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[发明专利]一种BCD半导体器件及其制造方法-CN201310213004.3有效
发明人：乔明;李燕妃;许琬;陈涛;张波 -专利权人：深圳市联德合微电子有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种BCD半导体器件极其实现方法，包括高压nLIGBT器件（1）、第一类高压nLDMOS器件（2）、第二类高压nLDMOS器件（3）、第三类高压nLDMOS器件（4）、低压NMOS器件（5）、低压PMOS器件（6）和低压NPN器件（7）；所述在高压nLIGBT器件（1）和第一类高压nLDMOS（2）的n型漂移区阱（21、22）中分别引入n型重掺杂层（201、202）；p型降场层（301、302）分别位于n型重掺杂层（201、202）的下方、被n型漂移区阱（21、22）包围。实现了在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻（或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积）。且其制造方法简单，工艺难度相对较低。
一种 bcd 半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种横向高压MOSFET及其制造方法-CN201310356773.9有效
发明人：乔明;李燕妃;周锌;吴文杰;许琬;陈涛;胡利志;张波 -专利权人：电子科技大学;东莞电子科技大学电子信息工程研究院
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向高压MOSFET及其制造方法。本发明的一种横向高压MOSFET，其特征在于，通过光刻和离子注入工艺在第二种导电类型半导体漂移区中形成第一种导电类型半导体降场层，通过光刻和离子注入工艺，在第二种导电类型半导体漂移区的表面形成的第二种导电类型半导体重掺杂层。本发明的有益效果为，在保持高的击穿耐压的情况下，可以大大的降低器件比导通电阻，同时减小横向高压MOSFET源端的电场峰值，避免强场效应，提高器件的击穿电压，具有更小的导通电阻，在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积，并很好地优化器件的表面电场，同时，本发明提供的制造方法简单，工艺难度较低。本发明尤其适用于横向高压MOSFET。
一种横向高压 mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种PSOI横向高压功率半导体器件-CN201310406464.8有效
发明人：乔明;李燕妃;许琬;胡利志;吴文杰;蔡林希;陈涛;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种PSOI横向高压功率半导体器件。本发明的一种横向高压MOSFET，其特征在于，在源端下方引入第二导电类型半导体埋层，避免载流子在源端过度集中，减小器件在源端的功耗，从而改善器件的自加热效应；第二导电类型半导体第一漂移区采用均匀掺杂，第二导电类型半导体第二漂移区采用浓度相对较高的掺杂，可以减小漂移区的电阻率，降低器件的比导通电阻，进而减小器件的功耗和温度。本发明的有益效果为，具有自加热效应良好、导通电阻低、耐压高、版图面积小等诸多优点，降低了工艺难度和成本。本发明尤其适用于PSOI横向高压功率半导体器件。
一种 psoi 横向高压功率半导体器件

[发明专利]一种横向集成SOI半导体功率器件-CN201310421629.9有效
发明人：乔明;李燕妃;胡利志;吴文杰;许琬;蔡林希;陈涛;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种具有n+埋层的横向集成的准超结SOI半导体功率器件。本发明的其元胞结构包括依次层叠设置的衬底、埋氧层和SOI层，还包括高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS；所述高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS设置在SOI层上，高压nLDMOS设置在高压pLDMOS和低压CMOS之间；其特征在于，所述高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS之间通过浅槽介质隔离区和层间介质相互隔离，所述层间介质与埋氧层的上表面连接，浅槽介质隔离区设置在层间介质上表面。本发明的有益效果为，可以实现100V～700V各种性能优良的高压器件，具有高速、高集成度、低导通损耗的优点。本发明尤其适用于横向集成SOI半导体功率器件。
一种横向集成 soi 半导体功率器件

[发明专利]一种高压器件及其制造方法-CN201310418088.4有效
发明人：乔明;李燕妃;蔡林希;吴文杰;许琬;陈涛;胡利志;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种高压器件及其制造方法。本发明的高压器件集成在第一种导电类型半导体衬底上，包括第二种导电类型半导体漂移区、第二种导电类型半导体源区、第二种导电类型半导体漏区、第二种导电类型半导体重掺杂层、第一种导电类型半导体体区、第一种导电类型半导体体接触区、第一种导电类型半导体降场层、栅氧化层、场氧化层、金属前介质、多晶硅栅电极、源极金属、漏极金属，第二种导电类型半导体重掺杂层设置在场氧化层和第一种导电类型半导体降场层之间。本发明的有益效果为，在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积，优化器件的表面电场，并且制备方法简单，工艺难度较低。本发明尤其适用于高压器件。
一种高压器件及其制造方法

