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- [发明专利]一种磁隧道结和磁性随机存储器-CN202210378927.3在审
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宫俊录;高扬
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浙江驰拓科技有限公司
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2022-04-12
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2023-10-27
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H10N50/10
- 本申请公开了一种磁隧道结，涉及磁性存储器领域，用于磁性随机存储器。磁隧道结包括种子层、钉扎层，钉扎层包括在远离种子层方向上交替层叠的磁性单元层和金属单元层；距离种子层最近的金属单元层的厚度大于其余任一金属单元层的厚度，且具有[111]晶体结构。本申请钉扎层中包括多个交替层叠的磁性单元层和金属单元层，对于所有的金属单元层，距离种子层最近的金属单元层的厚度最厚，且具有[111]晶体结构，可以增强钉扎层的垂直磁各向异性，其余金属单元层的厚度较薄，可以减弱金属单元层中金属材料向势垒层的扩散，降低薄膜粗糙度，减少界面缺陷，改善势垒层薄膜质量，从而提升磁隧道结的耐擦写次数。本申请还提供一种磁性随机存储器。
- 一种隧道磁性随机存储器
- [发明专利]一种柔性磁结构及其制备方法-CN202310542635.3有效
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员朝鑫;王向谦;谢明玲;强进;何开宙;高晓平
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甘肃省科学院传感技术研究所
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2023-05-15
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2023-10-13
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H10N50/10
- 本发明公开了一种柔性磁结构及其制备方法，涉及自旋电子与柔性集成技术领域，磁结构柔性基体选用耐高温微米级聚酰亚胺（PI）薄膜，柔性磁结构的势垒层选用2D‑MoS2。柔性磁结构由下向上包含依次叠加分布的耐高温聚酰亚胺（PI）柔性基体、缓冲层、第一铁磁层、2D‑MoS2势垒层、第二铁磁层和覆盖层。制备方法包括：1）刚性衬底上制备第一柔性支撑层PI基体，柔性支撑层PI厚度为10~15μm，SiO2厚度为15~20nm；2）于刚性基片上柔性基体一侧表面制备磁结构缓冲层与参考层；3）于磁结构参考层之上插入2D‑MoS2势垒层；4）于2D‑MoS2势垒层一侧表面制备磁结构自由层与覆盖层；5）刚性衬底与PI剥离实现柔性磁结构。本发明具有可大面积成膜、高度挠性和微米级膜厚的几何特点。
- 一种柔性结构及其制备方法
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