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[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN201880007864.2有效
发明人：成演准;金珉成 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：实施例中公开了一种半导体器件，包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；有源层，设置在第二导电半导体层和第二导电半导体层之间；第一电极，电连接到第一导电半导体层；以及第二电极，电连接到第二导电半导体层，其中，第一导电半导体层包括第一子半导体层、第三子半导体层，以及第二子半导体层，第二子半导体层设置在第一子半导体层和第三子半导体层之间，其中第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个均大于有源层中的铝的比例，第二子半导体层中的铝的比例小于第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个，其中第二导电半导体层包括电流注入层，其中铝的比例随着与有源层的距离的增加而减小，第一电极设置在第二子半导体层上，第二电极设置在电流注入层上，并且第二子半导体层的铝的比例的平均值与电流注入层的铝的比例的平均值的比率在1：0.12至1：1.6的范围内。
半导体器件包括封装

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310070789.3无效
发明人：奥村秀树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置具备第一～第四半导体层、栅极、场板电极、绝缘膜、第一、第二主电极及绝缘部。第一、第二半导体层为第一导电型。第二半导体层设置在第一半导体层之上、杂质浓度比第一半导体层低。第三半导体层设置在第二半导体层之上、具有第一部分和第二部分、杂质浓度比第二半导体层低。第四半导体层为第一导电型。栅极从第四半导体层朝第二半导体层延伸、下端处于第二半导体层。场板电极设置在栅极下侧、下端处于第二半导体层。绝缘膜设置在栅极与第四半导体层之间。第一主电极与第一半导体层电连接。第二主电极与第三半导体层及第四半导体层电连接。绝缘部使第一部分与第二部分电绝缘。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有部分SOI结构的半导体器件及其制造方法-CN02158828.7无效
发明人：亲松尙人 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-12-25 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：半导体器件包括第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层。第一半导体层设置于半导体衬底的第一区域。第二半导体层通过绝缘膜设置在半导体衬底的第二区域上。第三半导体层通过绝缘膜和第二半导体层设置在半导体衬底的第三区域上。第三半导体层的上表面高度比第二区域内的第二半导体层的上表面高度高。
具有部分 soi 结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有氮化物层的半导体元件-CN201210315883.6有效
发明人：吉冈启;齐藤泰伸;斋藤涉 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：根据一个实施方式，提供一种半导体元件，该半导体元件具有半导体基板、氮化物的第一至第四半导体层、第一至第三电极以及栅电极。上述第一半导体层直接或隔着缓冲层设置在上述半导体基板上。上述第二半导体层从上述第一半导体层离开地设置。上述第三半导体层设置在上述第二半导体层上，具有比上述第二半导体层大的带隙。上述第四半导体层将上述第一半导体层及上述第二半导体层进行绝缘。上述第一电极与上述第一至上述第三半导体层形成欧姆接合。上述第二电极设置在上述第三半导体层上。上述栅电极设置在上述第一电极和上述第二电极之间。上述第三电极与上述第一半导体层形成肖特基结。
具有氮化物半导体元件

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN201780004004.9有效
发明人：白光善;罗钟浩;韩大燮;黄净铉 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：在此公开一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、被布置在衬底上的第一导电型半导体层、被布置在第一导电型半导体层上的有源层以及被布置在有源层上的第二导电型半导体层。第一导电型半导体层包括具有不同的铟(In)组成比的第一层、第二层和第三层。第一半导体层被布置为靠近有源层。第二半导体层被布置在第一半导体层下面。第三半导体层被布置在第二半导体层下面。In含量从有源层到第三半导体层减少，并且第三半导体层的In含量可以是有源层的In含量的5％或以上至10％或以下。
半导体器件包括封装

[发明专利]晶闸管及其制造方法-CN202280006881.0在审
发明人：远藤可菜枝;井上征;柴田行裕 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明的晶闸管具有：第一P型半导体层11；第一N型半导体层12，其配置为与第一P型半导体层接触；第二P型半导体层13，其配置为与所述第一N型半导体层接触；第二N型半导体层14，其配置为与所述第二P型半导体层接触；第三P型半导体层15a，其配置为与所述第二P型半导体层接触，且杂质浓度比所述第二P型半导体层高；栅极电极G；阴极电极K；以及第四P型半导体层15b，其分别与所述第二P型半导体层以及所述第二N型半导体层接触，且杂质浓度比所述第二P型半导体层高，所述第三P型半导体层与所述第四P型半导体层通过所述第二P型半导体层而分离，所述第三P型半导体层与所述第二N型半导体层通过所述第二P型半导体层而分离。
晶闸管及其制造方法

[发明专利]一种异型低电压高亮度LED芯片-CN201711434008.9在审
发明人：黄星群 -专利权人：黄星群
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种异型低电压高亮度LED芯片，包括：蓝宝石衬底层、成核层、第一半导体层、发光层、第二半导体层；其中LED芯片的第一半导体层、发光层、第二半导体层按田字平均分成四个区，分别为一区第一半导体层、发光层、第二半导体层，二区第一半导体层、发光层、第二半导体层，三区第一半导体层、发光层、第二半导体层，四区第一半导体层、发光层、第二半导体层，各区第一半导体层上分别设置有第一电极，LED芯片中间蚀刻有第二半导体层的平台，在LED芯片第二半导体层平台上设置有一个第二电极。
一种异型电压亮度 led 芯片

