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[发明专利]光电子半导体芯片和用于其制造的方法-CN201280050977.3有效
发明人： A.S.阿夫拉梅斯库;P.罗德;M.施特拉斯堡 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：说明了一种带有层堆叠的半导体芯片，该层堆叠具有第一半导体层序列（21a）以及第二半导体层序列（21b）。第一半导体层序列（21a）具有第一导电类型的第一半导体区域（2a）、第二导电类型的第二半导体区域（2b）和布置其间的有源区（1a）。该第二半导体层序列（21b）具有第二导电类型的第二半导体区域（2b）、第一导电类型的第三半导体区域（2c）和布置其间的第二有源区（1b）。此外，还说明了一种用于制造这种半导体类型的方法。
光电子半导体芯片用于制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111260699.1在审
发明人：刘利书 -专利权人：美垦半导体技术有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底；多个栅极结构，位于所述第一导电类型的半导体衬底内；第二导电类型的浮空区，位于相邻两个栅极结构之间；其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；在所述第二导电类型的浮空区内，靠近所述栅极结构的部分的掺杂浓度小于远离所述栅极结构的部分的掺杂浓度。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]固态成像设备、成像系统和能移动的物体-CN201810216003.7有效
发明人：池田一;小林昌弘 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：光电转换单元包括第一导电类型的第一半导体区域、在其下面的第二导电类型的第二半导体区域、在其下面的第一导电类型的第三半导体区域和在其下面的第二导电类型的第四半导体区域。第一保持部包括第二导电类型的第五半导体区域和在其下面的在设置第三半导体区域的深度处的第一导电类型的第六半导体区域。在第三和第六半导体区域之间设置与第三和第六半导体区域相比具有更低电位的半导体区域。
固态成像设备系统移动物体

[发明专利]一种超低比导的超结MOSFET及其制备方法-CN202210370727.3有效
发明人：杨国江;于世珩 -专利权人：江苏长晶科技股份有限公司;江苏长晶浦联功率半导体有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种超低比导的超结MOSFET及其制备方法，第一导电类型半导体掺杂柱区的顶部具有第二导电类型半导体基区，第二导电类型半导体柱区的上方具有沟槽型多晶硅栅电极，多晶硅栅电极的全部侧面和底面被栅介质层所包围，在第一导电类型半导体掺杂柱区和第二导电类型半导体柱区之间具有低掺杂的半导体中间层，半导体中间层位于第二导电类型半导体基区的下方，且半导体中间层的顶部包裹栅介质层底部拐角，半导体中间层从顶部到底部，越靠近底部
一种 mosfet 及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN201410028187.6在审
发明人：佐藤慎哉 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体器件，包括：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，设置在第一半导体层内，具有与第一半导体层相接的第一侧面和第一底部，在内部具有第一空洞部，第二导电类型的杂质浓度从第一侧面朝着第一空洞部降低；以及第二导电类型的第三半导体层，以使第一半导体层位于第三半导体层与第二半导体层之间的方式设置在第一半导体层内，具有与第一半导体层相接的第二侧面和第二底部，在内部具有第二空洞部，第二导电类型的杂质浓度从第二侧面朝着第二空洞部降低
半导体器件

[发明专利]开关器件和制造开关器件的方法-CN201710665659.2有效
发明人：黑川雄斗;山下侑佑;浦上泰 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：开关器件包括半导体衬底；第一沟槽和第二沟槽；栅极绝缘层；和栅极电极。半导体衬底包括在延伸到第一沟槽和第二沟槽的底表面的区域中布置的第一导电类型的第一半导体区、第二导电类型的本体区、第一导电类型的第二半导体区、第二导电类型的第一底部半导体区和第二底部半导体区，以及从第一沟槽在从本体区的下端的深度到第一沟槽和第二沟槽的底表面的深度的深度范围内延伸以到达第二沟槽的第二导电类型的连接半导体区，所述连接半导体区接触所述第二半导体区，并且被连接到所述本体区以及所述第一底部半导体区和所述第二底部半导体区。
开关器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法和喷液设备-CN200810175002.9无效
发明人：下津佐峰生;藤田桂;早川幸宏 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2001-12-28 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体器件，包括，集成在第1导电类型的半导体衬底上的多个电热转换元件和使电流流过电热转换元件的多个转换器件，转换器件是绝缘栅型FET，每个晶体管包括：在半导体衬底的一主表面形成的第2导电类型的第1半导体区；与第1半导体区相邻形成的提供沟道的第1导电类型的第2半导体区；在第2半导体区表面侧形成的第2导电类型源区；在第1半导体区表面侧形成的第2导电类型漏区；和在沟道区上形成的多个栅电极，之间设有栅绝缘膜；第2半导体区的杂质浓度高于第1半导体区；并列设置的两个漏区之间设置的第2半导体区将漏区横向隔离。
半导体器件及其制造方法设备

