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[发明专利]一种微波源制冷基板及其制备方法-CN202211024398.3有效
发明人：郭怀新;姜文海;陈堂胜;代兵;朱嘉琦;韩杰才 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司;哈尔滨工业大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种高集成大功率微波源制冷基板及其制备方法，制冷基板主要包含大功率集成单元、流体制冷单元、基板支撑单元；所述的大功率集成单元实现与多组微波功率器件排列集成，可实现高集成度；流体制冷单元实现大功率微波源的高效散热；基板支撑单元实现大功率微波源的功能电路集成。本发明采用内嵌式高导热大功率集成单元，阵列式肋条增强散热结构、分体式流体制冷单元等设计，有效增强了制冷基板的散热能力及其结构可靠性，保证了大功率微波源的高集成和大功率特性。
一种微波制冷及其制备方法

[发明专利]一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法-CN202310283928.4在审
发明人：吴立枢;钱广;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法，包括以下步骤：样品准备：清洗自下而上包含衬底层、介质层和铌酸锂层的铌酸锂薄膜和自下而上包括磷化铟衬底层和磷化铟外延功能层的磷化铟基光电外延片；第一键合：使用临时粘合材料将磷化铟基光电外延片的磷化铟外延功能层正面与临时载片进行第一键合；衬底去除：去除磷化铟基光电外延片的衬底层；第二键合：将铌酸锂薄膜的铌酸锂层正面与磷化铟外延功能层的磷化铟外延功能层背面通过键合材料进行第二键合；分离临时材料：分离磷化铟外延功能层上的临时载片并去除临时粘合材料。本申请避免了铌酸锂薄膜上生长磷化铟外延片导致的晶格失配和缺陷密度高的问题。
一种铌酸锂薄膜磷化光电外延集成方法

[发明专利]一种LNOI悬空模斑转换器及其工艺实现方法-CN202010377320.4有效
发明人：钱广;周奉杰;唐杰;顾晓文;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种LNOI悬空模斑转换器及其工艺实现方法，该装置包括光纤固定槽、光耦合端面、SiO2悬臂梁支撑结构、SiO2悬空光波导、LNOI锥形芯层、过渡结构、LNOI光波导芯层、SiO2包层以及芯片衬底。其中，所述LNOI锥形芯层嵌埋于SiO2悬空光波导中间，所述LNOI光波导芯层位于过渡结构与SiO2包层所围合的空间之中；所述SiO2悬空光波导、过渡结构和SiO2包层依次连接，且其中嵌埋的LNOI锥形芯层与LNOI光波导芯层精准对接。本发明实现了LNOI光波导中光模式尺寸的横向、纵向的同时转换，可以满足亚微米LNOI光波导与光纤模式尺寸匹配的需求，该模式转换器对脊型LNOI光波导和矩形LNOI光波导均适用。
一种 lnoi 悬空转换器及其工艺实现方法

[发明专利]一种自动转移印刷过程中的印章高度补偿方法-CN202310188050.6在审
发明人：王宇轩;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B41K3/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种自动转移印刷过程中的印章高度补偿方法，该方法通过使用激光测距装置和多轴运动位移台，依次测量出待转移和待印刷衬底表面不同位置的高度数值并依次记录形成一个相对高度矩阵，再通过印章标定其中一个位置的垂直高度位移量，结合已获得的高度矩阵，从而得到印章在衬底范围内不同位置上转移和印刷物体所需准确高度位移量；本发明主要用于提升自动转移印刷工作的可靠性，解决由于大面积待转移和待印刷衬底范围内高度起伏引起的印章拾取与放置时的失效问题。
一种自动转移印刷过程中的印章高度补偿方法

[发明专利]一种兼容增强型GaN基n沟道/p沟道器件集成结构-CN202310105771.6在审
发明人：王登贵;周建军;胡壮壮;张凯;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼容增强型GaN基n沟道/p沟道器件集成结构，其隔离区自势垒层的上表面延伸至缓冲层内部，n沟道区和p沟道区分别设于隔离区两侧；n沟道区的第一p‑GaN层自下而上依次包括第一下部p‑GaN层、第一插入层和第一上部p‑GaN层；p沟道区的第二p‑GaN层自下而上依次包括第二下部p‑GaN层、第二插入层和第二上部p‑GaN层，且第二上部p‑GaN层的中部设有未覆盖第二插入层的中空区，所述第二栅极设于中空区上，且与第二插入层之间设有栅介质层。本发明工艺制程可控性与均匀性高、器件电学输出特性稳定、与现有增强型n沟道GaN器件工艺兼容度高。
一种兼容增强 gan 沟道器件集成结构

