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[发明专利]半导体装置-CN201210222983.4有效
发明人：白井浩司;清水茉莉子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置，该半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层；设置在上述第1半导体层上的第1导电型的第2半导体层；在上述第2半导体层上与上述第2半导体层接合设置的第2导电型的第3半导体层；包围上述第3半导体层的周围、比上述第3半导体层深的元件分离层；以及设在上述第3半导体层与上述元件分离层之间、与上述第3半导体层邻接、比上述第3半导体层深的第2导电型的保护环层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910709932.6有效
发明人：石田贵士;杉本尚丈;菅野裕士;冈本达也 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够减小半导体层内的晶粒的粒径的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备：第1半导体层，作为具有导电性的多晶半导体层；第2半导体层，设置在所述第1半导体层上，作为具有导电性且粒径比所述第1半导体层小的多晶半导体层；及多个电极层，在第1方向相互隔开而积层于所述第2半导体层上。所述装置还具备：第3半导体层，在所述第1半导体层、所述第2半导体层、及各所述电极层内，以在所述第1方向延伸的方式设置，且以与所述第2半导体层相接的方式设置；及电荷储存层，设置于所述多个电极层与所述第3半导体层之间
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201810972334.3有效
发明人：杉本雅裕;髙桥勲;四户孝;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好的接合且半导体特性优异的半导体装置。本发明制造一种半导体装置，所述半导体装置至少包括：n型半导体层，包括第一半导体作为主要成分；i型半导体层，包括第二半导体作为主要成分；以及p型半导体层，包括第三半导体作为主要成分，第一半导体、第二半导体和第三半导体均为具有刚玉结构的氧化物半导体，将得到的半导体装置用于功率器件等。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201980025303.X在审
发明人：斋藤雄;增田健良 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种半导体装置，其包含：第一半导体层，所述第一半导体层为第一导电型并且包含其中要形成多个半导体元件的元件区域；环状第二半导体层，所述环状第二半导体层为第二导电型，以包含所述第一半导体层的第一表面的方式形成，并且在俯视图中围绕所述元件区域；第三半导体层，所述第三半导体层为第二导电型，形成在所述第一半导体层中并且相比于所述第二半导体层更远离所述第一表面，并且将所述第一半导体层的一部分夹在所述第二半导体层与所述第三半导体层之间；第四半导体层，所述第四半导体层为第二导电型并且将所述第二半导体层和所述第三半导体层彼此电连接；以及第一电极，所述第一电极在俯视图中在所述第二半导体层内侧与所述第四半导体层电连接，其中所述第二半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度高于所述第一半导体层中包含的第一导电型杂质的有效浓度，并且所述第三半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度高于所述第二半导体层中包含的第二导电型杂质的有效浓度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201510093121.X在审
发明人：富田幸太;前山贤二 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明提供一种向半导体层施加的应力可缓和的半导体装置。本发明的半导体装置包括：第一导电型第一半导体层；第一导电型第二半导体层，设在第一半导体层上；第二导电型第三半导体层，选择性地设在第二半导体层上；第一导电型第四半导体层，设在第三半导体层上；第一电极，隔着绝缘膜设在第二、第三、第四半导体层；第二电极，设在第四半导体层上，且连接第四半导体层；第三电极，与第二电极分离，一端与第一半导体层相接，另一端位于第二半导体层表面侧；且该半导体装置包含：第二半导体层的表面、及与第三电极相接且与第二半导体层的表面相连的面，第二半导体层的表面与该面成直角或钝角。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911259682.7在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括自下而上依次堆叠的底部半导体层、牺牲半导体层和顶部半导体层，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧基底内形成有源漏掺杂区，源漏掺杂区底部位于牺牲半导体层底部上方；刻蚀源漏掺杂区露出的基底形成沟槽，沟槽至少贯穿顶部半导体层和牺牲半导体层；对沟槽侧壁露出的牺牲半导体层进行横向刻蚀，形成由底部半导体层、牺牲半导体层和顶部半导体层围成的第一凹槽；在沟槽中形成隔离结构，且隔离结构与底部半导体层、牺牲半导体层和顶部半导体层在第一凹槽的位置处围成空气隙。通过形成空气隙，以隔离源漏掺杂区和底部半导体层，从而减小漏电流和寄生电容，进而提高半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN202111512288.7在审
发明人：陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体结构，该半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层以及栅极电极。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层依序堆叠于基板之上。源极电极以及漏极电极设置于第一氮化物半导体层之上。第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层、第三氮化物半导体层以及栅极电极依序堆叠于第二氮化物半导体层的顶面且位于源极电极以及漏极电极之间。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层具有P型掺杂。
半导体结构

[发明专利]半导体装置-CN200710300712.5无效
发明人：米田阳树 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2007-12-25 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：第一导电型的第一半导体层，其在基板的上表面上形成；第一导电型的第二半导体层，其在第一半导体层上形成；第一导电型的第三半导体层，其在第二半导体层上形成；第二导电型的第四半导体层，其在第三半导体层上形成；第一导电型的第五半导体层，其在第四半导体层上形成；和电极，在以至少贯通第五半导体层、第四半导体层及第三半导体层且到达第二半导体层的方式形成的沟部内，隔着绝缘膜而被形成。第二半导体层的上表面被配置得比电极的下端部更靠近上侧。
半导体装置

