专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]适配器电源-CN202210841175.X在审
  • 林哲民;刘家桦;林敬凯 - 全汉企业股份有限公司
  • 2022-07-18 - 2023-04-07 - H02M7/00
  • 本发明公开一种适配器电源,包括电路板、电磁干扰滤波器、屏蔽件、功率因子校正电感、变压器以及多个发热元件。电路板具有相对的正面及背面、相互平行的第一长边与第二长边,且电路板的正面在第一长边的延伸方向上依序区分为第一区、第二区及第三区。电磁干扰滤波器配置于第一区且靠近第一长边。屏蔽件配置于第一区且靠近电磁干扰滤波器。功率因子校正电感配置于第一区且靠近第二长边。功率因子校正电感具有第一长轴。变压器配置于第三区且靠近第一长边。变压器具有第二长轴,第一长轴垂直于第二长轴。多个发热元件设置于电路板的背面。
  • 适配器电源
  • [发明专利]晶圆处理装置及其工作方法-CN201810959256.3有效
  • 栾剑峰;刘家桦;叶日铨 - 德淮半导体有限公司
  • 2018-08-22 - 2021-01-22 - H01L21/68
  • 一种晶圆处理装置及其工作方法,其中,晶圆处理装置包括:腔体,腔体内包括正位区,正位区用于放置晶圆,腔体具有第一外表面;自第一外表面通入腔体内的开口;固定于第一外表面的旋转装置,旋转装置与第一外表面平行;可动连接于旋转装置的复位装置,复位装置可绕旋转装置转动;探测装置,用于获取晶圆的位置信息;判断单元,用于根据位置信息判断是否至少部分晶圆位于正位区外;发射单元,当至少部分晶圆位于正位区外时,发射单元用于向复位装置发送复位信号,驱动复位装置绕旋转装置向开口旋转。利用所述晶圆处理装置能够降低对晶圆的污染。
  • 处理装置及其工作方法
  • [发明专利]晶圆清洗装置及其工作方法-CN201811391846.7有效
  • 吴康;李丹;高英哲;张文福;刘家桦;叶日铨 - 德淮半导体有限公司
  • 2018-11-21 - 2021-01-22 - H01L21/67
  • 一种晶圆清洗装置及其工作方法,其中,晶圆清洗装置包括:腔室;与腔室连通的装载部,所述装载部用于承载盒体,所述盒体内装载有晶圆;位于所述腔室内的第一转移装置,用于自装载部将盒体转移至所述腔室内;位于所述腔室内的第一清洗腔,用于承载通过第一转移装置移入的盒体,并对所述盒体进行清洗;位于所述腔室内的第二转移装置,用于自装载部将晶圆转移至所述腔室内;位于所述腔室内的第二清洗腔,用于承载通过第二转移装置移入的晶圆,并对晶圆进行清洗。利用所述晶圆清洗装置能够提高晶圆的洁净度。
  • 清洗装置及其工作方法
  • [发明专利]刻蚀电极和边缘刻蚀装置-CN201810158966.6有效
  • 梁倪萍;陈伏宏;刘家桦 - 德淮半导体有限公司
  • 2018-02-26 - 2020-07-24 - H01J37/32
  • 本发明涉及一种刻蚀电极和一种边缘刻蚀装置,所述刻蚀电极包括:电极主体,包括底座和位于底座上的凸起电极,所述凸起电极顶部为电极表面,所述底座与凸起电极之间具有环形凹槽;环绕电极主体的内外套嵌设置的至少一个遮挡环,所述至少一个遮挡环位于所述环形凹槽内;驱动器,与所述遮挡环连接,用于控制各个遮挡环在垂直电极表面的方向上进行上升和下降运动,其中,上升时,所述遮挡环向电极表面方向运动,下降时,所述遮挡环向底座方向运动。
  • 刻蚀电极边缘装置
  • [实用新型]一种刻蚀设备-CN201922166627.5有效
  • 马风柱;曾议锋;李兴光;刘家桦;叶日铨 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-12-05 - 2020-07-21 - H01L21/67
  • 本实用新型提供了一种刻蚀设备,包括:刻蚀腔室,供晶圆容置其中;以及遮挡装置,所述遮挡装置可移动地设置于所述刻蚀腔室内,能够分别在所述晶圆之外的主刻蚀工位和在所述晶圆上方的边缘刻蚀工位停留,当所述遮挡装置停留在所述边缘刻蚀工位时,所述遮挡装置能够对所述晶圆表面用于形成器件结构的中心区域进行遮挡,而露出所述晶圆的外缘区域,通过遮挡装置的设置,将主刻蚀功能和边缘刻蚀功能集成于同一刻蚀设备,降低了制造成本的同时,提高了晶圆的刻蚀制程效率。
  • 一种刻蚀设备