[发明专利]一种低栅泄漏电流的增强型GaN HEMTs及其制备方法-CN202310001098.1在审
发明人：胡壮壮;王登贵;周建军;孔岑;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种低栅泄漏电流的增强型GaN HEMTs及其制备方法，所述GaN HEMTs包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源接触电极、漏接触电极、基于p‑GaN的自对准T型栅控结构和钝化层，基于p‑GaN的自对准T型栅控结构包括P‑GaN帽层、栅钝化层和栅极金属；缓冲层、沟道层、势垒层和P‑GaN帽层自下而上依次设置在衬底上，源接触电极和漏接触电极均设置在势垒层的部分上表面，且分别位于基于p‑GaN的自对准T型栅控结构的两侧，栅极金属设置在P‑GaN帽层的部分上表面，栅钝化层设置在P‑GaN帽层剩余部分上表面和势垒层剩余部分上表面，钝化层设置在栅钝化层的上表面。本发明不仅能够有效减小正向高栅压下的栅泄露电流，同时有效规避额外栅电容的引入，获得高可靠性的栅极结构。
一种泄漏电流增强 gan hemts 及其制备方法

[发明专利]一种保留砷化镓衬底的肖特基二极管衬底替换方法-CN202310269274.X在审
发明人：王宇轩;牛斌;代鲲鹏;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请公开了一种保留砷化镓衬底的肖特基二极管衬底替换方法，包括以下步骤：生长外延薄膜：在砷化镓衬底上通过分子束外延方法依次沉积非掺杂铟镓磷In0.48Ga0.52P层、纳米硅高掺杂N型砷化镓N+GaAs层、纳米硅低掺杂N型砷化镓N‑GaAs层形成外延薄膜；制作阴极金属和阳极金属；隔离腐蚀：光刻出二极管图形，并用第一腐蚀液去除二极管图形外的全部N+GaAs和N‑GaAs层，再从露出的In0.48Ga0.52P层上光刻出In0.48Ga0.52P层图形，使In0.48Ga0.52P层易于全部腐蚀去除；使用第二腐蚀液去除In0.48Ga0.52P层图形内全部In0.48Ga0.52P；制作保护氧化硅层和完成空气桥金属连接；衬底分离和替换。通过在砷化镓衬底和纳米硅掺杂砷化镓层间生长非掺杂铟镓磷In0.48Ga0.52P层，实现砷化镓衬底的保留，从而实现资源再利用，节能环保。
一种保留砷化镓衬底肖特基二极管替换方法

[发明专利]一种具有空腔结构的低寄生GaN HEMT器件及其制造方法-CN202310051847.1在审
发明人：房柏彤;张凯;朱广润;贾晨阳;石娅婷;王伟凡;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有空腔结构的低寄生GaN HEMT器件及其制造方法，该器件的结构由下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、势垒层，势垒层上方有源极、漏极以及SiN钝化薄层，在SiN钝化薄层内开有凹槽，凹槽上方两侧有微场板，所述微场板为M型栅极的一部分，二次钝化层包裹于M型栅极上方及两侧形成空腔。本发明首次提出利用临时栅控形层形成两侧向上凸起的M型栅极，再通过二次钝化形成空腔并稳固栅极，有效抑制寄生电容效应。此外通过自对准的微场板结构，提升器件的击穿电压并抑制电流崩塌。本发明有效解决了传统T型栅GaN HEMT器件存在的击穿电压与频率特性的矛盾，可应用于微波毫米波功率器件领域。
一种具有空腔结构寄生 gan hemt 器件及其制造方法

[发明专利]一种全GaN集成芯片结构及其制备方法-CN202310085988.5在审
发明人：王登贵;周建军;戴家赟;王飞;胡壮壮;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种全GaN集成芯片结构及其制备方法，该芯片结构包括：半绝缘SiC衬底；导电键合层；全GaN电路结构层：自下而上依次包括缓冲层、沟道层和势垒层，还包括第一深槽、第二深槽和钝化层，第一深槽的槽底与导电键合层相接，槽壁穿透至势垒层，内壁生长有连接源极和导电键合层的金属；第二深槽的槽底与半绝缘SiC衬底相接，槽壁穿透至势垒层，内壁沉积有绝缘介质。本发明实现了全GaN集成芯片中高低侧电位的单片隔离，降低了寄生电感和芯片面积；解决了传统SOI基GaN集成芯片架构导热性差、工艺难度高的问题；其制备方法具有高度的普适性与灵活性，有利于全GaN集成芯片的集成化与智能化发展。
一种 gan 集成芯片结构及其制备方法

[发明专利]一种GaN基异质结二极管及其制备方法-CN202211661130.0在审
发明人：王登贵;周建军;胡壮壮;孔岑;张凯;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基异质结二极管及其制备方法，所述二极管包括衬底；缓冲层，设置在衬底的上表面；沟道层，设置在缓冲层的上表面；势垒层，设置在沟道层的上表面；h‑BN/p‑GaN异质结，设置在势垒层的部分上表面；混合阳极电极，设置在h‑BN/p‑GaN异质结的上表面；阴极电极，设置在势垒层的部分上表面；和钝化层，设置在势垒层剩余部分上表面。本发明一种GaN基异质结二极管及其制备方法，工艺可控性好，可靠性高，可实现对器件开启电压的调节，获得开启电压稳定性好、导通电阻低、反向击穿电压高的二极管。
一种 gan 基异质结二极管及其制备方法

