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[发明专利]一种半导体热能检测器-CN201410516820.6在审
发明人：杨永利 -专利权人：陕西三元金泰实业发展有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种半导体热能检测器，包括半导体，其特征在于，电源连接半导体，半导体连接测温器，测温器连接温度显示器，通过电源给半导体供电，半导体发热，通过测温器检测后显示在温度显示器上，检测具有更高效、更方便、更快捷的优点
一种半导体热能检测器

[发明专利]半导体器件和其制造方法-CN202180004467.1在审
发明人：何川;郝荣晖;黃敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化物基半导体电路包括氮化物基半导体载体、第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、连接器、连接线和电源线。第一氮化物基半导体层配置在氮化物基半导体载体上方。第二氮化物基半导体层配置在第一氮化物基半导体层上。连接器配置在第二氮化物基半导体层上。连接线电连接到连接器中的一个。电源线电到氮化物基半导体载体。异质结形成于第一氮化物基半导体层与第二氮化物基半导体层之间。电势差施加在电源线与连接线之间。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体驱动电路及半导体装置-CN201210561009.0无效
发明人：玉木恒次;井上贵公;冈部浩之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明涉及半导体驱动电路及半导体装置。本发明的目的在于提供一种使用单一的电源对半导体开关元件施加正、负的偏压信号来进行半导体开关元件的开关的低功耗的半导体驱动电路。本发明的半导体驱动电路（100）对半导体开关元件（7）进行驱动，其特征在于具备：内部电源电路（3），根据从外部电源（4）供给的第一电压生成第二电压；以及驱动部（1），根据从外部输入的输入信号，在半导体开关元件（7）的栅极–发射极之间施加第一电压或第二电压，进行半导体开关元件（7）的导通/截止，内部电源电路（3）根据输入信号进行工作。
半导体驱动电路装置

[发明专利]CMOS结构及其制造方法-CN202310289118.X在审
发明人：朴玺韩;李昇映;黄寅灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开涉及CMOS结构及其制造方法，该CMOS结构包括晶片、在晶片的正面的第一半导体器件和第二半导体器件、在晶片的背面的电源轨、在晶片的背面的背面配电网络(PDN)网格、以及在晶片的正面在第一半导体器件和第二半导体器件之上的正面信号布线线路第二半导体器件堆叠在第一半导体器件上，背面PDN网格联接到电源轨，电源轨联接到第一半导体器件和第二半导体器件。
cmos 结构及其制造方法

[发明专利]一种互联网学习的刀片服务器-CN201710033785.6在审
发明人：陈光 -专利权人：云雀科技成都有限责任公司
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种互联网学习的刀片服务器，包括至少一组长条形P型半导体和与其对应的N型半导体，所述P型半导体一端与电源连接，另一端通过导体连接N型半导体，所述N型半导体一端与电源连接，另一端通过导体连接P型半导体，使用绝缘陶瓷对P型半导体和N型半导体组成的制冷结构预留电源连接的孔缝后进行封装形成制冷板。本发明的优点是采用半导体制冷技术，相对于现有散热片、风扇和水冷技术更加节约空间；半导体制冷效率高。
一种互联网学习刀片服务器

[实用新型]一种通过大数据深度学习的刀片服务器-CN201720056321.2有效
发明人：陈光 -专利权人：云雀科技成都有限责任公司
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通过大数据深度学习的刀片服务器，包括至少一组长条形P型半导体和与其对应的N型半导体，所述P型半导体一端与电源连接，另一端通过导体连接N型半导体，所述N型半导体一端与电源连接，另一端通过导体连接P型半导体，使用绝缘陶瓷对P型半导体和N型半导体组成的制冷结构预留电源连接的孔缝后进行封装形成制冷板。本实用新型的优点是采用半导体制冷技术，相对于现有散热片、风扇和水冷技术更加节约空间；半导体制冷效率高。
一种通过数据深度学习刀片服务器

