种合金复合管焊缝缺陷返修焊接工艺评定方法

[发明专利]嵌入式锗硅外延结构的形成方法-CN202210784396.8在审
发明人：张强 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种嵌入式锗硅外延结构的形成方法，包括：提供一硅衬底，硅衬底中形成有凹槽；执行外延工艺，在凹槽中形成锗硅层，硅衬底及锗硅层的表面上形成有缺陷颗粒；形成硅层覆盖硅衬底、锗硅层的表面以及缺陷颗粒；执行硅刻蚀工艺，去除硅层及缺陷颗粒。本发明通过形成硅层覆盖硅衬底、锗硅层的表面以及缺陷颗粒，使得缺陷颗粒与硅层具有相较于硅衬底的表面具有更强的结合力，从而在硅刻蚀工艺中较为容易地去除缺陷颗粒及硅层，由此以解决形成锗硅外延结构时的缺陷颗粒问题
嵌入式外延结构形成方法

[发明专利]一种用于工艺品表面缺陷的冷启动视觉检测方法-CN202111143094.4在审
发明人：陈垣毅 -专利权人：浙大城市学院
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于工艺品表面缺陷的冷启动视觉检测方法，包括步骤：融合不同领域缺陷数据集，并对缺陷数据集的数据进行增强，利用增强后的缺陷数据集训练卷积神经网络，得到冷启动视觉检测模型；抽取冷启动视觉检测模型的卷积层特征，构建样本特征池；采用迭代贪婪逼近算法计算出小规模的子样本特征池，并用子样本特征池替换原有的样本特征池；基于特征偏离判断是否是缺陷图片。本发明的有益效果是：本发明利用不同领域缺陷数据集训练的冷启动视觉检测模型和没有缺陷的样本图片，通过构建特征池和计算偏离程度可以较好实现小样本场景下的工艺品表面缺陷检测，以解决在少量样本下，现有工艺品缺陷检测技术存在的缺陷特征无法有效表征的难题
一种用于工艺品表面缺陷冷启动视觉检测方法