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[发明专利]半导体器件-CN201880025956.3有效
发明人：朴德炫;郑炳学 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：根据本发明的半导体器件包括：导电衬底；半导体结构，其被布置在导电衬底上并且包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及第一电极，其被布置在半导体结构上并且电连接到第一导电类型半导体层，其中，半导体结构还包括在第一导电类型半导体层和第一电极之间的1‑1导电类型半导体层；以及半导体结构的顶表面包括：在其上布置第一电极的平坦部以及围绕该平坦部的凹凸部，其中从半导体结构的底表面到接触平坦部的侧表面的凹凸部的底表面的第二距离可以在相对于从半导体结构的底表面到1‑1导电半导体层的顶表面的第一距离的70％或者更多与95％或者更少之间。本发明可以通过改善半导体器件的电流扩散现象来增强光通量。
半导体器件

[发明专利]半导体发光器件及其制造方法-CN201610635483.1在审
发明人：李守烈;李进馥;朱铜赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光器件和一种制造半导体发光器件的方法。所述半导体发光器件包括半导体堆叠、绝缘层、电流扩散层以及第一指形电极和第二指形电极。半导体堆叠包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；位于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；以及穿过第二导电类型半导体层和有源层以暴露第一导电类型半导体层的一部分的沟槽。电流扩散层设置在第二导电类型半导体层上。第一指形电极设置在第一导电类型半导体层的暴露部分上。第二绝缘层设置在第一导电类型半导体层的暴露部分上，以覆盖第一指形电极。
半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]发光器件和包括发光器件的照明设备-CN201410275911.5有效
发明人：吴沼泳;黃盛珉 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：发光器件包括包含第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层的发光结构；布置在第一导电类型半导体层上的第一电极；以及布置在第二导电类型半导体层上的第二电极发光结构包括部分地蚀刻第二导电类型半导体层、有源层以及第一导电类型半导体层的台面蚀刻区域，从而暴露第一导电类型半导体层的一部分。第一电极布置在第一导电类型半导体层的暴露的部分上。第一电极层被布置在第二导电类型半导体层和第二电极之间。第二电极层布置于在台面蚀刻区域的相对侧处被相互隔开的第一电极层的部分之间。
发光器件包括照明设备

[发明专利]快恢复二极管及其制备方法-CN202011520153.0在审
发明人：曹群;郭小青 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本公开涉及一种快恢复二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，能够大大降低工艺门槛和价格成本，而且还能够形成更有效的局域寿命控制，提升快恢复二极管的关断软度性能。一种快恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层的上表面存在晶格失配；第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层位于所述第一导电类型半导体层的上表面，且与所述第一导电类型半导体层的上表面同形，而且，所述第二导电类型半导体层与所述第一导电类型半导体层相接触以形成PN结。
恢复二极管及其制备方法

[发明专利]横向高压器件及其制造方法-CN201510477666.0在审
发明人：乔明;代刚;王裕如;周锌;何逸涛;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种横向高压器件及其制备方法，器件元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体漂移区，第二导电类型半导体漂移区自下而上依次层叠设置多个第二导电类型半导体子漂移区，方法为：采用离子注入工艺在第一导电类型半导体衬底上注入第二导电类型半导体第一漂移区；采用外延工艺依次形成其他第二导电类型半导体子漂移区；采用离子注入在第二导电类型半导体子漂移区内形成第一导电类型半导体降场层、第二导电类型半导体重掺杂层，本发明是将传统的漂移区制作为多层漂移区叠加的结构，这样每个子漂移区都有一条低阻最近导电路径，可以降低导通电阻；关态时，每个漂移区内的降场层辅助耗尽漂移区，从而提高器件的击穿电压。
横向高压器件及其制造方法

[发明专利]一种沟槽型功率半导体器件及其制造方法-CN202210762450.9在审
发明人：乔明;林峙宇;方冬;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽型功率半导体器件及其制造方法，包括第一导电类型半导体衬底、漏极金属、第一和第二导电类型半导体漂移区、分离栅沟槽结构、第二导电类型半导体体区，第一导电类型半导体源区以及源极金属电极，分离栅沟槽结构包括控制栅电极及其周围栅介质层以及通过介质层相连并位于沟槽底部的分离栅本发明在沟槽与沟槽之间的第一导电类型半导体漂移区域内引入第二导电类型半导体漂移区以帮助耗尽第一导电类型半导体漂移区，同时将沟槽内的介质层以及控制栅电极引入第二导电类型半导体体区内，位于第二导电类型半导体漂移区顶部以提高漂移区掺杂浓度
一种沟槽功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]槽型半导体功率器件-CN201010610944.2无效
发明人：罗小蓉;姚国亮;雷天飞;王元刚;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，该器件包括半导体衬底，所述半导体衬底上是半导体漂移区，所述半导体漂移区包括第一导电类型的半导体区和第二导电类型的半导体区，所述第一导电类型的半导体区和所述第二导电类型的半导体区形成超结结构所述半导体衬底上是高K介质，所述高K介质与所述第二导电类型的半导体区相邻。所述半导体漂移区上是有源区。所述高K介质上是槽栅结构，所述槽栅结构与所述有源区相邻。其中，所述第二导电类型的半导体区通过小倾角离子注入形成，因此宽度窄且浓度高。
半导体功率器件

