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[发明专利]一种晶圆清洗设备-CN202310886685.3在审
发明人：王皓;阚保国;夏林华;陈伏宏;刘伟杰;刘洪浩;钱东;顾保荣;姚俊龙;蔡嘉辉 -专利权人：荣芯半导体（淮安）有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆清洗设备，包括：清洗槽，所述清洗槽内包括清洗液，用于清洗晶圆；抽风口档板，设置在所述清洗槽上方的抽风口处，以避免所述抽风口直接对着晶圆抽气；槽区挡板，围绕所述清洗槽的槽口设置，以避免所述清洗槽上方的气体串流。根据本发明提供的晶圆清洗设备，通过在清洗槽上方的抽风口处设置抽风口挡板，避免抽风口直接对着晶圆抽气，从而避免了晶圆快速风干表面形成局部氧化，通过围绕清洗槽的槽口设置槽区挡板，避免了不同类型的酸气在槽区之间横向串流，通过共同设置抽风口挡板和槽区挡板改变了晶圆清洗设备槽区内循环风场环境，提高了产品良率。
一种清洗设备

[发明专利]等离子体设备和半导体器件的制备方法-CN202010346766.0有效
发明人： 阚保国;阚杰;曹春生;冯大贵;吴长明 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种等离子体设备和半导体器件的制备方法，该设备包括：静电卡盘，包括卡盘底座和设置于卡盘底座上的卡盘；边缘环，包括环绕设置于静电卡盘周围的边缘环侧壁和设置于卡盘底座的凸出部位上的边缘环底座，边缘环侧壁设置于和边缘环底座上，边缘环底座上设置有开口导通边缘环底座。本申请通过在等离子体设备的边缘环底座上设置有开口导通边缘环，从而通过该等离子体设备对晶圆进行沉积工艺或刻蚀工艺时，由于存在开口导通边缘环，因此能够在晶圆的边缘形成一个气流流通的区域，将边缘的反映颗粒物排出，在一定程度上解决了晶圆的边缘反应物颗粒堆积的问题，提高了良率。
等离子体设备半导体器件制备方法

[实用新型]一种电感耦合工艺腔的上部电极安装用限位治具-CN202222526776.X有效
发明人：栾剑峰;曹春生;戴一然;阚保国 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01R13/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电感耦合工艺腔的上部电极安装用限位治具，包括组装为一体的固定部和限位部，其中，固定部可拆卸安装于所述电感耦合工艺腔的外壁的设定位置处；限位部具有限位面限位面与上部电极的边缘相匹配。本实用新型通过在电感耦合工艺腔的外壁增设限位治具，且限位治具的限位面为上部电极的边缘位置处，在上部电极的对准步骤时，直接将上部电极移动至与限位面相接触即可，无需多次移动确认，节省了安装时间，也节约的人力成本；通过使用限位治具，上部电极安装的位置精度有保证，有效避免了因上部电极安装精度问题而可能导致的产品不良。
一种电感耦合工艺上部电极安装限位

[发明专利]温度控制系统-CN202011247665.4有效
发明人：石生宝;许正军;阚保国;阚杰;曹春生 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种温度控制系统，包括：导热管道，其接入刻蚀设备的静电卡盘中，其用于在刻蚀设备工作过程中通过通入其的冷却剂对静电卡盘上的晶圆进行热传导；控制装置，其设置于温度控制系统的箱体中，其用于对通入导热管道的冷却剂进行控制；CDA循环装置，其设置于箱体中，其用于在温度控制系统工作时，对箱体内的环境进行干燥。本申请通过在温控系统中增加CDA循环装置以在温度控制系统工作时，对温度控制系统的控制装置所在的箱体内的环境进行干燥，在一定程度上降低了由于箱体内部的空气中的水汽遇冷在导热管道壁和控制装置表面凝结成冰的几率，提高了系统的控温效率和安全性能。
温度控制系统

[发明专利]边缘多余膜层刻蚀一体化装置及方法-CN201911231844.6有效
发明人： 阚保国;曹春生;阚杰;冯大贵;吴长明 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种边缘多余膜层刻蚀一体化装置及方法，涉及半导体设备制造领域。该装置至少包括腔体、静电吸附盘、可升降边缘环、至少2组阻挡片支撑组件；静电吸附盘和可升降边缘环设置在腔体内，可升降边缘环设置在静电吸附盘的外侧；至少2组阻挡片支撑组件设置在可升降边缘环的外侧，至少2组阻挡片支撑组件用于交替承载阻挡片；其中，每组阻挡片支撑组件包括至少3个阻挡片支撑组件，每个阻挡片支撑组件包括阻挡片支撑架、阻挡片支撑架旋转升降装置，阻挡片支撑架与阻挡片支撑架旋转升降装置连接；解决了现有技术中刻蚀晶圆边缘工序多、成本高的问题；达到了一体化刻蚀晶圆的有效图形区域和边缘，提高良率，降低成本的效果。
边缘多余刻蚀一体化装置方法

