“H10N52/00”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果25个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于二维磁性材料的自旋霍尔纳米振荡器-CN202310658733.3在审
发明人：张黎可;陶旭;赵东;于庆南;黄瑞;胡长雨 -专利权人：无锡学院
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维磁性材料的自旋霍尔纳米振荡器，所述自旋霍尔纳米振荡器包含衬底，以及依次形成于衬底之上的非磁性薄膜层和二维磁性材料薄膜层。本发明提供的一种基于二维磁性材料的自旋霍尔纳米振荡器，二维磁性材料与其他磁性材料相比具有可大面积制备，易加工，易堆叠等特点，二维磁性材料薄膜层具有较强的面外磁各向异性，基于二维磁性材料的自旋霍尔纳米振荡器在实现微波振荡的过程中所需的激发电流较低，能够实现更高的微波输出频率。
基于二维磁性材料自旋霍尔纳米振荡器

[发明专利]霍尔传感器及其制造方法-CN201811578655.1有效
发明人：王钊 -专利权人：合肥中感微电子有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明提供一种霍尔传感器及其的制造方法。所述霍尔传感器包括：多晶硅体区，其掺杂有第一类型杂质；形成于所述多晶硅体区内的横向间隔的第一接触区和第二接触区；和形成于所述多晶硅体区内的纵向间隔的第三接触区和第四接触区，其中各个接触区掺杂有第一类型杂质且掺杂的浓度较多晶硅体区浓，第三接触区和第四接触区分别位于所述第一接触区和第二接触区连线的纵向两侧，第一接触区和第二接触区分别位于所述第三接触区和第四接触区连线的横向两侧。本发明中采用载流子浓度更低的多晶硅，可以实现更高的磁场检测灵敏度，把多晶硅层设计的更薄可以实现更高的磁场检测灵敏度。
霍尔传感器及其制造方法

[发明专利]一种基于LaAlO3-CN202310622523.9在审
发明人：翟金凤;沈健;何攀;郭杭闻;朱银燕;王文彬;周晓东;殷立峰 -专利权人：上海期智研究院
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于LaAlO3/KTaO3界面二维电子气的非线性霍尔器件及其制备方法。该器件由LaAlO3/KTaO3薄膜异质结和光刻胶组成。在旋涂一层光刻胶并且经过图案化曝光和显影后，KTaO3衬底被分为覆盖区和非覆盖区。在衬底的非覆盖区上通过脉冲激光沉积生长非晶LaAlO3(LAO)，在非覆盖区产生氧化物界面二维电子气，实现导电区和绝缘区的分离，得到霍尔器件形状的LAO/KTO导电界面。本发明器件适合低温工作，其利用该界面的非线性霍尔效应，成功在垂直于电流方向上出现非线性霍尔电压，实现倍频和整流应用。
一种基于 laalo base sub

[发明专利]一种氧化物基柔性微纳器件及其制备方法-CN202310171326.X在审
发明人：龚礼光;芦增星;劳斌;吴可怡;楼奕含;李孟周;汪志明;李润伟 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物基柔性微纳器件，包括从下到上依次设置的衬底层、缓冲层和薄膜层，衬底层的材料为单晶云母，缓冲层的材料选自SrTiO3、SrRuO3、SrIrO3、SrCoO3、BaTiO3、MgO、HfO2、Al2O3中的一种，薄膜层的材料选自SrTiO3、SrRuO3、SrIrO3、SrCoO3、BaTiO3、MgO、HfO2、Al2O3中的一种，本发明还提供了一种氧化物基柔性微纳器件的制备方法，与现有技术相比，本发明氧化物基柔性微纳器件使用云母作为柔性衬底，能够大面积且直接高温外延生长各类单晶氧化物，薄膜与云母以范德华力紧密结合，界面不存在间隙，避免柔性制备产生气泡、间隙等缺陷，具备较好的结构稳定性和抗冲击性，另外柔性弯曲应变连续可调。
一种氧化物柔性器件及其制备方法

[发明专利]平面式磁化自旋轨道磁性组件-CN202111459274.3在审
发明人：李欣翰;魏拯华;王艺蓉;杨姗意;张耀仁;陈芳名 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明提供一种平面式自旋轨道磁性组件。此平面式自旋轨道磁性组件包括重金属层、反铁磁层以及磁穿隧接面。反铁磁层设置于重金属层上，且磁穿隧接面设置于反铁磁层上。磁穿隧接面包括自由层、阻障层以及固定层。阻障层设置于自由层上，固定层设置于阻障层上。自由层的膜面形状为圆角矩形。
平面磁化自旋轨道磁性组件