[实用新型]具有RS485接口的数字化半导体激光器驱动电源-CN201820717484.5有效
发明人：张成彦;张田甜;马彩芳 -专利权人：北京特一安电源科技有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：具有RS485接口的数字化半导体激光器驱动电源，涉及半导体激光器驱动电源技术领域。半导体激光器因其具有无可取代的优点而得到了广泛的应用。但是半导体激光器对其驱动电源的技术要求却是非常的苛刻，要求驱动电流具有低纹波、高稳定度、无过冲、无反冲等。目前通用的半导体激光器驱动电源基本能够满足使用要求，但存在的缺点是：无计算机控制功能，尤其是不能适应一台计算机同时控制多台半导体激光器驱动电源的应用。本实用新型是在通用的半导体激光器驱动电源的基础上增加了RS485串行通讯接口，实现了半导体激光器驱动电源的计算机控制功能，并且利用RS485接口的总线拓扑结构可实现一台计算机同时控制多台半导体激光器驱动电源
半导体激光器驱动电源半导体激光器计算机控制通用的数字化总线拓扑结构本实用新型高稳定度技术要求驱动电流驱动电源低纹波计算机反冲应用

[发明专利]电源装置-CN202210817536.7在审
发明人：益井秀彰 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H02J9/06 文献下载
摘要：DC/DC转换器包括半导体开关S1，并且被配置为通过接通和断开半导体开关S1来转换输入电压。半导体开关S2连接在主电源和DC/DC转换器的输入端之间。半导体开关S3连接在半导体开关S2和DC/DC转换器的输入端之间的连接点与备用电源之间。控制单元在正常状态下接通半导体开关S2和半导体开关S3，并且当主电源中出现异常时断开半导体开关S2并接通半导体开关S3。
电源装置

[发明专利]半导体器件-CN201510626947.8在审
发明人：小山田成圣 -专利权人：野田士克林股份有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。这样一种半导体器件的电源布线结构，其包括以倒装芯片方式安装在衬底上的半导体芯片，其降低了内部布线的特性阻抗且由此提高了噪声降低效果，同时实现了在高频电源操作期间的低阻抗。在从平面图观察时的半导体芯片的安装面上的多个周边电极焊盘的内侧区域中，在半导体芯片的保护膜上的第一绝缘膜上，半导体器件具有用于将电力提供至半导体芯片的内侧电源板结构。内侧电源板结构包括在第一绝缘膜上的第一电源板、在第一电源板上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二电源板。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910753596.5在审
发明人：小山田成圣 -专利权人：野田士克林股份有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。这样一种半导体器件的电源布线结构，其包括以倒装芯片方式安装在衬底上的半导体芯片，其降低了内部布线的特性阻抗且由此提高了噪声降低效果，同时实现了在高频电源操作期间的低阻抗。在从平面图观察时的半导体芯片的安装面上的多个周边电极焊盘的内侧区域中，在半导体芯片的保护膜上的第一绝缘膜上，半导体器件具有用于将电力提供至半导体芯片的内侧电源板结构。内侧电源板结构包括在第一绝缘膜上的第一电源板、在第一电源板上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二电源板。
电源板半导体芯片绝缘膜半导体器件电源布线结构噪声降低效果周边电极焊盘操作期间倒装芯片电力提供高频电源内部布线内侧区域特性阻抗保护膜低阻抗衬底观察

