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[发明专利]半导体架构-CN202111386102.8在审
发明人： S.朴;李昇映 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了一种半导体架构，其具有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元，该半导体架构包括：被包括在MOSFET单元中的第一半导体器件；被包括在MOSFET单元中的第二半导体器件，第二半导体器件提供在第一半导体器件之上；配置为向第一半导体器件供电的第一电源轨，第一电源轨提供在与第一半导体器件和第二半导体器件不同的垂直水平；以及配置为向第二半导体器件供电的第二电源轨，第二电源轨提供在第一半导体器件和第二半导体器件之间的垂直水平
半导体架构

[发明专利]半导体集成电路装置以及半导体封装件构造-CN201980063952.9在审
发明人：冈本淳;武野纮宜;王文桢 -专利权人：株式会社索思未来
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种在层叠有半导体芯片的半导体集成电路装置中，用于更有效地进行电源供给的新的电源布线的构造。第1半导体芯片(101)与第2半导体芯片(102)层叠。第1半导体芯片(101)的第1电源布线(13)经由多个第1通孔(21)与第2半导体芯片(102)的第2电源布线(31、33)连接。第1电源布线(13)与第2电源布线(31、33)的延伸的方向正交。
半导体集成电路装置以及封装构造

[发明专利]一种半导体压力传感器、显示面板和显示装置-CN201710770446.6有效
发明人：宋琼;马扬昭;郑斌义;吴玲;沈柏平 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明实施例公开了半导体压力传感器、显示面板和显示装置，半导体压力传感器包括压力检测单元、偏置电压施加电路和电压检测电路；压力检测单元的第一半导体层的主应力方向和第二半导体层的主应力方向垂直；第一半导体层的第一电源信号输入端和第二半导体层的第四电源信号端通过第一电源信号线与偏置电压施加电路电连接，第一半导体层的第二电源信号输入端与第二半导体层的第三电源信号输入端通过第二电源信号线与偏置电压施加电路电连接，第一半导体层的第一感应信号测量端和第二半导体层的第二感应信号测量端分别与电压检测电路电连接综上，设置第一半导体层的主应力方向和第二半导体层的主应力方向垂直，半导体压力传感器压力检测灵敏。
一种半导体压力传感器显示面板显示装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110303546.4在审
发明人：朱熙甯;江国诚;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构包括：电源轨，在半导体结构的背面上；第一互连结构，在半导体结构的正面上；以及源极部件、漏极部件、第一半导体鳍和栅极结构，在电源轨与第一互连结构之间。第一半导体鳍连接源极部件与漏极部件。栅极结构布置在第一半导体鳍的前面和两个侧面上。该半导体结构还包括：隔离结构，布置在电源轨与漏极部件之间以及电源轨与第一半导体鳍之间；以及通孔，穿过隔离结构并将源极部件连接到电源轨。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]能够使电磁噪声最小化的紧凑结构的电源设备-CN201410366833.X在审
发明人：半田祐一;见泽胜丰;竹本悠城;山崎正太郎;仓内俢司 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H02M1/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种电源设备，该电源设备包括：变压器、初级半导体单元、次级半导体单元和次级电子器件。在初级半导体单元和次级半导体单元中的每一个中安装有多个半导体器件。变压器、初级半导体单元、次级半导体单元和次级电子器件通过连接导体电结合。变压器被放置在初级半导体单元上以构成第一堆叠体。类似地，次级电子器件被放置在次级半导体单元上。这使得电源设备能够减小其总尺寸，并且使电磁噪声的不利影响最小化以确保电源操作的高效率。
能够电磁噪声最小化紧凑结构电源设备