[发明专利]一种电流驱动光场调控装置及其使用方法-CN202210979827.6有效
发明人：唐婷婷;唐榆傑;梁潇;李杰;李朝阳;毛英慧;罗莉;何宇 -专利权人：成都信息工程大学
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电流驱动光场调控装置，包括磁绝缘体异质结薄膜以及与磁绝缘体异质结薄膜的电极区域接触的重金属电极，重金属电极与电流注入模块的输出端电性连接，电流注入模块的输入端与用于输出正负脉冲的脉冲电源电性连接。本发明采用上述结构的电流驱动光场调控装置，无需外部强磁场的供给，因此可以大大减小体积，利于模块化的集成；并且调控驱动能量来自于外加的弱脉冲电流，主要磁调控反应是发生在样品内部，因此不存在磁场外泄造成干扰的问题；最后由于自旋轨道转矩的响应速度非常快(小于20ms)，且由于脉冲电流方向的高可控性，因此光场调控速度与施加电流脉冲的速度几乎一致。
一种电流驱动调控装置及其使用方法

[发明专利]一种用于降低线损的半导体节能芯片及其制造方法-CN202310276688.5在审
发明人：杨昉;王凯;刘发民;薄建民 -专利权人：中能福韵绿色能源（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于降低线损的半导体节能芯片及其制造方法，涉及半导体节能芯片领域，旨在解决现有技术中线损大，传输效率低的问题，采用的技术方案是，在半导体本体上依次设置氧化物晶体层、金属层、铁磁层、隔磁层和覆盖层。通过在砷化镓半导体晶体平板上镀复合镀层，利用金属层、铁磁层、隔磁层三层膜结构中的自旋泵‑逆自旋霍尔效应产生自旋电流，自旋电流向氧化物晶体层的导电表层注入后，形成了电荷流，利用该电荷流的产生的磁场作用于砷化镓半导体晶体平板后产生的带状结构与阻性负载线路产生的同频共振能够使金属材料中的电子有序排列，规则流动，提高了阻性负载线路的传输效率，并达到了减少线损的效果。
一种用于降低半导体节能芯片及其制造方法

[发明专利]全电学自旋轨道矩隧道结、存储单元和构筑方法-CN202310287413.1在审
发明人：史书园;王馨冉;赵雅茹;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种全电学自旋轨道矩隧道结、存储单元和构筑方法，全电学自旋轨道矩隧道结包括衬底、设置在衬底上的二维半金属层、设置在二维半金属层上的轻金属层、设置在轻金属层上的自由层、设置在自由层上的隧道势垒层、设置在隧道势垒层上的参考层以及设置在参考层上的顶电极，通过在二维半金属层施加电流可以产生具有面内和面外极化方向的自旋流，自旋流可以通过轻金属层传递至自由层，使得自由层在无外磁场下实现由面外和面内极化自旋流所诱导的自旋轨道矩作用下完成垂直磁矩定向翻转。本发明可以利用二维半金属层中面内和面外方向极化的自旋流，使得具有垂直各向异性的磁性自由层在无外磁场下，实现自旋轨道矩效应诱导的磁矩定向翻转。
电学自旋轨道隧道存储单元构筑方法

[发明专利]一种磁性隧道结及基于磁性隧道结的NSOT-MRAM装置-CN202010203338.2有效
发明人：贾兴涛;王海伦;蔡小琳;王蕾;武苹苹;曹国华 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：一种磁性隧道结及基于磁性隧道结的NSOT‑MRAM装置，包括磁性固定层、反铁磁自由层、绝缘层和缓冲层；绝缘层位于磁性固定层和反铁磁自由层之间，一层缓冲层位于绝缘层与磁性固定层之间，另一缓冲层位于绝缘层与反铁磁自由层之间；磁性固定层和反铁磁自由层的磁化方向垂直指向面外或平行于面内。本发明的器件工作频率高，在THz量级，远高于基于铁磁性自由层的MRAM装置的工作频率。
一种磁性隧道基于 nsot mram 装置

[发明专利]一种基于单向自旋霍尔磁阻的磁存储器及存储器膜层-CN202310100123.1在审
发明人：张婕;聂天晓;李竞;王航天;谢魏然;孙芸;王梓力;高凡 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于单向自旋霍尔磁阻的磁存储器及存储器膜层，所述磁存储器包括层叠结构和两个电极，所述层叠结构包括从下到上依次设置的衬底、存储器膜层和保护层；所述存储器膜层包括非铁磁层和铁磁层；两个所述电极分别位于所述层叠结构的两侧，并与所述非铁磁层和所述铁磁层接触。本发明提供一种单向基于自旋霍尔磁阻的磁存储器，该磁存储器的存储器膜层仅需两层(非铁磁层和铁磁层)，结构简单，便于大规模生产，并且可以通过增加存储器膜层的层数实现多态数据读写，有利于存储量的提高。
一种基于单向自旋霍尔磁阻磁存储器存储器

