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[发明专利]一种自动扫描缺陷的方法-CN201811595214.2有效
发明人： 王洲男 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种自动扫描缺陷的方法，应用于缺陷扫描工艺中，包括步骤S1，确定多个预设的缺陷扫描策略，并根据扫描精度由上至下对多个缺陷扫描策略进行排列；步骤S2，根据扫描精度最大的缺陷扫描策略对晶圆进行扫描，并持续监控以得到晶圆上晶粒的已扫描数量以及缺陷数量；步骤S3，根据缺陷数量和已扫描数量，依照一预设的计算策略计算得到于本次选择的缺陷扫描策略下的预测缺陷数量；步骤S4，判断预测缺陷数量是否超出一预设的对应于本次选择的缺陷扫描策略的缺陷数量阈值；步骤S2‑S4循环进行，直至对晶圆上所有晶粒均扫描完毕为止。本发明的有益效果在于：通过进行实时预测来更换缺陷扫描策略来得到完整的缺陷晶圆缺陷分布图，从而降低人力物力。
一种自动扫描缺陷方法

[发明专利]一种晶圆缺陷扫描方法-CN201811458460.3有效
发明人： 王洲男;顾晓芳;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆缺陷扫描方法，首先，根据采集到的晶圆表面的光学图像获取像素网格，获取所述像素网格的灰阶值并划分出灰阶值区间，然后，将所述灰阶值区间与图形密度数据区间进行组合，得到阶梯式灵敏度区域，最后，对所述阶梯式灵敏度区域进行阶梯式缺陷扫描。与现有的缺陷扫描方法相比，该方法可以对缺陷扫描区域进行快速准确的划分，减少了人为操作失误，提高了晶圆缺陷扫描的准确性；进一步的，该方法减少了生产成本，提高了工作效率，改善机台产能。
一种缺陷扫描方法

[发明专利]获取晶圆晶背刮伤来源的方法-CN201810157691.4有效
发明人： 王洲男;顾晓芳;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-02-24 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种获取晶圆晶背刮伤来源的方法，包括将生产机台的机械手按照截面宽度的大小进行分组；对晶圆晶背进行颗粒检测，以判断所述晶圆晶背是否刮伤；当所述晶圆晶背发生刮伤时，获取刮痕与所述晶圆圆心之间的最短距离；根据所述刮痕与所述晶圆圆心之间的最短距离判断刮伤所述晶圆晶背的机械手的组别。采用颗粒检测的方法能够快速而准确的判断出晶圆晶背是否刮伤，提高了检测的效率，避免了人工目检的不确定性，将生产机台的机械手进行分组，当晶圆晶背刮伤时，能够快速确定刮伤晶圆晶背的机械手的组别，从而及时有效的找出发生问题的生产机台，避免了批量性不良品的产生，而且减少人力支出，有效的提高了产品的良率和品质。
获取晶圆晶背刮伤来源方法

[发明专利]系统性缺陷的监控方法-CN201810157687.8在审
发明人： 王洲男;顾晓芳;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-02-24 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种系统性缺陷的监控方法，包括：提供产生系统性缺陷的半导体结构，分析所述半导体结构产生系统性缺陷的原因；根据所述半导体器件产生系统性缺陷的原因确定需要监测的生产机台；对所述生产机台的工艺参数进行实时监测；当所述工艺参数超过设定范围时，报警提醒。本发明先追踪定位半导体结构产生系统性缺陷的原因，再对造成半导体结构系统性缺陷的生产机台进行实时监测，当生产机台的工艺参数超过设定范围时，能够及时地发现并报警，在工艺参数异常之初就可以预知系统性缺陷的发生，从而可以及时地停机检查，避免了批量性不良品的产生，提高了产品的良率、降低了制造成本。
系统性缺陷半导体结构生产机台实时监测报警半导体器件原因确定制造成本追踪定位不良品批量性监控良率停机监测分析检查发现