[发明专利]一种低正向压降的二极管-CN201310380184.4有效
发明人：乔明;许琬;张昕;章文通;李燕妃;吴文杰;张波 -专利权人：无锡市芯茂微电子有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公布了一种低正向压降的二极管结构，采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N+重掺杂区下方以及栅氧化层和N型轻掺杂区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流,进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P+重掺杂区、N—外延区和N+衬底构成的PiN二极管开启，提供大电流。反向时阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+重掺杂区和N—外延区间的N型轻掺杂区长度决定。本发明采用槽栅结构，节省器件面积。另外本发明可采用单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，易于和常规电路集成，大大减小版图面积，降低工艺成本。
一种正向二极管

[发明专利]一种垂直型恒流二极管及其制造方法-CN201310368202.7有效
发明人：乔明;何逸涛;许琬;陈朝勇;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种垂直型恒流二极管及其制造方法。本发明的直型恒流二极管，包括依次层叠设置的氧化层、高掺杂N型外延层、轻掺杂N型外延层、重掺杂N+衬底和金属阳极，其特征在于，还包括有依次连接的元胞结构、终端结构和截止环，所述元胞结构由多个结构相同并依次连接的元胞组成，所述终端结构由多个结构相同并依次连接的终端组成。本发明的有益效果为，具备容易夹断，且夹断电压可低至5V以下的优点，同时夹断点随电压增大变化更慢，恒定电流更稳定，器件设计更灵活，结构更合理，能省去额外的光刻板，节省了制造成本。本发明尤其适用于恒流二极管。
一种垂直型恒流二极管及其制造方法

[发明专利]一种横向高压器件及其制造方法-CN201310388681.9无效
发明人：乔明;李燕妃;周锌;许琬;吴文杰;陈涛;胡利志;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向高压器件及其制造方法。本发明的一种横向高压器件，其特征在于，通过推阱和离子注入工艺在第二种导电类型半导体漂移区中形成第一种导电类型半导体降场层，通过光刻和离子注入工艺，在第二种导电类型半导体漂移区的表面形成的第二种导电类型半导体重掺杂层。本发明的有益效果为，在保持高的击穿耐压的情况下，可以大大的降低器件比导通电阻，同时减小横向高压器件源端的电场峰值，避免强场效应，提高器件的击穿电压，具有更小的导通电阻，在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积，并很好地优化器件的表面电场，同时，本发明提供的制造方法简单，工艺难度较低。本发明尤其适用于横向高压器件。
一种横向高压器件及其制造方法

[发明专利]一种横向恒流二极管-CN201310275984.X有效
发明人：乔明;许琬;章文通;李燕妃;何逸涛;张昕;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向恒流二极管。本发明所述的横向恒流二极管，通过在N型阱区引入轻掺杂的P型区和重掺杂的P型区构成P型阱区，从而调制表面电场，提高击穿电压，同时轻掺杂的P型区可辅助耗尽N型阱区，使沟道更易夹断，快速进入恒流区，使得恒流二极管具有较低夹断电压，较深的重掺杂P型区缩短了沟道长度，提高了恒流二极管的恒定电流。本发明的有益效果为，有效提高横向恒流二极管的击穿电压，同时使沟道更易夹断，能快速进入恒流区，使得横向恒流二极管具有较低夹断电压，并有效提高了横向恒流二极管的恒定电流。本发明尤其适用于横向恒流二极管。
一种横向二极管

[发明专利]一种高速光电继电器-CN201310176323.1无效
发明人：乔明;李燕妃;陈涛;许琬;蔡林希;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H03K17/78 文献下载
摘要：一种高速光电继电器，属于电子技术领域，涉及光电继电器。本发明针对现有内置光电控制电路的光电继电器由于放电速度慢导致继电器关断速度较慢的技术问题进行改进。采用双级或多级三极管级联构成达林顿管作为控制电路中的放电通道，级联后放大倍数增大，电路放电能力增强，在光伏输出消失后通过高速放电通道，使得功率MOSFET关断速度大大提高，从而达到快速关断继电器的目的。
一种高速光电继电器

