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[发明专利]一种高压双向晶闸管的制造方法及结构-CN202211581559.9有效
发明人：杨国江;于世珩;毛嘉云 -专利权人： 江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压双向晶闸管的制造方法及结构，所述方法包括：在一N型衬底上依次进行第一无限源注入、第一推结，在所述N型衬底内形成P+型区；进行第二无限源注入、第二推结，在所述N型衬底内形成P型主结区；进行第三注入、第三推结，在N型衬底内分别形成正向N+型区和反向N+型区，从而在所述正向N+型区和所述P型主结区之间、所述反向N+型区和所述P型主结区之间形成PN结结构；经台面刻蚀形成弧形凹面，以使所述N型衬底的未掺杂部分暴露、从而在所述弧形凹面处形成两个相反偏压的PN结结构；随后，进行后道工艺，形成钝化层及金属层覆盖上述结构，得到所述双向高压晶闸管。
一种高压双向晶闸管制造方法结构

[发明专利]一种碳化硅功率器件-CN202211067210.3有效
发明人：杨国江;于世珩;胡佳贤 -专利权人： 江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅功率器件，包括：衬底，衬底包括有源区和终端区；终端区包括多个场限环、绝缘介质层和多个第一场板；场限环位于衬底内；绝缘介质层位于衬底表面，且覆盖有源区的部分和终端区的部分，绝缘介质层包括间隔设置的第一部分绝缘介质层和第二部分绝缘介质层；第一场板和场限环一一对应设置，第一部分绝缘介质层位于第一场板末端；第一部分绝缘介质层的耐压能力大于第二部分绝缘介质层的耐压能力。本发明实施例提供的技术方案提高了终端结构的效率及可靠性，实现了节约芯片面积和成本的目的。
一种碳化硅功率器件

[发明专利]一种基于3D打印的凸点制作方法及芯片封装结构-CN202311146487.X在审
发明人：杨国江;高军明 -专利权人： 江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2023-09-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种基于3D打印的凸点制作方法及芯片封装结构，所述方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括衬底、工艺层、封装层和多个焊盘；在所述晶圆的每一焊盘表面形成限位金属层，每一所述限位金属层用于限定凸点位置；在每一所述限位金属层上表面通过3D打印进行凸点制作，加热回流后得到满足预设高度的凸点。本发明根据仿真模型输入的限位尺寸和预设高度反推回流后的凸点体积，再按照该回流后的凸点体积进行3D打印制作凸点，使得得到的凸点再加热回流后满足预设高度要求，解决凸点共面性差的问题。
一种基于打印制作方法芯片封装结构

[发明专利]用于芯片测试流程的分析方法、系统、设备及存储介质-CN202310801013.8有效
发明人：杨国江;毛嘉云 -专利权人： 江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F16/2458 文献下载
摘要：用于芯片测试流程的分析方法、系统、设备及存储介质，设有分布式的第一数据处理部APP1和第二数据处理部APP2，第一数据处理部APP1配置在测试环节，用于收集芯片制造中测试产出的原始数据，对所得原始数据进行前处理，包括文件名规整和原始数据的清洗合并，得到统一格式的电测文档，第二数据处理部APP2配置在研发环节，用于基于标准操作流程SOP，调用电测文档，选择分析参数，自动输出与分析对应的芯片数据统计图形，最后将根据统计图形得到的分析数据反馈给工艺环节。本发明将对芯片的测试分析划分为前处理和分析两部分，使用方便，能够提高数据的处理效率和准确性，减少使用人员学习成本。
用于芯片测试流程分析方法系统设备存储介质

[发明专利]一种金属封装方法及结构-CN202211194642.0有效
发明人：杨国江;高军明;于世珩 -专利权人： 江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属封装方法及结构，所述方法包括：提供一芯片，在所述芯片中，设置多个接合垫；在所述芯片外围制备金属层，所述金属层覆盖所述芯片的四周表面，用于封装所述芯片；刻蚀所述金属层，形成金属层开口，以暴露出所述芯片中的每一所述接合垫；在至少一个所述接合垫上形成焊球。本发明通过芯片表层金属全封装，增强芯片的抗辐射能力。
一种金属封装方法结构