[发明专利]一种半导体照明装置-CN201510617312.1在审
发明人：刘顺东 -专利权人：家联宝（上海）光电新能源科技有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体照明装置，包括半导体光源容置腔和电源容置腔，半导体光源容置腔内设置半导体光源，半导体光源容置腔设置散热部，散热部由多组散热鳍片组成，电源容置腔内安装驱动电源，半导体光源容置腔的第一侧面为出光面，第一侧面的背面为第二侧面，所述电源容置腔与所述半导体光源容置腔的第二侧面通过连接结构连接。采用此种技术方案的半导体照明装置，能够快速的将半导体光源产生的热量传递至散热部，提高散热效率，且能够避免半导体光源产生的热量与驱动电源产生的热量发生热耦合，大大提高了LED灯具的寿命。
一种半导体照明装置

[发明专利]一种半导体照明设备-CN201711224925.4在审
发明人：刘汉平;刘林峰;刘燕;米玖帆 -专利权人：湖南正美光电科技有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体照明设备，包括半导体光源容置腔和电源容置腔，半导体光源容置腔内设置半导体光源，半导体光源容置腔设置散热部，散热部由多组散热鳍片组成，电源容置腔内安装驱动电源，半导体光源容置腔的第一侧面为出光面，第一侧面的背面为第二侧面，所述电源容置腔与所述半导体光源容置腔的第二侧面通过连接结构连接。采用此种技术方案的半导体照明设备，能够快速的将半导体光源产生的热量传递至散热部，提高散热效率，且能够避免半导体光源产生的热量与驱动电源产生的热量发生热耦合，大大提高了LED灯具的寿命。
半导体光源容置腔半导体照明设备散热部侧面电源驱动电源连接结构热量传递热量发生散热效率散热鳍片出光面热耦合背面

[实用新型]一种半导体照明装置-CN201520748293.1有效
发明人：刘顺东 -专利权人：家联宝（上海）光电新能源科技有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体照明装置，包括半导体光源容置腔和电源容置腔，半导体光源容置腔内设置半导体光源，半导体光源容置腔设置散热部，散热部由多组散热鳍片组成，电源容置腔内安装驱动电源，半导体光源容置腔的第一侧面为出光面，第一侧面的背面为第二侧面，所述电源容置腔与所述半导体光源容置腔的第二侧面通过连接结构连接。采用此种技术方案的半导体照明装置，能够快速的将半导体光源产生的热量传递至散热部，提高散热效率，且能够避免半导体光源产生的热量与驱动电源产生的热量发生热耦合，大大提高了LED灯具的寿命。
一种半导体照明装置

[发明专利]化合物半导体器件直流热分布的分析系统及分析方法-CN202111615882.9在审
发明人：邵国键;林罡;任彬;张长梅;陈正廉;孙军;刘柱;陈韬;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01N25/72 文献下载
摘要：本发明提供化合物半导体器件直流热分布的分析系统及分析方法，包括：热台、源极直流电源、栅极直流电源、漏极直流电源和红外热像仪；半导体器件置于热台上，所述源极直流电源、栅极直流电源、漏极直流电源为半导体器件提供直流激励信号；所述热台与半导体器件底部相接触，为半导体器件提供固定的环境温度，所述红外热像仪位于半导体的正上方，采集半导体器件的热辐射信号，并将采集的信号转换成图像供分析人员参考，本发明能够为后续半导体器件的异常定位提供指导
化合物半导体器件直流分布分析系统方法

[发明专利]一种半导体冰箱-CN201510004787.3有效
发明人：李春阳;张进;李鹏;肖长亮;王铭 -专利权人：青岛海尔股份有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： F25D11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体冰箱。该半导体冰箱包括至少一个半导体制冷片和用于向半导体制冷片供电的供电系统，其中供电系统包括多个电源变换装置，每个电源变换装置的电压输出范围设置为不同，并被配置成受控地电连接至半导体制冷片。使用本发明的半导体冰箱，从多个具有不同电压输出范围的电源变换装置中选择出符合半导体制冷片供电要求的电源变换装置进行供电，防止了宽电压范围的电源变换装置在过低或过高电压输出时电源转换效率低导致的半导体冰箱能耗过高
一种半导体冰箱