[实用新型]一种高功率电晶体切换式电源半导体封装模架-CN201920372873.3有效
发明人：宋岩 -专利权人：大连泰一半导体设备有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种高功率电晶体切换式电源半导体封装模架，包括模架底板和注料杆固定板，本实用新型的高功率电晶体切换式电源半导体封装模架，可连接高功率电晶体切换式电源半导体封装模盒与高功率电晶体切换式电源半导体封装模板，并可控制填充封装材料的填充速度与填充量，形成一个可独立运作的半导体封装系统，提高了高功率电晶体切换式电源半导体元器件电特性能与高可靠性；有效地解决了新型的高功率电晶体切换式电源半导体元器件产品小型化、封装制程模组化；有效地解决了高效率、可精准控制注料过程，及降低产品不良率功率电源元器件产品制造的成本。
切换式电源电晶体高功率半导体封装模架半导体元器件有效地半导体封装系统填充封装材料本实用新型产品小型化产品制造独立运作高可靠性功率电源精准控制模架底板不良率电特性高效率固定板可控制可连接模组化填充量注料杆模盒制程注料元器件封装填充

[发明专利]用于半导体器件的具有降低的电阻的电源电压分配系统-CN200710138333.0有效
发明人： D·苏;J·查 -专利权人：意法半导体亚太私人有限公司;海力士半导体有限公司
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种用于在半导体器件(100)中分配电源电压的电源电压分配系统，包括：第一电源电压分配线布置(115a)和第二电源电压分配线布置(115b)，它们适于从该半导体器件的外部接收半导体器件电源电压(VDD_ext)并且把电源电压(VDDI，VDDE_IO)分配给该半导体器件的相应的第一(120；132)和第二部分(125；132)；连接到第一电源电压分配线布置的电压到电压转换电路(130)，其适于把该半导体器件电源电压传输到第一电源电压分配线布置上，或者把其值不同于该半导体器件电源电压的转换后的电源电压放置在第一电源电压分配线上。
用于半导体器件具有降低电阻电源电压分配系统

[实用新型]一种半导体测试装置-CN202320342787.4有效
发明人：周忠华 -专利权人：上海伟测半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种半导体测试装置，包括工作模块和高温切常温的降温模块，高温切常温的降温模块包括电源、多个导体、第一半导体和第二半导体；多个导体串联在电源的两端；第一半导体与第二半导体交替设置在多个导体之间，每一个第一半导体与第二半导体联结成热电偶，产生冷端与热端，冷端连接至工作模块，并在接通电源后，对工作模块进行降温。
一种半导体测试装置

[发明专利]电子器件及半导体器件-CN201480082194.2有效
发明人：别井隆文;诹访元大 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：电子器件包括第1布线基板和搭载在上述第1布线基板上的半导体器件。在上述半导体器件的第2布线基板上排列地搭载有多个第1半导体芯片和对上述多个第1半导体芯片的每一个进行控制的第2半导体芯片。另外，上述多个第1半导体芯片搭载在上述布线基板的第1基板边与上述第2半导体芯片的第1芯片边的延长线之间。另外，上述第1布线基板具有：分别向上述多个第1半导体芯片的每一个供给第1电源电位的第1电源线、和向上述第2半导体芯片供给第2电源电位并且宽度比上述第1电源线宽的第2电源线。另外，上述第2电源线在俯视下与上述第2布线基板的上述第1基板边交叉，并且从上述第2布线基板的上述第1基板边侧向上述第2半导体芯片延伸。
电子器件半导体器件

[发明专利]一种半导体燃烧测试装置-CN202310157284.4在审
发明人：闫方亮;于渤;杨丽霞;朱勋 -专利权人：北京聚仪共享科技有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体测试装置技术领域，尤其是一种半导体燃烧测试装置，包括，电源单元，用于对半导体器件持续提供预值时间的电源电压，以通过该半导体器件在预值时间内是否发生燃烧来判断其是否合格；云台，安装于所述电源单元的上方，本发明中通过将半导体器件安装于PCB板上后，通过电源单元对其进行供电测试，以实现在预值时间内判断出该半导体器件是否符合标准，以便于适配待测半导体器件，其次，在本发明中还设计有摄像头进行辅助检测，通过对半导体器件进行燃烧时间的记录，从而判断出半导体器件精准的耐压时间，为燃烧测试记录的时间精准度做出有效保障。
一种半导体燃烧测试装置