[发明专利]一种晶圆切割方法及半导体器件-CN202310810273.1在审
发明人：杨国江;高军明 -专利权人： 江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆切割方法及半导体器件，所述方法包括：在晶圆中的划片槽处进行具有第一宽度的激光开槽，形成第一深槽，所述第一深槽贯穿芯片上表面的外延层；在外延层表面的第一深槽处进行具有第二宽度的二次刻蚀，形成第二深槽；在第二深槽处进行具有第三宽度的激光切割，激光切割贯穿芯片的背层，得到若干单独的芯片。本发明采用三步切割法切割晶圆，通过对不同的材质和结构情况，选择不同的切割方式来实现无损切割，减少芯片的良率损失和可靠性问题。
一种切割方法半导体器件

[发明专利]一种槽栅型MOSFET模组的制造方法及其结构-CN202310314983.5在审
发明人：杨国江;卓宁泽 -专利权人： 江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种槽栅型MOSFET模组的制造方法及其结构，所述方法包括：刻蚀晶圆的第一表面形成多个沟槽结构；在沟槽结构中形成栅极；在第一表面沉积第二氧化层，刻蚀第二氧化层填充后形成栅极接触及源极接触；刻蚀所述晶圆的第二表面，形成多个横纵交错的第一凹槽与第一凸台，使得每一所述沟槽结构位于每一所述第一凸台内；刻蚀支架的功能面制备多个第二凹槽与多个第二凸台；将第一凸台粘接于第二凹槽内，使得第一凹槽与第二凸台对应设置；在晶圆的第二氧化层形成漏极接触；分别在栅极接触、源极接触及漏极接触表面形成表面金属层，并在所述表面金属层之间沉积形成保护层；沿切割道切割形成所述槽栅型MOSFET模组。
一种槽栅型 mosfet 模组制造方法及其结构

[发明专利]一种采用自举技术实现低压运放应用于高压的电路-CN202310270114.7有效
发明人：杨国江;王海波 -专利权人： 江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：一种采用自举技术实现低压运放应用于高压的电路，自举电路中通过引入高压NJFET和PJFET、高压NMOS管、高压PMOS管、低压耗尽管、低压NMOS和低压PMOS管，结合低压耗尽管提供偏置电流，既可以实现偏置偏置电流不随电源电压波动，提升电源抑制比，同时还容易实现上下电流源的平衡，不会对运放输出造成失调的影响。因此，本发明在保证高压性能的情况下，可以显著降低静态功耗，并且提升电源抑制比，电路简单，易于实现性能和成本的最佳结合。
一种采用技术实现低压应用于高压电路

[发明专利]一种集成电路的电压基准电路-CN202310310021.2有效
发明人：杨国江;王海波 -专利权人： 江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一种集成电路的电压基准电路，在运放电路中设置亚阈值区的MOS器件作为运放的输入管，并在亚阈值状态下生成正温度系数的电压，与基准电路的pnp管的负温度系数电压结合，实现零温度系数的基准电压。本发明通过在设计中使用亚阈值区的MOS管器件作为基准运放的输入管，简化了电路，首次提出利用亚阈值区的MOS管器件的正温度系数的∆VSG差值，叠加pnp管的负温度系数Veb，来实现零温度系数的基准电压，本发明简化了电路，易于实现，并且兼具亚阈值的低功耗、高增益，实现高精度的带隙基准电路。
一种集成电路电压基准电路

[发明专利]一种沟槽MOSFET器件的制造方法及其结构-CN202310311272.2有效
发明人：杨国江;卓宁泽 -专利权人： 江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽MOSFET器件的制造方法及其结构，所述方法包括：刻蚀承载体的功能面制备多个第一凹槽，多个第一凹槽之间形成多个第一凸台；刻蚀MOSFET晶圆的第二表面形成多个沟槽结构；在沟槽结构中进行注入与推结，以在沟槽结构内形成源极多晶硅与栅极多晶硅；刻蚀MOSFET晶圆的第一表面，形成多个横纵交错的第二凹槽，第二凹槽将MOSFET晶圆分为多个第二凸台；将第二凸台粘接于第一凹槽内，使得第一凹槽与第二凸台对应设置；并切割形成沟槽MOSFET器件。本发明通过沟槽MOSFET晶圆对应设置承载体结构，实现漏极电流从芯片五个面引出并向源极传输，提高可靠性和散热性能，降低导通电阻。
一种沟槽 mosfet 器件制造方法及其结构

