专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]接收装置-CN200910140234.5有效
  • 平正明 - 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
  • 2009-07-09 - 2012-12-26 - H04B1/26
  • 本发明提供一种接收装置。其中该接收装置具有:输出具有作为接收信号及第一局部振荡信号的频率差的第一频率且相位大致相互正交的第一及第二混频信号的第一混频部;输出具有第二频率且具有与所述第一及第二混频信号的相位差相对应的相位差的第二及第三局部振荡信号的相位控制部;和将对所述第一混频信号及所述第二局部振荡信号进行混频后的信号与对所述第二混频信号及所述第三局部振荡信号进行混频后的信号进行相加,输出具有作为所述第一及第二频率之差的中间频率的中频信号的第二混频部。因此,无需按照每台接收装置事先进行调整,也能防止混信并接收具有所期望的频率的信号。
  • 接收装置
  • [发明专利]电动机速度控制装置-CN201210010869.5无效
  • 中村英明;今井敏行 - 三洋半导体株式会社
  • 2012-01-11 - 2012-08-01 - H02P29/00
  • 提供一种能够削减外置部件的数量的电动机速度控制装置。具备:第一判断单元,其根据与电动机的转速相应的速度信号,来判断转速是否比设定的第一转速快;第二判断单元,其根据速度信号,来判断电动机的转速是否比设定的第二转速快,该第二转速比第一转速快;以及驱动信号输出单元,其根据第一判断单元和第二判断单元的判断结果,将驱动信号输出到用于驱动电动机的驱动单元,该驱动信号使得在电动机的转速比第一转速慢的情况下使电动机的转速变快,而在电动机的转速比第二转速快的情况下使电动机的转速变慢。
  • 电动机速度控制装置
  • [发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法及引线框-CN201110429499.4有效
  • 境春彦 - 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
  • 2009-07-30 - 2012-06-27 - H01L23/31
  • 本发明提供半导体装置、半导体装置的制造方法及引线框。该半导体装置的制造方法及引线框容易使密封树脂蔓延到岛的内表面。在本发明的半导体装置的制造方法中,将安装有半导体装置的岛(12)的侧面形成为倾斜面(11)。这样,在自浇口(80)将密封树脂注入到注塑模具的模腔(66)中时,被注入的密封树脂与设置在岛(12)的侧面上的倾斜面(11)接触。于是,密封树脂沿着倾斜面(11)流动而被填充到岛(12)的下方的空间中。因而,由于较薄地覆盖岛(12)的下表面,因此,即使岛(12)的下方空间形成得较小,也能够将密封树脂无空隙地填充到该空间中。
  • 半导体装置制造方法引线
  • [发明专利]电源电路-CN201010623088.4有效
  • 小林重人;山田光一;上田佳孝;和田淳 - 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
  • 2010-12-27 - 2011-08-24 - G11C11/4074
  • 本发明提供一种电源电路。电源电路(10a)根据可提供第一电源电压(V1)的第一电源和可提供比第一电源电压(V1)更低的第二电源电压(V2)的第二电源,生成内部电源电压(intVCC)。第一晶体管(TR1)设置在第一电源和输出节点(12)之间,第二晶体管(TR2)设置在第二电源和输出节点(12)之间。第一供给部(20)向第一晶体管(TR1)的栅极输入提供第一电源的输出电压或与第一电源的输出电压对应的电压的反相值。第二供给部(30)向第二晶体管(TR2)的栅极输入提供第一电源的输出电压或与第一电源的输出电压对应的电压。因此,可根据一个以上的电源有效地生成内部电源电压。
  • 电源电路
  • [发明专利]线性振动电动机的驱动控制电路-CN201110020005.7有效
  • 村田勉 - 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
  • 2011-01-11 - 2011-08-17 - H02P25/02
  • 本发明提供一种线性振动电动机的驱动控制电路,其能够缩短线性振动电动机的驱动结束时的振动停止时间。驱动信号生成部(10)生成用于使正电流和负电流交替地流过线圈(L1)的驱动信号。驱动部(20)生成与由驱动信号生成部(10)生成的驱动信号对应的驱动电流,并提供给线圈(L1)。驱动信号生成部(10)在线性振动电动机(200)的驱动结束之后,生成相对于在该驱动进行时生成的驱动信号的相位而言相反相位的驱动信号。驱动部(20)通过向线圈(L1)提供与相反相位的驱动信号对应的相反相位的驱动电流,从而加快线性振动电动机(200)的停止。
  • 线性振动电动机驱动控制电路
  • [发明专利]半导体存储装置-CN201110021219.6有效
  • 丸山纯平;吉川定男 - 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
  • 2011-01-14 - 2011-08-03 - G11C16/06
  • 本发明提供了一种即使在验证时数据读出的分辨能力也不会降低,且即使电源电压降低也能够进行稳定的读出动作的半导体存储装置。本发明的读出电路(13)具有:将存储器单元(MC)的单元电流(Icell)变换为电压数据(Vdata)的电流电压变换电路(20)、以及将电压数据(Vdata)与基准电压(Vref)进行比较的读出放大器(30)。电流电压变换电路(20)构成为包括经由位线(BLj)与存储器单元(MC)连接的可变负载电阻。可变负载电阻构成为包括:作为负载电阻的P沟道型MOS晶体管(T11、T14、T17)、以及构成开关电路的P沟道型MOS晶体管(T13、T16、T19)。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]线性振动电机的驱动控制电路-CN201110020043.2有效
  • 村田勉 - 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