[发明专利]半导体装置-CN201911288616.2有效
发明人：原田辰雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：半导体装置具有：第2半导体层(24)，其形成于第1半导体层(20)的表层；第3半导体层(23)，其形成于第2半导体层的表层；第1沟槽(13)，其以贯通第2半导体层以及第3半导体层而到达第1半导体层的内部的方式形成；第2沟槽(17)，其以从第1半导体层的上表面贯通第3半导体层而到达第2半导体层的内部的方式形成；以及第4半导体层(25)，其与第2沟槽的底部接触地形成。
半导体装置

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201310570939.7无效
发明人：西森理人;今田忠纮;多木俊裕 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。该化合物半导体器件包括第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层的上侧上的第二化合物半导体层，并且第二化合物半导体层的带隙大于第一化合物半导体层的带隙；形成在第二化合物半导体层的上侧上的p型第三化合物半导体层；形成在第二化合物半导体层的上侧上穿过第三化合物半导体层的电极；形成为在第二化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第四化合物半导体层，并且第四化合物半导体层的带隙小于第二化合物半导体层的带隙；以及形成为在第四化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第五化合物半导体层，并且第五化合物半导体层的带隙大于第四化合物半导体层的带隙。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110912104.X在审
发明人：陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层以及第六氮化物半导体层。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层堆叠于基板上。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层之上且位于源极电极以及漏极电极之间，并具有第一P型掺杂。第五氮化物半导体层设置于第四氮化物半导体层之上，且具有高于第四氮化物半导体层的带隙。第六氮化物半导体层设置于第五氮化物半导体层之上且耦接至漏极电极，具有第二P型掺杂。本发明实施例提供的半导体结构，能有效的降低生产成本以及生产时间。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN202111085314.2在审
发明人：三宅裕树 -专利权人：株式会社电装;未来瞻科技株式会社;丰田自动车株式会社
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种半导体器件，具有第一半导体层(21)和第二半导体层(22)。第一半导体层(21)是由氧化镓基半导体制成的n型层。第二半导体层(22)由氧化镓基半导体制成，与第一半导体层(21)接触，并且是电活性施主浓度高于第一半导体层(21)的电活性施主浓度的n型层。第一半导体层(21)的施主浓度与第二半导体层(22)的施主浓度之间的差小于第一半导体层(21)的电活性施主浓度与第二半导体层(22)的电活性施主浓度之间的差。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装-CN201780039190.X有效
发明人：崔洛俊;金炳祚;吴炫智;洪埩熀 -专利权人：苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：实施例涉及半导体器件、半导体器件封装和用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及布置在第一导电半导体层和有源层之间或者布置在第一导电半导体层内部的中间层，其中第一导电半导体层、中间层、有源层、第二导电半导体层包括铝，并且中间层包括具有比第一导电半导体层的铝组分低的铝组分的第一中间层。
半导体器件包括封装

[发明专利]半导体装置-CN202111009463.0在审
发明人：田中明广;税所哲弘;生野徹;大西孝治 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：半导体部，具有末端、第一区域以及位于第一区域与末端之间的第二区域，半导体部具有第一导电型的第一半导体层、设于第一半导体层上的第二导电型的第二半导体层、设于第二半导体层上的第一导电型的第三半导体层以及设于第二半导体层上且第二导电型杂质浓度高于第二半导体层的第二导电型的第四半导体层；栅极电极，设于半导体部内，具有与第二半导体层对置的侧面；绝缘膜，设于栅极电极的侧面与半导体部之间；以及上部电极，设于半导体部上，与第三半导体层以及第四半导体层相接。第二区域中的第四半导体层的面积相对于第三半导体层的面积的比率比第一区域中的第四半导体层的面积相对于第三半导体层的面积的比率大。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及包括其的半导体器件封装-CN201710780660.X有效
发明人：吴炫智;崔洛俊;金炳祚 -专利权人：苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件及包括其的半导体器件封装，器件包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层，有源层包括多个阻挡层和阱层，第二导电型半导体层包括第2‑2导电型半导体层、和布置在所述第2‑2导电型半导体层上的第2‑1导电型半导体层，阻挡层、阱层、第2‑2导电型半导体层及第2‑1导电型半导体层包括AlGaN，第2‑2导电型半导体层的铝组成高于阱层的铝组成，第2‑1导电型半导体层的铝组成低于阱层的铝组成，第2‑1导电型半导体层的铝组成越远离有源层，以第一斜率越减少，第2‑2导电型半导体层的铝组成越远离有源层，以第二斜率越减少，第一斜率大于第二斜率。
半导体器件包括封装

[发明专利]场效应晶体管-CN200980148577.4无效
发明人：按田义治;石田秀俊;上田哲三 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-11-12 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供低导通电阻的FET，本发明的FET包括：第一氮化物半导体层(103)；第二氮化物半导体层(104)，第二氮化物半导体层(104)被形成在第一氮化物半导体层(103)上，第二氮化物半导体层(104)的带隙能比第一氮化物半导体层(103)大；第三氮化物半导体层(105)，第三氮化物半导体层(105)被形成在第二氮化物半导体层(104)上；以及第四氮化物半导体层(106)，第四氮化物半导体层(106)被形成在第三氮化物半导体层(105)上，第四氮化物半导体层(106)的带隙能比第三氮化物半导体层(105)大，在第一氮化物半导体层(103)和第二氮化物半导体层(104)的异质结界面形成有沟道
场效应晶体管