[实用新型]晶圆装卸载位的支撑结构-CN202120818795.2有效
发明人：代勇;曹春生;阚保国;栾剑峰 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆装卸载位的支撑结构，包括多组支撑架，每组支撑架由两块分布于晶圆两侧的支撑板组成，两块支撑板中的一块为单点支撑板，另一块为多点支撑板，所述单点支撑板形成有一个朝向多点支撑板延伸的支撑脚，所述多点支撑板形成有至少两个朝向单点支撑板延伸的支撑脚，所述单点支撑板的支撑脚和所述多点支撑板的每个支撑脚上都设垫圈，每组支撑架上所有垫圈的顶面都处于同一水平面且垫圈顶面高于其所在支撑板顶面。本实用新型对支撑晶圆的金属材质的支撑架的形状结构进行改变，同时将晶圆与支撑架的接触部位改为垫圈，这样可以改善晶圆在装卸载位中局部位置散热过快的情况，减小晶圆热应力造成的影响，降低晶圆发生破片的可能性。
装卸支撑结构

[发明专利]残留气体去除设备和方法-CN202010342136.6在审
发明人： 阚保国;阚杰;曹春生;冯大贵;吴长明 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种残留气体去除设备和方法，包括：壳体，为立方体，六个面中具有开口面；至少两个腔室，设置于壳体中，用于放置晶圆，至少两个腔室中设置有进气口和排气口，当设备工作时，从进气口通入气体，气体从出气口排出以去除放置于腔室中的晶圆上的残留气体；门板，设置于开口面。本申请通过在残留气体去除设备的腔室中设置进气口和排气口，当设备工作时，从进气口通入气体，气体从出气口排出以去除放置于腔室中的晶圆上的残留气体，由于通过气体去除残留气体的效率高于静置去除，因此能够降低去除残留气体的时间，提高了器件的制造效率，同时也提高了对晶圆的残留气体的去除效果，在一定程度上降低了晶圆的颗粒缺陷。
残留气体去除设备方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN202010277879.X在审
发明人：许正军;阚杰;石生宝;阚保国 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体制造装置，具体涉及一种等离子体处理装置。离子体处理装置包括，反应腔，反应腔中设有：静电吸盘，静电吸盘包括用于吸附半导体晶片的吸盘本体；聚焦环组件，聚焦环组件包括聚焦环本体，聚焦环本体套设在吸盘本体外周，静电吸盘中设有气流通路，气流通路的一端连通温控气源，另一端用于向聚焦环组件排送温控气体。通过聚焦环组件能将温度传递给半导体晶片的边缘部分，能够进一步地缩小半导体晶片的边缘部分和半导体晶片的中间部分之间的温度差异，缓解导体晶片上温度不均的问题。
等离子体处理装置

[实用新型]阀板组件以及钟摆阀-CN201920775983.4有效
发明人：薛荣华;阚保国;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： B25B27/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体刻蚀设备技术领域，公开了一种钟摆阀，包括阀板组件，阀板组件包括阀板、阀腔以及定型螺柱，在阀腔的内底壁上设置有承接件，定型螺柱能够与承接件螺纹配合以将阀板固定在二者之间。阀板组件还包括：驱动件，用于驱动定型螺柱转动；控制单元，与驱动件通信连接，控制单元能够控制驱动件的动作。本实用新型的阀板组件能够在将阀板放置于阀腔内的正确位置后，自动旋拧定型螺柱，将阀板固定在阀腔内，减轻作业人员的劳动强度、提高生产效率的同时，能够将阀板锁紧在阀腔中，提高真空腔体的压力稳定，进而提高真空腔体的工作效率。
组件以及钟摆

[实用新型]一种移动平台-CN201920369473.7有效
发明人：麦永业;薛强;刘家桦;叶日铨;阚保国 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： B65G47/34 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种移动平台，用于承载并转移干法刻蚀机台的上腔体，移动平台包括移动机构、支撑柱、载台和基座，支撑柱的一端与移动机构连接，另一端与载台连接，基座固定在载台的承载面上，所述基座的承载面用于在其转移过程中放置上腔体，载台沿其厚度方向具有第一通孔，基座沿其厚度方向具有第二通孔，第二通孔叠加在第一通孔上，第一通孔和第二通孔用于避免位于其中的部分上腔体触碰到载台和基座。本实用新型通过移动平台将拆卸下的上腔体移至他处进行维护，其减轻维护人员的作业负荷，消除了维护人员的安全隐患，同时可以使得上、下腔体可以同时进行维护，提高工作效率，减少了次生污染，提高了维护作业合格率。
通孔载台上腔体移动平台本实用新型移动机构支撑柱维护承载干法刻蚀机台安全隐患工作效率维护作业作业负荷承载面下腔体拆卸叠加合格率污染