  • 2011-01-11 - 2011-08-03 - H02P25/02
  • 本发明提供一种线性振动电机的驱动控制电路,可缩短线性振动电机开始驱动时振动的上升时间。驱动信号生成部(10)生成用于使正电流和负电流交替流向线圈(L1)的驱动信号、即在正电流通电期间和负电流通电期间的每一个的前后设定有非通电期间的驱动信号。驱动部(20)生成与由驱动信号生成部(10)生成的驱动信号相应的驱动电流,并提供给线圈(L1)。驱动信号生成部(10)在线性振动电机(200)开始驱动之后,将在驱动信号的至少最初的通电期间之前应该设定的非通电期间宽度,设定得比在线性振动电机(200)稳定动作时在各通电期间之前应该设定的非通电期间宽度还短。
  • 线性振动电机驱动控制电路
  • [发明专利]线性振动电动机的驱动控制电路-CN201110021507.1有效
  • 村田勉 - 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
  • 2011-01-13 - 2011-08-03 - H02P25/02
  • 本发明提供线性振动电动机的驱动控制电路,无论线性振动电动机处于哪种状态,都以尽量接近其固有振动数的频率来驱动。本发明的线性振动电动机的驱动控制电路,包括:驱动信号生成部(10),其生成用于使正电流和负电流夹着非通电期间交替地流过线圈(L1)的驱动信号;驱动部(20),生成与驱动信号生成部10所生成的驱动信号相应的驱动电流,并供给到线圈(L1);感应电压检测部(30),在非通电期间检测线圈(L1)中产生的感应电压;过零检测部(40),检测由感应电压检测部(30)检测出的感应电压的过零;和驱动信号生成部(10),根据过零的检测位置估计线性振动电动机(200)的固有振动数,使驱动信号的频率接近该固有振动数。
  • 线性振动电动机驱动控制电路
  • [发明专利]线性振动电机的驱动控制电路-CN201110022259.2有效
  • 村田勉 - 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
  • 2011-01-18 - 2011-08-03 - H02P25/02
  • 提供一种线性振动电机的驱动控制电路,可提高在以线性振动电机的固有振动频率和驱动信号的频率一致的方式自适应地控制驱动信号的周期宽度时对线圈中产生的感应电压的零交叉的检测精度。驱动信号生成部生成用于使正电流和负电流隔着非通电期间交替流向线圈的驱动信号。驱动部生成与驱动信号生成部所生成的驱动信号相应的驱动电流并提供给线圈。驱动信号生成部根据在非通电期间线圈中产生的零交叉的检测位置来推定线性振动电机的固有振动频率,使驱动信号的频率接近该固有振动频率。零交叉检测部设定有用于回避检测出感应电压以外的电压的零交叉的检测窗,使在该检测窗内检测出的零交叉有效,使在该检测窗外检测出的零交叉无效。
  • 线性振动电机驱动控制电路
  • [发明专利]半导体器件-CN201010623058.3无效
  • 上田佳孝;山田光一;和田淳;小林重人 - 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
  • 2010-12-31 - 2011-08-03 - H01L23/52
  • 本发明提供一种半导体器件,可实现电子电路的小型化。MOS晶体管(20)具有形成为栅格状的栅电极(22),被栅电极(22)包围的源区(23)及漏区(24),沿栅电极(22)的栅格的一个方向配置且通过接触点连接源区(23)及漏区(24)的源极用金属布线(27)及漏极用金属布线(28)。源区(23)及漏区(24)分别被形成为在各金属布线的长度方向上具有长边的长方形状。源极用金属布线(27)及漏极用金属布线(28)在其长度方向上被形成为锯齿形状,分别与源极用接触点(25)及漏极用接触点(26)连接。
  • 半导体器件
  • [发明专利]马达驱动电路-CN201110024984.3有效
  • 中畑雅裕;今井敏行 - 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
  • 2011-01-21 - 2011-07-27 - H02P6/08
  • 本发明提供一种能够根据马达的转速来改变软切换的期间的马达驱动电路。其中,第一电平移位电路对第一和第二位置检测信号中的至少一个电平进行移位,以使第一输出信号的电平高于第二输出信号的电平的期间比第二输出信号的电平高于第一输出信号的电平的期间长;第二电平移位电路对第一和第二位置检测信号中的至少一个电平进行移位,以使与第三输出信号的电平高于第四输出信号的电平的期间比第四输出信号的电平高于第三输出信号的电平的期间短;定时检测电路检测第一定时及第二定时;输出电路仅在包含第三定时的、第一定时与第二定时之间的期间,将用于使马达的线圈的驱动电流逐渐变化的指示信号输出给驱动线圈的驱动电路。
  • 马达驱动电路
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201010593405.2有效
  • 松井俊和;佐山康之;江藤弘树;细谷拓己 - 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
  • 2010-12-17 - 2011-06-29 - H01L21/316
  • 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。根据该方法,槽结构的栅极绝缘膜不会受到形成发射极层等时的砷离子的损伤,并且能够低成本地制造提高了栅极绝缘膜的绝缘耐压的半导体装置。在高温炉等中使埋入槽(3)内而形成的由多晶硅构成的栅极电极(5)热氧化,以在栅极电极(5)上形成厚的多晶硅热氧化膜(6)。此后,离子注入杂质离子以形成成为发射极层等的N型半导体层(8)。在该情况下,将多晶硅热氧化膜(6)形成为膜厚度大于为了通过离子注入形成成为发射极层等的N型半导体层(8)而杂质离子在硅氧化膜中的平均射程。由此,防止杂质离子损伤夹在栅极电极(5)和N型半导体层(8)之间的栅极绝缘膜(4)。
  • 半导体装置制造方法

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