[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统-CN201110041163.0有效
发明人：郑汉旭 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：该发光器件包括：第一导电类型半导体层，该第一导电类型半导体层包括P型掺杂物并且具有多个孔；电极，该电极被连接到第一导电类型半导体层；在第一导电类型半导体层下面的有源层；在有源层下面的第二导电类型半导体层；以及在第二导电类型半导体层下面的电极层。
发光器件封装以及照明系统

[发明专利]LED和LED封装-CN200980141602.6有效
发明人：崔正铉;姜正模;金斗显;金在煜 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2009-06-05 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：该LED包括第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层、第一电介质层和第一电极层。第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层在衬底上。第一电介质层覆盖第二导电类型半导体层和有源层的边缘。第一电极层覆盖第一导电类型半导体层的边缘。
led 封装

[发明专利]发光器件-CN201510344582.X有效
发明人：孙孝根 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：在一个实施例中，发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和在有源层和第二导电类型半导体层之间的抗电流泄漏层第一导电类型半导体层包括多个沟槽。沿着沟槽形成有源层。与第二导电类型半导体层相邻的抗电流泄漏层的表面是平坦的。
发光器件

[发明专利]发光器件-CN201110042266.9有效
发明人：孙孝根 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：在一个实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和在有源层和第二导电类型半导体层之间的抗电流泄漏层第一导电类型半导体层包括多个沟槽。沿着沟槽形成有源层。与第二导电类型半导体层相邻的抗电流泄漏层的表面是平坦的。
发光器件

[发明专利]一种功率半导体器件的RESURF终端结构-CN201710495643.1在审
发明人：任敏;李佳驹;罗蕾;林育赐;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体器件的RESURF终端结构，包括阴极金属电极、第一导电类型重掺杂半导体衬底、第一导电类型半导体轻掺杂漂移区、场氧化层、位于场氧化层上表面或者左侧的场板、覆盖所述场板和场氧化层的硼磷硅玻璃层、第二导电类型半导体主结、第二导电类型半导体轻掺杂RESURF层、第一导电类型半导体轻掺杂区、第一导电类型半导体重掺杂截止环；本发明第二导电类型半导体轻掺杂RESURF层与其上方的第一导电类型半导体轻掺杂区相互耗尽，形成空间电荷区，改变半导体表面电场的分布，该发明能够缓解半导体表面的电场集中，使终端的耐压能尽量达到平行平面结的击穿电压，同时减小终端面积，提高芯片面积效率。
一种功率半导体器件 resurf 终端结构

[发明专利]一种提高抗浪涌能力的栅控晶闸管器件-CN201710707841.X在审
发明人：任敏;林育赐;何文静;苏志恒;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明提供一种提高抗浪涌能力的栅控晶闸管器件，包括第一导电类型半导体衬底和第二导电类型半导体外延层，第二导电类型半导体外延层的顶层两端分别具有第一导电类型半导体阱区；第一导电类型半导体阱区内具有第二导电类型半导体阱区；第二导电类型半导体阱区内具有重掺杂第一导电类型半导体区；第二导电类型半导体阱区采用组分渐变的混合晶体材料，形成渐变的禁带宽度，且禁带宽度的渐变方式为在器件的纵向方向上，从靠近金属化阴极的上表面到远离金属化阴极的下表面，构成第二导电类型半导体阱区的混合晶体材料的禁带宽度逐渐减小，提高了通态电流临界上升率di/dt，从而提升了栅控晶闸管的抗浪涌能力。
一种提高浪涌能力晶闸管器件

[发明专利]发光器件以及发光器件封装-CN201210068656.8有效
发明人：金载焄 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：该发光器件包括第一导电类型半导体层；有源层，布置在所述第一导电类型半导体层上；隧道结层，包括布置在所述有源层上的第二导电类型氮化物半导体层与第一导电类型氮化物半导体层，其中所述第一导电类型氮化物半导体层与所述第二导电类型氮化物半导体层以PN结的方式联结；第一电极，布置在所述第一导电类型半导体层上；以及第二电极，布置在所述第一导电类型氮化物半导体层上，其中所述第二电极的一部分穿过所述第一导电类型氮化物半导体层与所述第二导电类型氮化物半导体层肖特基接触
发光器件以及封装

[发明专利]一种具有内置镇流电阻的高压IGBT器件-CN201711445407.5有效
发明人：李泽宏;彭鑫;吴玉舟;殷鹏飞;任敏;高巍;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有内置镇流电阻的高压IGBT器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体P+集电区、金属集电极、第二导电类型半导体缓冲层、第二导电类型半导体N‑漂移区、第一导电类型半导体P型基区、重掺杂第一导电类型半导体P+掺杂区、第二导电类型半导体内置镇流电阻区和重掺杂第二导电类型半导体N+发射区，第二导电类型半导体内置镇流电阻区取代第二导电类型半导体N+发射区向栅极结构下方横向扩展的部分，从而使第二导电类型半导体内置镇流电阻区处于栅极电压控制区域
一种具有内置流电高压 igbt 器件