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[发明专利]一种功率半导体器件终端结构及其制备方法-CN201710496046.0在审
发明人：任敏;罗蕾;李佳驹;苏志恒;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体器件的终端结构及其制备方法，包括阴极金属电极、第一导电类型重掺杂半导体衬底、第一导电类型半导体轻掺杂漂移区、场氧化层、第二导电类型半导体主结区、第一导电类型半导体重掺杂截止环；第一导电类型半导体轻掺杂漂移区内部上表面具有沟槽，沟槽中设有填充介质，沟槽下方设有第二导电类型半导体轻掺杂RESURF层；本发明第二导电类型半导体轻掺杂RESURF层与其上方和下方的第一导电类型半导体轻掺杂区相互耗尽，改变了平行于半导体表面方向上的电场分布，使电场呈现为近似矩形的分布，在同等电压条件下减小终端面积，提高芯片面积效率；并且可在挖沟槽后再通过离子注入形成第二导电类型半导体轻掺杂RESURF层，降低了工艺难度。
一种功率半导体器件终端结构及其制备方法

[发明专利]一种高压器件及其制造方法-CN201310418088.4有效
发明人：乔明;李燕妃;蔡林希;吴文杰;许琬;陈涛;胡利志;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种高压器件及其制造方法。本发明的高压器件集成在第一种导电类型半导体衬底上，包括第二种导电类型半导体漂移区、第二种导电类型半导体源区、第二种导电类型半导体漏区、第二种导电类型半导体重掺杂层、第一种导电类型半导体体区、第一种导电类型半导体体接触区、第一种导电类型半导体降场层、栅氧化层、场氧化层、金属前介质、多晶硅栅电极、源极金属、漏极金属，第二种导电类型半导体重掺杂层设置在场氧化层和第一种导电类型半导体降场层之间。
一种高压器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210544601.3在审
发明人：陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中该半导体结构包括：基板，具有第一导电类型；第一半导体层，在基板上并具有第二导电类型，第二导电类型不同于第一导电类型；第二半导体层，在第一半导体层上并具有第一导电类型；埋置层，在第二半导体层上并具有第二导电类型；外延层，在埋置层上并具有第二导电类型；以及深沟槽隔离结构，从外延层的顶表面往下延伸穿过外延层、埋置层、第二半导体层以及第一半导体层，并延伸至基板之中。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件和制造方法-CN202010496658.1有效
发明人：苟于单;王俊;程洋;肖啸;郭银涛 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，涉及半导体光电子器件领域。本发明公开的半导体器件，包括：第一导电类型半导体层；设置在第一导电类型半导体层上的插入层，插入层为硅碲共掺杂的铟镓砷；设置在插入层上第二导电类型半导体层；其中第一导电类型和第二导电类型是不同的导电类型。本发明公开的半导体器件可实现较高的隧穿峰值电流，可满足较高的隧穿电流需求。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]半导体发光器件-CN200980145944.5有效
发明人：崔繁在;李相范;李进馥;金裕承;宋尚烨 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：在半导体发光器件中，发光结构包括顺序形成在导电基底上的第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。第二导电类型电极包括导电通孔和电连接部分。导电通孔穿过第一导电类型半导体层和活性层，并连接到第二导电类型半导体层的内部。电连接部分从导电通孔延伸，并暴露于发光结构的外部。绝缘体使第二导电类型半导体层与导电基底、第一导电类型半导体层和活性层电分离。钝化层形成为至少覆盖发光结构中的活性层的侧表面。不平坦结构形成在从活性层发射的光的通路上。
半导体发光器件

[发明专利]用于更软的反向恢复且有载流子的逐渐注入的半导体器件-CN202180022071.X有效
发明人： W·A·维塔勒;L·德-米奇伊里斯;B·K·博克斯坦;E·布伊特拉戈;M·安德娜 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：半导体器件按从第一主侧(21)到第二主侧(22)的顺序包括：第一导电类型的第一半导体层(3)、第二导电类型的第三半导体层(41)、第二导电类型的第五半导体层(43)、以及第二导电类型的第四半导体层(42)，其中，第三半导体层与第一半导体层(3)形成pn结(5)，第五半导体层(43)的最大掺杂浓度低于第四半导体层(42)的最大掺杂浓度且高于第三半导体层(41)的最大掺杂浓度，并且其中，第一导电类型的第一半导体区(51)和第二半导体区(52)完全嵌入在第五半导体层(43)中。在反向恢复期间，第一半导体区(51)的第一导电类型载流子注入持续时间不同于第二半导体区(52)的第一导电类型载流子注入持续时间。
用于反向恢复载流子逐渐注入半导体器件

[发明专利]一种具有抗SEB能力的VDMOS器件-CN201710726322.8有效
发明人：任敏;林育赐;苏志恒;何文静;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有抗SEB能力的VDMOS器件，从下到上依次层叠金属化漏极、第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体外延层、金属化源极；还包括第二导电类型半导体体区、第一导电类型半导体源区、第二导电类型半导体体接触区，两侧的第二导电类型半导体体区之间具有栅极结构；本发明通过在第二导电类型半导体体区的底部引入载流子引导区，引导区的杂质分布能够产生自建电场，该自建电场能够引导载流子避免流经第二导电类型半导体体区位于第一导电类型半导体源区正下方的部分
一种具有 seb 能力 vdmos 器件

[发明专利]发光器件和发光器件封装-CN201010572450.X有效
发明人：孙孝根 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：该发光器件，包括：第二导电类型半导体层；有源层；第一导电类型半导体层；以及中间折射层。有源层被设置在第二导电类型半导体层上。第一导电类型半导体层被设置在有源层上。中间折射层被设置在第一导电类型半导体层上。中间折射层具有的折射率小于第一导电类型半导体层的折射率并且大于空气的折射率。
发光器件封装