[发明专利]半导体器件及其制造方法和喷液设备-CN200510125188.3无效
发明人：下津佐峰生;藤田桂;早川幸宏 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2001-12-28 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：半导体器件，包括，集成在第1导电类型的半导体衬底上的多个电热转换元件和使电流流过电热转换元件的多个转换器件，转换器件是绝缘栅型FET，每个晶体管包括：在半导体衬底的一主表面形成的第2导电类型的第1半导体区；与第1半导体区相邻形成的提供沟道的第1导电类型的第2半导体区；在第2半导体区表面侧形成的第2导电类型源区；在第1半导体区表面侧形成的第2导电类型漏区；和在沟道区上形成的多个栅电极，之间设有栅绝缘膜；第2半导体区的杂质浓度高于第1半导体区；并列设置的两个漏区之间设置的第2半导体区将漏区横向隔离。
半导体器件及其制造方法设备

[发明专利]具有带有注入侧壁的栅极沟槽的功率半导体器件及相关方法-CN201780074996.2在审
发明人： D·J·里切特恩沃尔纳;E·R·万布鲁特;B·胡尔;A·V·苏沃洛弗;C·卡派尔 -专利权人：克里公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体器件包括半导体层结构，半导体层结构具有宽带隙半导体漂移区域，宽带隙半导体漂移区域具有第一导电类型。栅极沟槽被设置在半导体层结构的上部部分中，栅极沟槽具有在半导体层结构的上部部分中在第一方向上延伸的相对的第一侧壁和第二侧壁。这些器件进一步包括深屏蔽图案和深屏蔽连接图案，深屏蔽图案在栅极沟槽的底部表面下方的半导体层结构中、具有与第一导电类型相反的第二导电类型，深屏蔽连接图案在栅极沟槽的第一侧壁中、具有第二导电类型。器件包括栅极沟槽的第二侧壁中的具有第一导电类型的半导体沟道区域。
栅极沟槽半导体层结构第一导电类型宽带隙半导体导电类型第二侧壁第一侧壁漂移区域屏蔽连接屏蔽图案功率半导体器件半导体沟道半导体器件图案底部表面侧壁延伸

[发明专利]半导体发光器件及使用其的半导体发光器件封装件-CN201910103435.1在审
发明人：金台勋;沈载仁;尹柱宪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体发光器件以及使用该半导体发光器件的半导体发光器件封装件。所述半导体发光器件包括：第一导电类型半导体层，包括凹进区域和突出区域；活性层和第二导电类型半导体层，位于突出区域上；反射电极层，设置在第二导电类型半导体层上；绝缘层，包括设置在第一导电类型半导体层的接触区域上的第一开口和设置在反射电极层的接触区域上的第二开口；第一导电图案，设置在绝缘层上，并且延伸到第一开口中，以电连接到第一导电类型半导体层的接触区域；第二导电图案，设置在绝缘层上，并且延伸到第二开口中，以电连接到反射电极层；以及多层绝缘结构，覆盖第一导电图案和第二导电图案
导电图案绝缘层半导体发光器件第一导电类型反射电极层半导体层接触区域开口导电类型半导体层突出区域电连接半导体发光器件封装件多层绝缘结构凹进区域活性层延伸覆盖

[发明专利]发光器件-CN201110348637.6有效
发明人：丁焕熙;李尚烈;崔光基;宋俊午 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；第一欧姆层和第一电极，其被设置在第一导电类型半导体层上；以及第二电极，其被设置在第二导电类型半导体层上，其中，第一导电类型半导体层与第一欧姆层之间的接触区域包括原子比为
发光器件

[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统-CN201110113737.0有效
发明人：黄盛珉 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：发光器件包括：衬底；在衬底上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，发光结构向上暴露第一导电类型半导体层的一部分；在第二导电类型半导体层上的具有台阶部分的光透射电极；在光透射电极上的第二电极；以及在暴露的第一导电类型半导体层上的第一电极。
发光器件封装以及照明系统

[发明专利]发光器件、发光器件封装和灯单元-CN201110251461.2有效
发明人：丁焕熙 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：该发光器件包括支撑衬底；发光结构，其被设置在支撑衬底上，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和被设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；电极，其被电连接到第一导电类型半导体层
发光器件封装单元

[发明专利]发光二极管及发光模块-CN202111076841.7有效
发明人：朱秀山;李燕 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及光电模块，该发光二极管包括：外延结构，其包括依序堆叠的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；以及绝缘层，位于该第二导电类型半导体层上，其上具有若干个导电开孔。其中，该些导电开孔的一端裸露出第一导电类型半导体层的部分表面；各个导电开孔与第二导电类型半导体层的上表面的边缘之间具有一定的间距。该间距为大于等于1μm。
发光二极管发光模块

[发明专利]功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法-CN201811510348.X在审
发明人：洪性兆;姜守昶;杨河龙;徐永浩 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底中形成沟槽；在沟槽中形成栅极绝缘膜和栅电极；将第一导电类型杂质注入至半导体衬底中，以形成第一导电类型基体区；将第二导电类型杂质注入至半导体衬底的表面上，以形成第二导电类型源极区；在沟槽中形成层间绝缘膜；将第一导电类型杂质注入至半导体衬底的表面上，以形成第一导电类型高掺杂基体接触区；暴露沟槽的侧表面的一部分；以及形成与沟槽的所暴露的侧表面接触的源极金属。
功率半导体器件第一导电类型衬底半导体杂质注入侧表面导电类型杂质基体接触区栅极绝缘膜导电类型源极金属高掺杂基体区绝缘膜源极区栅电极暴露制造