[发明专利]具有钝化磁集中器的半导体装置-CN202211328506.6在审
发明人： R·J·L·格瓦拉;D·W·李;K·莫汉 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：所描述实例包含：半导体裸片(图5，505)，其包含布置在平行于所述半导体裸片的装置侧表面的第一平面内的霍尔传感器(506)；钝化磁集中器(512)，其包含形成在所述半导体裸片的所述装置侧表面上方的磁合金层(515)，所述磁合金层的上表面被聚合物材料层(517)覆盖；所述半导体裸片的与所述装置侧表面相对的背侧表面，其安装到封装衬底上的裸片垫(502)的裸片侧表面，所述半导体裸片在所述装置侧表面上具有与所述磁集中器间隔开的接合垫；电连接件(513)，其将所述半导体裸片的所述接合垫耦合到所述封装衬底的引线(501)；以及模制化合物(503)，其覆盖所述磁集中器、所述半导体裸片、所述电连接件、所述引线的一部分及所述裸片垫的所述裸片侧表面。
具有钝化集中器半导体装置

[发明专利]一种面内磁化反铁磁磁随机存储器存储单元-CN201910399379.0有效
发明人：潘礼庆;易立志;刘敏;肖强;许云丽;杨栋超;黄秀峰;朴红光;杨先卫;谭超 -专利权人：三峡大学
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：一种面内磁化反铁磁磁随机存储器存储单元，它包括反铁磁层、重金属层以及与重金属层连接的第一组端点以及第二组端点，第一组端点用于连接脉冲电流源，第二组端点用于连接电压源，反磁铁层的磁化状态为面内磁化。本发明目的是为了进一步提高传统磁存储器的磁矩翻转速度和存储稳定性，而提供一种基于面内磁化的铁磁材料的存储器单元。
一种磁化反铁磁磁随机存储器存储单元

[发明专利]基于自旋轨道矩的具有复合自由层的磁性随机存储器-CN202310210928.1在审
发明人：肖鹏;周铁军;李海;于长秋 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自旋轨道矩的具有复合自由层的磁性随机存储器。所述的磁性存储器由多个存储单元SOT‑MTJ构成，每个存储单元SOT‑MTJ为多层膜结构，自上到下分别是衬底层、缓冲层、重金属导电层、复合自由层、绝缘层、参考层；所述复合自由层薄膜结构自下到上分别依次是颗粒膜层、隔离层、连续膜层；本发明基于SOT，利用一种颗粒膜和连续膜交换耦合的特殊复合自由层结构，当所述重金属层将通入的电荷流转换为自旋流，通过强自旋轨道耦合将自旋流注入到自由层中，从而对其施加转矩，持续加大脉冲电流并记录器件电阻值，可观测到器件电阻随电流呈阶梯状逐步增大，过程中出现多个阻值状态。
基于自旋轨道具有复合自由磁性随机存储器

[发明专利]磁性随机存取记忆体辅助的非挥发性装置和其制造方法-CN201910927819.5有效
发明人：宋明远;林世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：一种磁性随机存取记忆体辅助装置和其制造方法。本案提供一种磁性随机存取记忆体辅助的非挥发性霍尔效应装置，该装置包括安置在基板上的自旋轨道扭矩层，以及安置在该自旋轨道扭矩层上的磁性层。金属氧化层安置在该磁性层上。自旋轨道扭矩层的多个部分从磁性层及金属氧化层向外延伸，所述多个部分位于在平面图中的第一方向的相对侧及第二方向的相对侧上，其中第二方向垂直于第一方向。
磁性随机存取记忆体辅助挥发性装置制造方法

[发明专利]一种低温下表现出反常霍尔效应的异质结及其制备方法-CN202310059330.7在审
发明人：马嵩;刘大珩;刘伟;张志东 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温下表现出反常霍尔效应的异质结及其制备方法，具体为：以钆镓石榴石基片作为基底，基片经过清洗等处理后，放于真空系统中，经过加热退火除气等步骤，利用脉冲激光沉积在基片上生长一层Tm3Fe5O12薄膜；再将生长的薄膜作为基底，放入分子束外延设备中，利用分子束外延技术在其上生长一定厚度的SnTe薄膜。利用该方法可获得一种高质量、在特定温度条件下具有反常霍尔效应的薄膜材料，其能够在20K以下的温度表现出反常霍尔效应，并且温度对反常霍尔效应的信号大小有调节作用。
一种低温表现出反常霍尔效应异质结及其制备方法

1
2
下一页»
尾页
共 25 条