[发明专利]功率用半导体元件-CN201310375789.4无效
发明人：中村和敏;小仓常雄;二宫英彰 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供具备第1～第4半导体层及第1～第5电极的功率用半导体元件。第1电极具有第一面和第二面。第1半导体层设在第一面侧。第2半导体层设在第1半导体层之上，与第1半导体层相比杂质浓度高。第3半导体层设在第2半导体层之上。第4半导体层设在第3半导体层之上。第2电极与第4半导体层电连接。第3电极隔着绝缘膜设于第2及第3半导体层，上端位于第3半导体层，沿第1、第2半导体层的层叠方向延伸。第4电极隔着绝缘膜设于第2及第3半导体层，上端位于第3半导体层，沿层叠方向延伸，与第3电极并列。第5电极隔着绝缘膜而设在第3、第4电极之间，上端位于第3半导体层，沿第1、第2半导体层的层叠方向延伸，与第2电极电连接。
功率半导体元件

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200980105302.2有效
发明人：舛冈富士雄;中村广记;工藤智彦;新井绅太郎 -专利权人：日本优尼山帝斯电子株式会社
申请日： 2009-02-16 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的半导体器件的制造方法包括下列步骤：于平面状半导体层上形成柱状的第1导电型半导体层；于平面状半导体层形成第2导电型半导体层；于第1导电型半导体层周围形成栅极绝缘膜及由金属和非晶硅或多晶硅的积层构造所构成的栅极电极；于栅极上部和第1导电型半导体层上部侧壁将第2和第1绝缘膜形成侧墙状；于栅极侧壁将第2和第1绝缘膜形成侧墙状；于第1导电型半导体层上部形成第2导电型半导体层；于平面状半导体层的第2导电型半导体层、第1导电型半导体层上部的第2导电型半导体层及栅极形成金属与半导体的化合物；于平面状半导体层的第2导电型半导体层上及第1导电型半导体层上部的第2导电型半导体层上形成接触部。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202111326658.8在审
发明人：山本芳树 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体器件，并涉及提高半导体器件的可靠性。电阻元件包括SOI衬底的半导体层和半导体层上形成的外延半导体层。外延半导体层EP具有在半导体层上形成的并且彼此间隔开的两个半导体部分。半导体层具有形成一个半导体部分的区域、形成另一半导体部分的区域以及未形成外延半导体层的区域。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202080001568.9有效
发明人：黄敬源;李启珍 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括半导体层、设置于所述半导体层上的第一经掺杂氮化物半导体层、设置于所述第一经掺杂氮化物半导体层上的第二经掺杂氮化物半导体层。所述半导体装置还包括位于所述半导体层及所述第一经掺杂氮化物半导体层之间的未经掺杂氮化物半导体层。所述未经掺杂氮化物半导体层具有与所述半导体层接触之第一表面及与所述第一经掺杂氮化物半导体层接触之第二表面。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201810971991.6有效
发明人：杉本雅裕;髙桥勲;四户孝;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好接合且半导体特性优异的半导体装置。技术方案为制造一种半导体装置，并将所获得的半导体装置用于功率器件等，所述半导体装置至少包括n型半导体层、i型半导体层及p型半导体层，其中n型半导体层包括第一半导体以作为主要成分，第一半导体为含有选自铝、铟和镓中的一种或两种以上的金属的氧化物半导体。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201780031354.4在审
发明人：大野克巳;平野兼史;根岸将人;铃木正人;吉野达郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法包含：准备包含第1半导体层和第2半导体层的半导体基板的步骤和从第1半导体层侧对半导体基板照射激光从而将半导体基板切片为半导体芯片的步骤。第1半导体层包含对激光透明的半导体材料。第2半导体层包含对激光不透明的半导体材料。关于激光，照射使第1半导体层的半导体材料变化为对激光不透明的强度的激光。
半导体层激光半导体材料半导体基板半导体装置不透明照射半导体芯片透明的切片制造

[发明专利]暴露半导体衬底的方法和失效分析方法-CN200910056522.2有效
发明人：陈险峰;李明 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-14 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种暴露半导体衬底的方法和失效分析方法，所述暴露半导体衬底的方法包括：提供半导体样品，所述半导体样品从下至上依次包括半导体衬底、氧化层和半导体多晶层；用化学溶液去除所述半导体衬底和半导体多晶层之间的氧化层，所述化学溶液为缓冲氧化蚀刻溶液或氢氟酸；用超声波振荡去除所述半导体多晶层，暴露出所述半导体衬底。所述暴露半导体衬底的方法和失效分析方法解决了现有技术逐层剥除半导体衬底上方的半导体多晶层和氧化层会损伤半导体衬底的问题。
暴露半导体衬底方法失效分析