[发明专利]一种改善输出电容的功率MOSFET器件-CN202310317766.1在审
发明人：任敏;张淑萍;陶霖;王彤阳;李泽宏;张波;母国才 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种改善输出电容的功率MOSFET器件，包括漏极金属、重掺杂第一导电类型半导体衬底、轻掺杂第二导电类型半导体外延层、轻掺杂第一导电类型半导体埋层、重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片、栅极介质层、栅多晶硅电极、第二导电类型半导体体区、第一导电类型半导体漂移区、重掺杂第一导电类型半导体源区、重掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区、绝缘介质层、源极金属；本发明所提供的一种改善输出电容的功率MOSFET器件结构通过在半导体体区下方引入埋层结构辅助耗尽外延层使得漏源之间PN结的耗尽区进一步展宽，进而减小漏源之间的结电容，从而改善器件输出电容。
一种改善输出电容功率 mosfet 器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410428118.4无效
发明人：太田千春;高尾和人;西尾让司;四户孝 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：根据一个实施例，半导体器件包含第一半导体区域、第二半导体区域、以及第三半导体区域。所述第一半导体区域包含碳化硅。所述第一半导体区域的导电类型是第一导电类型。所述第二半导体区域包含碳化硅。所述第二半导体区域的导电类型是第二导电类型。所述第三半导体区域包含碳化硅。所述第三半导体的导电类型是所述第二导电类型。所述第三半导体区域提供于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间。当在连接所述第一半导体区域和所述第二半导体区域的方向上看时，所述第二半导体区域与所述第三半导体区域的交叠区域的面积小于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域的交叠区域的面积。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]紫外半导体发光器件-CN201811521399.2在审
发明人：朴永焕;金美贤;徐钟旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：紫外半导体发光器件包括半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二电极。半导体堆叠包括第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及在它们之间的有源层，有源层包括AlGaN半导体材料。沟槽延伸通过第二导电类型的半导体层和有源层到达第一导电类型的半导体层并具有第一宽度。填充绝缘体填充沟槽，使得填充绝缘体在沟槽中至少延伸通过有源层，并且包括具有特定折射率的绝缘材料。第一电极连接到第一导电类型的半导体层，第二电极连接到第二导电类型的半导体层。
半导体层源层第一导电类型导电类型绝缘体填充半导体堆叠紫外半导体第二电极第一电极发光器件半导体材料绝缘体填充绝缘材料折射率延伸

[发明专利]一种超结功率DMOS器件-CN201810528613.0在审
发明人：任敏;宋炳炎;何文静;李泽宏;高巍;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种超结功率DMOS器件，包括有源区、过渡区和终端区，有源区由若干个重复元胞构成，每个元胞包括：第一导电类型半导体轻掺杂外延层、第二导电类型半导体柱、第二导电类型半导体体区、第一导电类型半导体源区、第二导电类型半导体接触区、有源区第一导电类型半导体轻掺杂外延层；终端区包括：终端区第一导电类型半导体轻掺杂外延层、终端区第二导电类型半导体柱；过渡区包括过渡区第一导电类型半导体轻掺杂外延层、过渡区第二导电类型半导体柱
导电类型半导体第一导电类型过渡区轻掺杂外延层终端区半导体源区体二极管超结元胞非平衡载流子半导体源区反向恢复时器件可靠性过热烧毁少子复合正向导通接触区体区重复

[发明专利]一种改善体二极管特性的超结器件-CN202210370739.6有效
发明人：杨国江;于世珩 -专利权人：江苏长晶科技股份有限公司;江苏长晶浦联功率半导体有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种改善体二极管特性的超结器件，由下至上具有：金属化漏极、重掺杂第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体缓冲层及低掺杂第一导电类型半导体缓冲层，第一导电类型半导体外延层和第二导电类型半导体柱构成超结结构，第二导电类型半导体柱向下延伸至低掺杂第一导电类型半导体缓冲层之中且被高掺杂第一导电类型半导体阻挡层所包围，高掺杂第一导电类型半导体阻挡层也位于低掺杂第一导电类型半导体缓冲层之中。
一种改善二极管特性器件

[发明专利]发光器件、发光器件阵列、光学记录头、图像成形装置和制造发光器件的方法-CN201210230065.6有效
发明人：近藤崇;木下卓;武田一隆 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：提供了一种发光器件，包括第一导电类型的半导体基板；第一导电类型的半导体多层反射镜，形成在半导体基板上；第一导电类型的第一半导体层，形成在半导体多层反射镜上；第二导电类型的第二半导体层，形成在第一半导体层上；第一导电类型的第三半导体层，形成在第二半导体层上；第二导电类型的第四半导体层，形成在第三半导体层上；第一电极，形成在半导体基板的背面；以及第二电极，形成在第四半导体层上，其中，所述半导体多层反射镜包括被选择性地氧化的第一氧化区和与所述第一氧化区相邻的第一导电区，并且所述第一导电区电连接所述半导体基板和所述第一半导体层。
发光器件阵列光学记录图像成形装置制造方法

[发明专利]一种栅控晶闸管器件-CN201710706119.4在审
发明人：任敏;林育赐;何文静;苏志恒;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明自下而上包括依次层叠设置的金属阳极、第一导电类型半导体掺杂衬底，第二导电类型半导体掺杂外延层，所述第二导电类型半导体掺杂外延层的上表面设置有金属阴极和绝缘栅，所述第二导电类型半导体掺杂外延层的顶层两端分别设置有第一导电类型半导体掺杂阱区，第二导电类型半导体掺杂阱区和第一导电类型半导体重掺杂区，所述第二导电类型半导体掺杂阱区中掺杂有深能级杂质。
一种晶闸管器件