[发明专利]一种超低比导通电阻的横向高压功率器件及制造方法-CN201310177386.9有效
发明人：乔明;李燕妃;周锌;蔡林希;许琬;吴文杰;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种超低比导通电阻的横向高压功率器件及制造方法，属于功率半导体器件技术领域。通过光刻和离子注入工艺在第二导电类型半导体漂移区（2）表面形成的第二导电类型半导体重掺杂层（5），开态时为器件提供低阻表面导电通道，与降场层（3）下方的第二导电类型半导体漂移区（2）一起，为器件提供两个导电通道。由于采用离子注入增加了低阻表面导电通道，减小了器件表面的电阻率，极大地降低了器件的导通电阻。与常规具有降场层的高压器件相比，本发明提供的横向高压功率器件在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻（或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积）。本发明可应用于消费电子、显示驱动等多种产品中。
一种通电横向高压功率器件制造方法

[发明专利]一种横向高压功率半导体器件的结终端结构-CN201310078793.4有效
发明人：乔明;李燕妃;吴文杰;温恒娟;许琬;蔡林希;周锌;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明针对专利文献CN102244092B提供的一种横向高压功率半导体器件的结终端结构中直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分的电荷平衡问题，在保持器件表面横向超结掺杂条宽度为最小光刻精度W情况下，对终端结构进行分析和优化，提出表面超结结构浓度的关系表达式，根据关系式优化器件结构，从而得到最优化的击穿电压。同时，N型漂移区表面所有的横向超结结构宽度都采用最小光刻精度W，可以减小芯片的版图面积。
一种横向高压功率半导体器件终端结构

[发明专利]一种快速放电的光电继电器-CN201210529443.0有效
发明人：乔明;许琬;蔡林希;李燕妃;吴浩然;张昕;吴文杰;张有润;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H03K17/78 文献下载
摘要：一种快速放电的光电继电器，属于电子技术领域。包括输入端光控信号产生电路、光控信号接收及光电转换电路、控制电路和输出电路；输入端光控信号产生电路由一个发光二极管LED（11）构成，光控信号接收及光电转换电路由一个光电二极管阵列PDA构成，控制电路包括一个级联三极管、三个二极管，用于为输出电路的功率MOSFET器件提供充放电通道；输出电路包括一对功率MOSFET器件。本发明提供的快速放电的光电继电器，由于其控制电路采用了两个或多个三级管的级联，级联后的三极管电流放大倍数增大，抽取电荷的速度显著加快，因而比现有的光电继电器具有更快的放电速度，能够适应更高频率的继电场合。
一种快速放电光电继电器

[发明专利]一种超低比导通电阻的SOI横向高压功率器件-CN201210518182.2有效
发明人：乔明;章文通;许琬;李燕妃;张昕;吴文杰;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种超低比导通电阻的SOI横向高压功率器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构，终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围；器件制作于SOI材料的SOI层上。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低了比导通电阻，并减小了版图面积；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过漏极引出结构将漏电极横向引出，使漏极、栅极和源极都在表面，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本；另外，采用较薄的埋氧层可增加器件纵向电场，同时可有效减缓器件自热效应。
一种通电 soi 横向高压功率器件

[发明专利]一种高压集成电路的互连结构-CN201210432010.3无效
发明人：乔明;张昕;许琬;李燕妃;周锌;吴文杰;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种高压集成电路的互连结构，属于半导体功率器件技术领域。本发明在具有横向高压功率器件的高压集成电路中，采用多条窄线宽的金属连线连接横向高压功率器件的漏极（或阳极）和高压电路，多条窄线宽的金属连线共同分担横向高压功率器件所承载的电流大小，各条窄线宽的金属连线之间具有相应的间距。本发明可以大大减小高压互连线场致电荷的产生，有效屏蔽互连线电位对器件表面电场的影响，增强了器件在具有高压互连线时的耐压，提高了器件的性能。本发明可用于具有单RESURF、双RESURF结构的LDMOS、LIGBT或3D RESURF LDMOS等功率器件的高压集成电路中。
一种高压集成电路互连结构

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