[发明专利]一种利用真空吸盘固定晶圆的系统及方法-CN201510663041.3在审
发明人： 王洲男;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺改良领域，尤其涉及一种利用真空吸盘固定晶圆的系统及方法，通过非晶边接触的晶背真空吸盘吸附固定方式取代原有的晶边接触式固定方式，并连接传动装置实现匀速运转，在保证了工艺技术要求的同时，也避免了晶边接触受力的问题，从而降低了由于晶边受力不均匀造成的破片现象。
一种利用真空吸盘固定系统方法

[发明专利]去除双大马士革工艺中聚合物残留的方法-CN201410217630.4在审
发明人： 王洲男;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除双大马士革工艺中聚合物残留的方法，其包括：在半导体器件衬底上涂覆光刻胶；经光刻工艺，图案化光刻胶；经刻蚀工艺，刻蚀半导体器件衬底；去除光刻胶；采用有机药液和水对半导体器件衬底进行第一清洗过程；采用低浓度氢氟酸溶液对半导体器件衬底进行第二清洗过程。通过采用有机药液和低浓度氢氟酸相结合的清洗方式，即经现有的清洗过程之后，再增加一道采用低浓度氢氟酸的清洗过程，从而有效地去除了刻蚀工艺后半导体器件衬底上的聚合物残留，避免了后续工艺中聚合物覆盖在半导体器件衬底表面而形成的金属层大面积缺失的现象，提高了工艺质量。
去除大马士革工艺聚合物残留方法

[发明专利]监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法-CN201410253190.8在审
发明人：范荣伟;王洲男;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，包括：在预期产生大颗粒缺陷的步骤对晶圆进行缺陷检测；收集将造成后续工艺缺陷扩散的缺陷信息，并将收集的缺陷信息传送至空间特征分析处理器，以便对缺陷信息进行特征化分析以提取出特征信息；将空间特征分析处理器提取的特征信息与制造执行系统联通以使得在出现大颗粒缺陷时直接通过制造执行系统将硅片留住；将空间特征分析处理器通过制造执行系统留住的硅片进行返工处理。通过应用本发明，可以有效预防光刻大颗缺陷的影响，为良率提升提供保障。
监控消除尺寸缺陷导致后续工艺扩散方法

[发明专利]预防硅片破片的方法-CN201410216682.X在审
发明人：范荣伟;王洲男;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种预防硅片破片的方法，包括：第一步骤，从将要执行的所有硅片处理工艺中筛选出工艺过程中对将被处理的硅片产生的应力大于预定应力值的特定工艺；第二步骤，在所有特定工艺执行之前对将被处理的硅片进行晶边检查；第三步骤，将检测到存在缺角的硅片进行及时报废处理。通过应用本发明，可以有效预防在线破片的发生，避免由破片带来的机台停机与污染等损失。通过及时报废此类硅片有效避免了硅片破片带来的严重影响。
预防硅片破片方法

[发明专利]调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的方法及系统-CN201310156474.0有效
发明人：朱陆君;倪棋梁;龙吟;陈宏璘;王洲男 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的方法和系统，包括：获得具有停留时间限制的当前工艺阶段，获得当前工艺阶段的规定停留时间、产能、当前等待生产的产品数目；获得当前工艺阶段的最大停留时间；若所述最大停留时间大于规定停留时间，则减小前一工艺阶段的产能，反之，预计增大前一工艺阶段的产能之后的当前工艺阶段的预计最大停留时间，若所述预计最大停留时间小于等于规定停留时间，则增大前一工艺阶段产能，反之，则维持前一工艺阶段的产能。本发明能够实现对相关工艺阶段产能的自动调整，平衡各工艺阶段之间的产能，从而避免良率的影响，达到产能和品质的双赢。
调整具有停留时间限制工艺阶段产能方法系统

[发明专利]检测研磨工艺负载效应的方法-CN201310082029.4有效
发明人：龙吟;范荣伟;王洲男;倪棋梁;王恺;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测研磨工艺负载效应的方法，通过采用测试晶圆测试出平坦化工艺的研磨缺陷间距及研磨工艺的最佳工艺时间，于工艺晶圆上设置对应间距的虚拟图案，并对工艺晶圆进行最佳工艺时间的平坦化工艺，进而能有效的避免因晶圆上图形密度不同而引起的负载效应的产生，在提高产品性能的同时，增大了产品的良率。
检测研磨工艺负载效应方法