[发明专利]一种碳化硅功率器件及开关元件-CN202310224791.5有效
发明人：杨国江;胡佳贤 -专利权人： 江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅功率器件及开关元件。碳化硅功率器件至少包括一个元胞，元胞包括衬底，衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；外延层，外延层位于衬底的第一表面，外延层包括漂移区、位于元胞两侧且在漂移区表面内的体区、位于体区表面内的源区以及围绕体区设置的结型场效应晶体管区；还包括肖特基区域，肖特基区域位于相邻元胞之间，肖特基区域包括位于外延层远离衬底一侧的肖特基金属层，肖特基金属层与漂移区形成肖特基接触；外延层还包括绝缘层，绝缘层包括第一绝缘分部，第一绝缘分部至少部分覆盖体区靠近衬底一侧的底面。通过在碳化硅功率器件中设置绝缘层，能够有效降低PN二极管两端的压降，提高肖特基二极管的电流能力。
一种碳化硅功率器件开关元件

[发明专利]碳化硅MOSFET器件及其制备方法、芯片-CN202310049113.X有效
发明人：杨国江;于世珩;胡佳贤 -专利权人： 江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法、芯片。本发明提供了一种碳化硅MOSFET器件，包括：碳化硅掺杂第一导电类型半导体材质的漂移区、肖特基接触金属埋层、碳化硅掺杂第二导电类型半导体材质的体区、电极连接金属、碳化硅掺杂第一导电类型半导体材质的源极区、栅氧化层以及栅极。通过在体区底部引入肖特基金属埋层，并设置电极连接金属将肖特基金属埋层引出连接到外部电极，该金属埋层与漂移区形成肖特基接触，与体区形成欧姆接触，可以有效抑制寄生晶体管的导通，提升器件的dv/dt能力和雪崩能量。
碳化硅 mosfet 器件及其制备方法芯片

[发明专利]一种包括两步湿刻的双向TVS器件的制造方法-CN202211569243.8在审
发明人：杨国江;于世珩;毛嘉云 -专利权人： 江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括两步湿刻的双向TVS器件的制造方法，包括：通过第一无限源注入、第一扩散，在一N型衬底的两端处形成沿第一方向贯穿所述N型衬底的P+型区；进行第二无限源注入、第二扩散，在所述N型衬底内形成沿第二方向贯穿所述N型衬底的正向P型主结区、反向P型主结区，所述正向P型主结区、所述反向P型主结区均与所述P+型区接触；通过第一湿刻，在相邻N型衬底中形成一类U型凹槽，其中，所述类U型凹槽两端具有鸟嘴状可刻蚀结构；随后在所述正向P型主结区的上表面及所述U型凹槽表面进行第二湿刻，以去除所述类U型凹槽两端的鸟嘴状可刻蚀结构，经过后道工艺得到所述双向TVS器件。
一种包括两步湿刻双向 tvs 器件制造方法

[发明专利]一种具有BPTM结构的TVS器件及其制造方法-CN202211569224.5在审
发明人：杨国江;于世珩;毛嘉云 -专利权人： 江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有BPTM结构的TVS器件及其制造方法，所述方法包括：首先，在一N型衬底上的隔离窗口进行第一无限源注入并进行第一推结，在所述N型衬底中形成第一P+型区，随后在所述N型衬底的第一表面及第二表面上进行第二无限源注入并进行第二推结，在所述N型衬底中形成P型主结区，接着进行第三无限源注入形成第二P+型区，并经过台面刻蚀，形成弧形凹面，在所述弧形凹面之上及第一表面之上经沉积、刻蚀、电镀形成钝化层及金属层，最后，自所述P+型区和所述N型衬底的交界面与所述弧形凹面的相交线向所述对准金属层处平移预设距离确定所述切割面，沿所述切割面进行切割，得到所述具有BPTM结构的TVS器件。
一种具有 bptm 结构 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅功率器件以及开关器件-CN202211587488.3有效
发明人：杨国江;于世珩;胡佳贤 -专利权人： 江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅功率器件以及开关器件。该碳化硅功率器件包括至少一个元胞，元胞包括衬底，漏极位于衬底的第一表面；外延层位于衬底的第二表面；栅介质层位于外延层远离衬底的表面；栅极，栅极位于栅介质层远离外延层的表面；栅介质层包括第一绝缘区和第二绝缘区，碳化硅功率器件处于关断状态，且外加电压大于预设高压时，栅介质层的电场峰值位于第二绝缘区，第二绝缘区的安全电场强度与介电常数的乘积大于第一绝缘区的击穿电场强度与介电常数的乘积。本发明实施例提供的技术方案提高了碳化硅功率器件的击穿电压的基础上，还能通过使用更高掺杂浓度的外延层或者宽度更大的结型场效应晶体管区来降低碳化硅功率器件的导通电阻。
一种碳化硅功率器件以及开关

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