[发明专利]半导体装置-CN202010894778.7在审
发明人：冈野王俊 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：实施方式提供一种抑制半导体基板的面积增加的半导体装置。有关实施方式的半导体装置1具有半导体基板(10)、第一半导体层(12)、第一导电体(13)、第一电源线(PW)、第二电源线(GW)和电路(3)。半导体基板(10)具有第一面、与第一面对置的第二面、以及设置于第一面和第二面之间的第三面。第一半导体层(12)从第三面沿着第一面进行设置。第一导电体(13)设置于第一半导体层(12)上。第一电源线(PW)与第一导电体(13)电连接。第二电源线(GW)与半导体基板(10)电连接。电路(3)设置于半导体基板(10)，并与第一电源线(PW)及第二电源线(GW)连接。
半导体装置

[实用新型]一种除湿器的驱动电路-CN201720032714.X有效
发明人：卢景华 -专利权人：厦门市百岗电气有限公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种除湿器的驱动电路，包括控制模块、电源极性切换模块、半导体制冷片、温湿度检测模块和电源模块，所述电源模块分别为控制模块和温湿度检测模块供电，同时通过电源极性切换模块为半导体制冷片供电，所述电源极性切换模块、温湿度检测模块分别与控制模块连接，当所述温湿度检测模块检测到半导体制冷片的冷端温度小于预设的下限值时，控制模块控制电源极性切换模块切换半导体制冷片的电源极性，使半导体制冷片的冷端加热；当所述温湿度检测模块检测到半导体制冷片的冷端温度大于预设的上限值时，控制模块控制电源极性切换模块切换半导体制冷片的电源极性，使半导体制冷片的冷端制冷。本实用新型可以防止半导体制冷片冷端结冰。
一种除湿驱动电路

[发明专利]半导体集成电路-CN200710186572.3无效
发明人：水谷阳介 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明要解决的课题是：在将具有半导体存储器的半导体芯片(4)和具有逻辑电路的主芯片(2)安装在一个封装内的半导体集成电路中，半导体芯片(4)在待机状态下的漏电流明显。在主芯片(2)上连接半导体芯片(4)的电源焊盘(10)，设置用于将来自外部的电源电压提供给半导体芯片(4)的开关单元(20)，根据来自控制电路的控制信号，在半导体存储器的待机模式时，切断半导体芯片(4)的电源焊盘(10)与主芯片(2)的半导体存储器的电源电压线的连接，从而可以抑制在半导体存储器上发生的漏电流。
半导体集成电路

[发明专利]多芯片型半导体装置及其制造方法-CN200610054798.3无效
发明人：藤户弘志;高森靖博 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明涉及多芯片型半导体装置及其制造方法，所述多芯片型半导体装置设有装载在安装用基板上、具有规定功能的第1半导体集成电路芯片，以及集成电源电路的第2半导体集成电路芯片。该第2半导体集成电路芯片接受从外部供给的电源，用于向上述第1半导体集成电路芯片提供电力。将第2半导体集成电路芯片层叠在第1半导体集成电路芯片上之后，用树脂将该第1、第2半导体集成电路芯片模块化。通过将低电压工艺制造的半导体芯片和往该半导体芯片供给电源、集成了用高电压工艺制造的恒电压电源电路的恒电压芯片，收纳在芯片叠芯片形式的半导体基板上，在不增加安装面积状态下，能实现对输入电压的高耐压化。
芯片半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有可控半导体元件的半导体装置-CN201810402258.2在审
发明人： C·R·米勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及具有可控半导体元件的半导体装置。一种半导体装置包括：第一电源节点，连接至第一电位；第二电源节点，连接至第二电位；以及第三电源节点，连接至第三电位。第一半导体主元件和第二半导体主元件均具有控制电极和负载路径，负载路径串联连接在第一电源节点和第二电源节点之间，并经由第一公共节点相互连接。第三半导体主元件和第四半导体主元件均具有控制电极和负载路径，负载路径串联连接并位于第三电源节点和第二电源节点之间，经由第二公共节点相互连接。
电源节点负载路径主元件电位半导体装置半导体可控半导体元件公共节点控制电极

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