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[发明专利]一种磁隧道结和磁性随机存储器-CN202210379868.1在审
发明人： 宫俊录;孙一慧;陈若飞 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种磁隧道结和磁性随机存储器，涉及磁性存储器领域，用于磁性随机存储器。磁隧道结包括依次层叠的第一自由层、增强层、第二自由层，第一自由层和/或第二自由层至少包括依次层叠的第一磁性单元层、第二磁性单元层、界面优化单元层和第三磁性单元层，界面优化单元层的材料为非磁性金属。磁隧道结的第一自由层和/或第二自由层除了包括第一磁性单元层、第二磁性单元层和第三磁性单元层，还包括界面优化单元层，其材料为非磁性金属，有利于改善第二磁性单元层和第三磁性单元层的界面质量，降低阻尼，提高自旋力矩转移效率，降低写电压和写电流。
一种隧道磁性随机存储器

[发明专利]一种磁隧道结和磁性随机存储器-CN202210378927.3在审
发明人： 宫俊录;高扬 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种磁隧道结，涉及磁性存储器领域，用于磁性随机存储器。磁隧道结包括种子层、钉扎层，钉扎层包括在远离种子层方向上交替层叠的磁性单元层和金属单元层；距离种子层最近的金属单元层的厚度大于其余任一金属单元层的厚度，且具有[111]晶体结构。本申请钉扎层中包括多个交替层叠的磁性单元层和金属单元层，对于所有的金属单元层，距离种子层最近的金属单元层的厚度最厚，且具有[111]晶体结构，可以增强钉扎层的垂直磁各向异性，其余金属单元层的厚度较薄，可以减弱金属单元层中金属材料向势垒层的扩散，降低薄膜粗糙度，减少界面缺陷，改善势垒层薄膜质量，从而提升磁隧道结的耐擦写次数。本申请还提供一种磁性随机存储器。
一种隧道磁性随机存储器

[发明专利]存储单元与存储器-CN201810196253.9有效
发明人： 宫俊录;何世坤;孟凡涛 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储单元与存储器。该存储单元包括：由下至上依次叠置设置的第一电极、合成反铁磁结构、参考层、绝缘势垒层、自由层以及第二电极，参考层与自由层的磁化方向均与存储单元的厚度方向平行，合成反铁磁结构包括由下至上依次叠置设置的第一磁性层、间隔层以及第二磁性层，第一磁性层和第二磁性层通过间隔层发生反铁磁耦合，间隔层为二维材料层。该存储单元中，在第一电极与参考层之间设置合成反铁磁结构，该结构采用二维材料层作为间隔层，这样的间隔层使得两侧的磁性层磁矩因发生层间反铁磁交换作用而反平行排列。该合成反铁磁结构中间隔层两侧的磁性层无需是多个薄层，使得存储单元的制作工艺较简单且容易控制。
存储单元存储器

[发明专利]磁隧道结中势垒层的制备方法、磁隧道结及其制备方法-CN201911425363.9有效
发明人： 宫俊录;孟凡涛;蒋信;刘波 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁隧道结中势垒层的制备方法、磁隧道结及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：在参考层或自由层上沉积n次势垒层材料，形成n层势垒层薄膜，在相邻各次沉积势垒层材料的步骤之间，对势垒层材料进行热处理，n为大于2的自然数。上述制备方法中通过各次热处理及下层势垒层薄膜的结构母版的诱导作用，优化了热处理后沉积形成的势垒层薄膜的晶化质量，减少了势垒层薄膜缺陷，提升了势垒层薄膜及其界面的质量，进而不仅降低了磁隧道结的电阻值，还能够保持较高的磁电阻，同时降低了写电压；通过上述沉积前的各次热处理，实验发现，磁隧道结的写电流也得到了降低，电阻及写电压的均一性有所改善，MTJ器件的耐擦写性也得到了提升。
隧道结中势垒层制备方法及其

[发明专利]磁隧道结势垒层及势垒叠层制备方法-CN202111680399.9在审
发明人：高扬;宫俊录 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明提供一种磁隧道结势垒层制备方法，包括：形成至少一层第一势垒层，其中，每一层第一势垒层的形成包括：采用金属氧化物进行沉积，形成待处理的第一势垒层；将所述待处理的第一势垒层暴露于氧化环境进行氧处理，形成预处理的第一势垒层；对所述预处理的第一势垒层进行热处理，形成第一势垒层。本发明提供的磁隧道结势垒层及势垒叠层制备方法，能够优化势垒层的结晶质量以及改善界面质量。
隧道结势垒层势垒叠层制备方法