[发明专利]薄膜铌酸锂基异构集成微波光子收发芯片-CN202010616333.2有效
发明人：钱广;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂基异构集成微波光子收发芯片，属于集成微波光子技术领域，该芯片主要包括射频转换开关、低噪声放大器电路、功率放大器电路、激光器、电光调制器、光电探测器、光路转换开关和光延时器，实现了射频收发前端、电光/光电转换与光延时芯片的异构集成；各光芯片之间通过薄膜铌酸锂基光波导连接，光芯片与微波芯片之间通过金属凸点键合及通孔互连等工艺实现三维异构集成。该芯片可以实现基于光子技术的微波收发与波束控制功能，且具有小型化、集成度高、性能稳定等优点，满足微波光子雷达系统收发前端大规模阵列化应用需求。
薄膜铌酸锂基异构集成微波光子收发芯片

[发明专利]薄膜铌酸锂和Ⅲ-Ⅴ异质集成光学材料结构及其制备方法-CN202211594317.3在审
发明人：钱广;吴立枢;唐杰;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂和Ⅲ‑Ⅴ异质集成光学材料结构及其制备方法，属于光电集成芯片材料技术领域。该结构包括依次键合连接的：衬底、第一键合层、铌酸锂薄膜、第二键合层和Ⅲ‑Ⅴ光学外延层薄膜。制备方法为：将Ⅲ‑Ⅴ光学外延层薄膜临时键合后去除原本的衬底；同时将铌酸锂材料与衬底键合，再进行减薄及表面处理；将得到的铌酸锂薄膜与Ⅲ‑Ⅴ光学外延层薄膜键合，最后去除临时键合层和临时衬底得到薄膜铌酸锂和Ⅲ‑Ⅴ异质集成光学材料结构。本发明可以实现Ⅲ‑Ⅴ光芯片与薄膜铌酸锂光芯片异质集成，弥补薄膜铌酸锂光学材料在光源、光探测和光放大等方面的技术不足。
薄膜铌酸锂集成光学材料结构及其制备方法

[发明专利]一种石英衬底InP HEMT有源层集成方法-CN202211335300.6在审
发明人：戴家赟;吴立枢;郭怀新;孔月婵;朱健;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开一种石英衬底InP HEMT有源层集成方法，具体为：1：在晶圆的有源层上旋涂第一临时键合粘附剂后放在热板上预烘烤；2：将第一支撑载片与有源层键合；3：减薄晶圆的衬底；4：在第二支撑载片上旋涂第二临时键合粘附剂后放在热板上预烘烤；5：将第二支撑载片与晶圆衬底键合；6：将第一支撑载片与晶圆的有源层分离，并清洗晶圆有源层的表面；7：在晶圆有源层上旋涂永久性键合材料，将石英衬底与晶圆的有源层进行永久键合；8：将第二支撑载片与晶圆的衬底分离，并清洗晶圆衬底；9：将晶圆的衬底完全去除；10：去除晶圆的自停止层和缓冲层。本发明解决了直接键合过程中因高温条件、材料热失配等因素导致的键合晶圆破裂的问题。
一种石英衬底 inp hemt 有源集成方法

[发明专利]一种单片异质集成光参量放大芯片-CN202211218130.3在审
发明人：唐杰;钱广;顾晓文;王琛全;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片异质集成光参量放大芯片，包括衬底、下包层、铌酸锂薄膜平板光波导、光参量放大传输光路层、上包层及泵浦激光器外延层，光参量放大传输光路层包括泵浦光耦合光波导、泵浦光传输光波导、信号光输入模斑转换器、信号光传输光波导、泵浦光信号光耦合器、周期极化铌酸锂薄膜光波导、信号光解复用器、信号光输出模斑转换器。本发明可在单一芯片上实现对输入信号光的放大，具有高度集成化、噪声低、增益高、插入损耗低的优点。
一种单片集成参量放大芯片

[发明专利]一种金刚石衬底GaN器件通孔的制备方法-CN202211287046.7在审
发明人：吴立枢;韩群飞;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石衬底GaN器件通孔制备的方法，包括：金刚石衬底背面激光刻蚀通孔，刻穿正面GaN器件源极金属；使用临时粘合材料将金刚石衬底GaN器件正面与临时载片键合；金刚石衬底背面及通孔内沉积种子层金属，并电镀沉积背金；去除正面临时载片和临时粘合材料；正面GaN器件源极金属上面二次电镀金属，实现源极金属与通孔金属互连。本发明直接采用激光刻蚀通孔的方法，具有简单快速的优点，同时采用临时键合结合二次电镀的方法，解决的金刚石刻蚀通孔电镀互连的问题，获得了较好的电学接地。
一种金刚石衬底 gan 器件制备方法

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