  • [实用新型]一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备-CN201921168555.1有效
  • 薛荣华;朱进;刘家桦;叶日铨 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-07-23 - 2020-03-31 - H01L21/683
  • 本实用新型提供的一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备,静电吸盘组件包括:静电吸盘,用于安装待蚀刻的晶圆;接地挂环,接地挂环套设在静电吸盘的外侧;基座,静电吸盘和接地挂环设置在基座上;其中,接地挂环包括外壁,基座和静电吸盘暴露出外壁,外壁上形成有倾斜角,倾斜角将喷射到其上的等离子体的方向改变为斜下方,加快了静电吸盘边缘处的气流下排速率。本实用新型通过倾斜角改变了喷射在其上的等离子体的方向,使得其方向朝下,以加快静电吸盘边缘处的气流下排速率,从而加快等离子体处理室中气体导出率,还减少了蚀刻时在静电吸盘边缘处以及接地环盖上沉积的残留物,从而降低残留物剥离对产品良率的影响。
  • 一种静电吸盘组件等离子体蚀刻设备
  • [实用新型]管道防堵装置-CN201920426731.0有效
  • 周扬;薛强;刘世振;陈伏宏;刘家桦 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-03-29 - 2020-03-20 - F16L55/24
  • 本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种管道防堵装置。所述管道防堵装置包括:转接管道,用于连通相互垂直的第一管道和第二管道,所述第一管道和所述第二管道均用于传输废气;位于转接管道内部的疏通结构,所述疏通结构包括至少一立于所述转接管道内的支架;位于所述转接管道外部的控制器,所述控制器与所述疏通结构连接,用于驱动所述支架沿所述第一管道或所述第二管道的轴向方向进行往复运动,以避免所述废气中的颗粒物在所述转接管道内沉积。本实用新型避免了转接管道内部出现颗粒物堆积,降低了用于排出废气的管路系统发生堵塞的概率,有效避免了产品报废和设备损坏情况的发生。
  • 管道装置
  • [实用新型]阀板组件以及钟摆阀-CN201920775983.4有效
  • 薛荣华;阚保国;刘家桦;叶日铨 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-05-27 - 2020-03-10 - B25B27/14
  • 本实用新型涉及半导体刻蚀设备技术领域,公开了一种钟摆阀,包括阀板组件,阀板组件包括阀板、阀腔以及定型螺柱,在阀腔的内底壁上设置有承接件,定型螺柱能够与承接件螺纹配合以将阀板固定在二者之间。阀板组件还包括:驱动件,用于驱动定型螺柱转动;控制单元,与驱动件通信连接,控制单元能够控制驱动件的动作。本实用新型的阀板组件能够在将阀板放置于阀腔内的正确位置后,自动旋拧定型螺柱,将阀板固定在阀腔内,减轻作业人员的劳动强度、提高生产效率的同时,能够将阀板锁紧在阀腔中,提高真空腔体的压力稳定,进而提高真空腔体的工作效率。
  • 组件以及钟摆
  • [实用新型]恒温供液装置-CN201920839409.0有效
  • 朱小凡;赵黎;刘家桦;叶日铨 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-06-04 - 2020-02-21 - H01L21/67
  • 本实用新型提供了一种恒温供液装置,向用液设备供给恒温液体,包括:用于容纳液体的储液槽;用于向用液设备供给液体的供液管路,一端连接储液槽,另一端连接用液设备;用于接收从用液设备回流的液体的回液管路,一端连接储液槽,另一端连接用液设备;用于加热供液管路中的液体的主加热器,设置于供液管路上;用于将供液管路中的液体回流至储液槽的支流管路,一端连接储液槽,另一端连接至主加热器与用液设备之间的供液管路。本实用新型通过引入支流管路,使达到目标温度的湿法药液回流至储液槽中,并通过引入辅助加热器,对回流药液进行统一加热,使储液槽中的药液温度更接近目标温度,药液温度控制更为精确平稳,减少了主加热器的负荷。
  • 恒温装置

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