[发明专利]MTJ以及存储器件-CN202111511065.9在审
发明人： 宫俊录;孙一慧;高扬 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种MTJ以及存储器件，该MTJ包括自由层、势垒层、固定层以及复合钉扎层，势垒层位于自由层的表面上；固定层位于势垒层的远离自由层的表面上；复合钉扎层位于固定层的远离势垒层的表面上，复合钉扎层包括在固定层的远离势垒层的表面上依次层叠的第一钉扎层、第一耦合层、第二钉扎层、第二耦合层以及第三钉扎层。本申请在各钉扎层之间设置耦合层，耦合层与钉扎层之间的界面耦合保证了复合钉扎层的垂直磁各向异性较强，近邻的钉扎层通过中间耦合层发生层间反铁磁耦合而相互固定，这保证了复合钉扎层磁矩在外磁场中具有较强的稳定性，解决了现有的MTJ刻蚀后顶部钉扎层垂直磁各向异性较弱，造成磁化翻转特性异常的问题。
mtj 以及存储器件

[实用新型]一种磁随机存储器和电子设备-CN202223476528.5有效
发明人：徐朋法;宫俊录;高扬 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本申请涉及磁随机存储器领域，公开了一种磁随机存储器和电子设备，包括自由层，自由层包括磁性插层和在远离势垒层方向上层叠的第一铁磁层、间隔层、第二铁磁层；磁性插层设于第一铁磁层和间隔层之间，和/或，设于第二铁磁层和间隔层之间；磁性插层与间隔层的固体互溶度小于第一铁磁层与间隔层的固体互溶度，和/或，小于第二铁磁层与间隔层的固体互溶度；间隔层的厚度不大于本申请间隔层厚度比较薄，可以降低自由层的磁阻尼因子、使自由层沿相同的晶向、减小磁死层的厚度，从而降低磁存储器的写电压、提升数据保持能力和擦写次数。磁性插层与间隔层之间的原子扩散少，形成比较平整的界面，进而可以提升隧道磁阻和矫顽力。
一种随机存储器电子设备

[发明专利]MTJ测试结构以及制备方法-CN202110503212.1在审
发明人：何世坤;王明;宫俊录 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种MTJ测试结构，包括：MTJ叠层，具有相对设置的第一表面和第二表面；金属层，与所述MTJ叠层的第一表面电连接；第一联通层，设置在所述MTJ叠层的第二表面，所述第一联通层具有多个联通孔，所述联通孔内设置有与所述第二表面电连接的第一金属塞；多个金属线，设置在所述第一联通层背离所述MTJ叠层的一侧表面，所述多个金属线与所述第一金属塞一一对应的电连接；多个测试触点，与所述多个金属线一一对应，所述多个测试触点与对应的金属线电连接。本发明提供的技术方案能够在晶圆可接受性测试机台上完成多种参数的测试。
mtj 测试结构以及制备方法

[发明专利]一种磁性存储单元及磁性存储器-CN202110245652.1在审
发明人： 宫俊录;简红;孙一慧;孟凡涛 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性存储单元，从下至上依次包括第一电极、过渡组合层、磁性隧道结及第二电极；所述第一电极及所述第二电极用于与外部电路相连，并控制所述磁性隧道结的电阻态；所述过渡组合层包括层叠设置的硼提供层及硼吸附缓冲层。本发明通过设置所述过渡组合层，消除了金属电极与磁性隧道结的晶格结构不匹配而带来的应力问题，为磁性隧道结的生长提供了更好的母板，减小了磁性隧道结中的缺陷数量及内应力。在高温环境下，所述硼提供层及所述硼吸附缓冲层发生硼元素的扩散和吸附，该过程可有效减缓高温环境下磁性隧道结中其他膜层材料的界面扩散，改善了磁隧道结的界面结构质量。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的磁性存储器。
一种磁性存储单元存储器

[发明专利]磁性存储单元及磁性存储器-CN201910552465.0有效
发明人： 宫俊录;何世坤 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性存储单元，包括：底电极、顶电极以及位于所述底电极和所述顶电极之间的层叠结构，所述层叠结构包括依次堆叠设置的参考层、势垒层、自由层、非磁性隔离层以及相变层，其中，所述相变层根据相变温度在反铁磁相和铁磁相之间变化，当所述相变层为铁磁相时，为所述自由层提供偏置磁场，使得所述自由层磁化方向偏离与所述参考层磁化方向共线的方向；所述非磁性隔离层用于防止所述相变层和所述自由层产生磁耦合。本发明能够降低自由层的临界翻转电流。
磁性存储单元存储器