[发明专利]基于图形识别的缺陷检索系统及方法-CN201210501777.7无效
发明人：龙吟;范荣伟;王洲男;倪棋梁;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于图形识别的缺陷检索系统及其方法，该方法包括如下步骤：建立缺陷数据库，并采用图形边界轮廓算法对缺陷数据库中的各种缺陷图形进行计算，一一对应的建立各种缺陷的轮廓特征数据；接收所输入的待查缺陷的图片；采用图形边界轮廓算法对待查缺陷的图片运算后取得其轮廓特征数据；将提取获得的轮廓特征数据与缺陷数据库中建立的轮廓特征数据进行比对；以及根据比对的结果，从缺陷数据库中找到相同或相似的缺陷数据信息及相关解决方案，通过本发明可实现检索缺陷数据库的目的，节省人力物力资源。
基于图形识别缺陷检索系统方法

[发明专利]晶圆器件单元混合扫描方法-CN201210352945.0有效
发明人： 王洲男;龙吟;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆器件单元混合扫描方法。在一个器件单元集合中，通过不同裸片之间的比对，计算差值，从而确定缺陷位置。在所述器件单元集合中，在每一个裸片中，通过裸片中重复出现的器件单元之间的相互比对，计算差值，从而确定缺陷位置。根据采用D2D模式的扫描步骤中确定的缺陷位置以及采用C2C模式的扫描步骤中确定的缺陷位置，确定所述器件单元集合中的所有缺陷位置。当采用D2D模式的扫描步骤和采用C2C模式的扫描步骤都确定所述器件单元集合的同一区域存在缺陷时，保留采用C2C模式的扫描步骤中确定的所有缺陷位置；并且对采用D2D模式的扫描步骤中确定的缺陷位置进行分析，滤除小于单个器件单元面积的缺陷，而保留其它缺陷位置。
器件单元混合扫描方法

[发明专利]一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法-CN201210157809.6有效
发明人：倪棋梁;陈宏璘;王洲男;龙吟;郭明升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，包括以下的工艺步骤：在器件的有源区中形成N型井和P型井；在N型井和P型井中刻蚀出镍金属填充区域；在镍金属填充区域进行镍金属硅化物的填充；在有源区以及N型井和P型井的上表面淀积介质层；在位于N型井和P型井的镍金属硅化物的上表面，刻蚀介质层并形成两接触孔；在两接触孔中进行钨的填充；对器件进行退火；使用电子显微镜检测镍金属硅化物在器件的平面里所生长的长度。通过使用本发明一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，有效地通过电子显微镜观察P型井与N型井中间不同尺寸的接触孔的亮光与暗光的变化，可以计算出得出镍金属硅化物在器件的平面内所生长的长度，同时能够很好的控制该工艺的质量。
一种检测金属硅平面生长长度方法

[发明专利]一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法-CN201210225808.0有效
发明人： 王洲男;龙吟;倪棋梁;陈宏璘;郭明升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法。本发明提出一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，通过实时的对进行缺陷扫描的半导体器件产生的光斑进行收集和分析后，并将该实时光斑信息及时的转化为光斑图形，并根据该光斑图形制备匹配形状的光斑阻挡板，根据该光斑阻挡板进行缺陷检测工艺；这样能有效避免因产生预料之外的光斑图形对工艺进度的影响，进而有效的抑制光斑对缺陷检测工艺的影响，极大的提高扫描质量，从而保证机台的扫描灵敏度。
一种缺陷扫描中的光斑抑制方法

[发明专利]一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法-CN201210204463.0有效
发明人：倪棋梁;陈宏璘;王洲男;龙吟;郭明升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法。本发明提出一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法，通过在多晶硅栅极和有源区上设置等距等孔径的接触孔，并通过电子显微镜进行检测，得到有量化数值的在平面内工艺对准度的分布图，从而更好的控制工艺的质量。
一种检测接触多晶栅极对准方法

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