[实用新型]刻蚀设备-CN201920651490.X有效
发明人：金鑫;徐科;阚保国;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种刻蚀设备，包括石英管，所述石英管内产生等离子体；固定组件，所述固定组件的两端分别为连接端和固定端，所述连接端套设于所述石英管的一端并与所述石英管连接；限位组件，所述限位组件分别设置于靠近所述石英管的两端，一端的限位组件与所述连接端贴合，以使所述固定组件与所述石英管的一端连接时不触碰所述石英管的端部。本实用新型避免了所述石英管在调转时与所述固定组件发生磕碰而产生颗粒的风险，并且便于操作人员确认调转的方向和位置，提高了刻蚀速率的稳定性和安装的便利性。
石英管固定组件限位组件本实用新型连接端等离子体刻蚀设备连接端套一端连接便利性固定端磕碰触碰刻蚀贴合

[实用新型]一种干法刻蚀设备及其顶盖-CN201920859931.5有效
发明人：薛荣华;阚保国;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种干法刻蚀设备及其顶盖，所述顶盖具有腔室，所述顶盖包括下顶盖和上顶盖，所述上顶盖盖合在所述下顶盖上，所述上顶盖远离所述下顶盖的一侧具有一把手，所述把手固定在所述上顶盖上。本实用新型的顶盖在保养时仅需要通过抓取把手将上顶盖移开即可，无需将整个顶盖一起移开，减轻了维修时需要移开的重量，便于操作，方便了维修人员的日常维护工作，预防了事故的发生。
顶盖上顶盖下顶盖移开本实用新型把手干法刻蚀设备抓取日常维护维修盖合腔室保养预防

[实用新型]弯折管路防堵塞结构-CN201920482196.0有效
发明人：徐科;阚保国;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： F16L55/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及管路连接结构技术领域，公开了一种弯折管路防堵塞结构，包括第一管道；第二管道；弯头，与第一管道和第二管道分别连通，自第一管道流出的流体经弯头流入第二管道内；刮刀，包括弯头段，弯头段设置在弯头内；驱动单元，与刮刀连接，驱动单元构成为能够驱动刮刀运动，且该刮刀的弯头段的至少一部分运动行程靠近至少一部分弯头的内壁。本实用新型的弯折管路防堵塞结构能够自动对管路进行清洁，刮除管路内的附着物，避免附着物影响管路的抽取速率，有效解决管路堵塞问题，提高产品和设备的工作效率。
弯头第二管道第一管道弯头段刮刀本实用新型防堵塞结构附着物驱动单元弯折管路连接结构工作效率刮刀运动管路堵塞影响管路有效解决运动行程刮除流体内壁连通抽取流出驱动清洁

[实用新型]半导体设备-CN201920486577.6有效
发明人：薛荣华;阚保国;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体设备，所述半导体设备包括腔体、密封门和隔板，述腔体具有开口，以及围绕所述开口设置的朝腔内凹陷的凹槽；所述隔板可拆卸地嵌设于所述凹槽内；所述密封门位于所述腔体外且相对所述腔体可移动，以遮蔽所述开口，所述密封门的一侧表面内嵌设有密封圈。当所述密封门遮蔽所述开口时，所述密封圈与所述隔板贴合。本实用新型利用可拆卸的隔板与密封门接触，从而可以避免密封门上的密封圈与腔体直接接触，在维护腔体表面的清洁时，由于隔板是可拆卸的，可以直接取下清洁或更换，不需再费力擦拭外腔面，使维护简单易行；并且，也不会因擦拭外腔面的残留物而产生杂质颗粒污染设备的其它组件，维护过程安全可靠。
隔板密封门腔体密封圈半导体设备本实用新型开口可拆卸的外腔遮蔽擦拭过程安全开口设置污染设备杂质颗粒清洁可拆卸可移动凹陷维护内嵌嵌设腔内取下贴合密封费力

[实用新型]密封垫-CN201920403726.8有效
发明人：薛荣华;阚保国;曹兴龙;麦永业;沈祥;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： G05G5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种密封垫。所述密封垫包括：基板，所述基板中具有至少一第一通孔，所述第一通孔用于一连接件穿过，所述连接件用于连接两个装置；两个挡板，两个所述挡板分布于所述基板的相对两侧，且沿垂直于所述基板的方向同向延伸，用于卡合两个所述装置中的一个，以避免两个所述装置连接时发生位置偏移。本实用新型增强了两装置之间连接的稳固性，确保了半导体制程持续、稳定的进行。
基板挡板连接件密封垫通孔半导体制造技术半导体制程本实用新型发生位置同向延伸相对两侧装置连接稳固性偏移卡合密封垂直穿过

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