[发明专利]一种MRAM的自由层及其制备方法和MRAM的磁隧道结-CN202011622212.5在审
发明人：孙一慧;孟凡涛;简红;宫俊录 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明属于磁阻器件技术领域，尤其涉及一种MRAM的自由层及其制备方法和MRAM的磁隧道结。本发明提供的自由层设置于势垒层上，包括至少两层磁性层，相邻磁性层之间设置有耦合层；每层所述磁性层均采用磁控溅射沉积而成；与所述势垒层相接触的磁性层在至少两种不同的磁控溅射功率下沉积形成，且在近势垒层一侧的磁控溅射功率最小。本发明在传统自由层结构基础上通过降低临近势垒层的磁性层沉积功率，可以在保持磁性层厚度不变的条件下，大幅提升自由层垂直磁各向异性场(Hk)，减小界面损伤，提升MRAM的数据保持能力(data retention)。
一种 mram 自由及其制备方法隧道

[发明专利]MTJ和存储器-CN202011567663.3在审
发明人：孙一慧;孟凡涛;简红;宫俊录 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种MTJ和存储器。该MTJ包括依次层叠的参考层、势垒层和自由层，自由层包括依次层叠的第一磁性层、第一耦合层、第二磁性层、第二耦合层和第三磁性层。该方案中，在传统的MTJ上，增加了自由层磁性膜的厚度，通过增加厚度使得能量势垒高度较大，保证了MTJ的保存能力较好，进而可以提高MTJ的数据保存能力，从而较好地缓解了现有技术中的存储器数据保存能力较差的问题。
mtj 存储器

[发明专利]一种磁隧道结的自由层、磁隧道结和自旋转移力矩磁性随机存储器-CN202011552696.0在审
发明人：简红;宫俊录;孙一慧;孟凡涛;刘俊 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明属于磁隧道结技术领域，尤其涉及一种磁隧道结的自由层、磁隧道结和自旋转移力矩磁性随机存储器。本发明提供的自由层包括依次接触的第一铁磁层、间隔层和第二铁磁层；所述第一铁磁层和第二铁磁层的厚度均≤1nm，且所述第二铁磁层厚度小于第一铁磁层厚度；所述间隔层中包括至少两种非磁性元素。本发明通过将自由层结构中的第一铁磁层和第二铁磁层的厚度控制在小于1nm，有效提升了STT效率，降低了写入电流；同时，该自由层结构中的间隔层至少由两种不同的非磁性元素组成，两种元素有较强的结合能，保证了间隔层结构的稳定性，抑制了因磁性层厚度减薄引起的元素扩散，提升了耐擦写性能。
一种隧道自由自旋转移力矩磁性随机存储器

[发明专利]磁性隧道结自由层及具有其的磁性隧道结结构-CN202011349124.2在审
发明人：简红;宫俊录;孙一慧;孟凡涛 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性隧道结自由层及具有其的磁性隧道结结构。该磁性隧道结自由层包括沿第一方向顺序层叠的第一磁性复合层、反铁磁间隔结构和第二磁性复合层，在反铁磁间隔结构的作用下第一磁性复合层与第二磁性复合层呈反铁磁耦合，磁化方向相反。由于上述结构采用多层磁性复合层，在控制磁化方向垂直于薄膜界面的同时，增加磁性层的总体厚度，从而增大器件的数据保持能力。并且，为降低写入电流，上述结构使得不同的磁性复合层磁化方向相反，降低整体结构的总磁矩，从而降低写入电流，实现高的器件耐擦写能力。此外，该结构可获得较高的TMR，提高了数据读取速度。
磁性隧道自由具有结构

[发明专利]一种磁性多层膜、存储单元及存储器-CN202011219147.1在审
发明人： 宫俊录;孟凡涛;孙一慧;简红 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性多层膜、存储单元及存储器。该磁性多层膜包括沿第一叠置方向依次叠置的第一磁性层、间隔膜和第二磁性层，间隔膜包括沿第二叠置方向叠置的多层间隔子膜，第一叠置方向和第二叠置方向相同，间隔子膜中的至少一层为非磁性间隔子膜。设置多层间隔子膜，一方面保证磁性多层膜有较强的垂直磁各向异性(PMA)，在用作磁性隧道结的自由层时获得预期的磁化方向。另一方面，多层间隔子膜两侧的磁性层可实现较强的层间磁性耦合，使得磁性层的磁化方向在较小的外磁场或外加电流作用下可以同时翻转。将本申请的磁性多层膜作为磁性隧道结的自由层时，具有该自由层的MTJ器件可实现较高的热稳定性因子Δ以及较低的翻转电流。
一种磁性多层存储单元存储器

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