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[发明专利]复合半导体衬底、半导体装置及其制造方法-CN201811241036.3在审
发明人：蔡敏瑛;吴政达;郑有宏;杜友伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例揭露一种复合半导体衬底、半导体装置及其制造方法，其中所述复合半导体衬底包含半导体衬底、氧掺杂结晶半导体层及绝缘层。所述氧掺杂结晶半导体层在所述半导体衬底上方，且所述氧掺杂结晶半导体层包含结晶半导体材料及多种氧掺杂剂。所述绝缘层在所述氧掺杂结晶半导体层上方。
氧掺杂衬底结晶半导体层复合半导体绝缘层半导体装置半导体结晶半导体材料制造

[发明专利]半导体装置-CN202010607336.X在审
发明人：末代知子;系数裕子;河村圭子;岩鍜治阳子;布施香织 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够有效地降低恢复损耗的半导体装置，其具备半导体部、设于半导体部的背面上的第一电极、以及设于半导体部的表面上第二电极。半导体部包括第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、以及第二导电型的第三半导体层。第一半导体层在第一电极与第二电极之间延伸，第二半导体层设于第一半导体层与第二电极之间。第三半导体层设于第二半导体层与第二电极之间，包含浓度比第二半导体层的第二导电型杂质的浓度高的第二导电型杂质。第二电极从半导体部的表面延伸到第二半导体层中，并包含与第二半导体层相接的埋入接触部、以及与第三半导体层相接的表面接触部。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202211228858.4在审
发明人：月东绫则 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提供在大电流且大电压的恢复动作中能够对半导体层完全耗尽进行抑制，能够对由大电流且大电压的恢复动作中的半导体层的完全耗尽导致的半导体装置的破损进行抑制的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：第1导电型的第1半导体层，其设置于半导体基体中的第2主面侧；第1导电型的第2半导体层，其与第1半导体层相比设置于第1主面侧，第1导电型的杂质浓度比第1半导体层低；以及第2导电型的第3半导体层，其与第2半导体层相比设置于第1主面侧，半导体基体的厚度方向上的第3半导体层的杂质浓度分布具有多个峰值，第3半导体层的厚度W满足某条件式。
半导体装置制造方法

[发明专利]电力用半导体装置-CN201210051614.3有效
发明人：大田浩史;角保人;木村淑;铃木纯二;入船裕行 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的电力用半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层(1)；设置于其上的第1导电型的第2半导体层(3)；设置于第2半导体层中的多个柱状的第2导电型的第3半导体层(4)；设置于第3半导体层的上端部的多个岛状的第2导电型的第4半导体层(5)；多个第1导电型的第5半导体层(6)；多个第2导电型的第6半导体层(8)；栅电极(11)；层间绝缘膜(12)；第1电极(13)以及第2电极(14)。第5半导体层设置于第4半导体层的表面。第6半导体层将相邻的两个第4半导体层相互连接起来。第1电极与第1半导体层连接。第2电极通过层间绝缘膜与栅电极绝缘，且经由栅电极的开口部与第4半导体层以及第5半导体层连接。
电力半导体装置

[实用新型]一种LED芯片-CN201420544408.0有效
发明人：孟长军 -专利权人：创维液晶器件（深圳）有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED芯片，包括电极组和半导体组件，所述半导体组件包括：衬底、第一半导体层、第一多量子阱层、第二半导体层、第二多量子阱层和与第一半导体层具有相同极性的第三半导体层；所述第一半导体层位于衬底和第一多量子阱层之间，所述第一多量子阱层位于第一半导体层和第二半导体层之间，所述第二多量子阱层位于第二半导体层和第三半导体层之间，所述电极组与第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层电连接。本实用新型通过在第二半导体层上依次设置第二多量子阱层和第三半导体层，使LED芯片具有两个P-N结结构，从而提升了LED芯片单位面积的出光量，提升了芯片的总发光亮度。
一种 led 芯片

[实用新型]一种具有多个结的半导体基核电池-CN201921642308.0有效
发明人：韩天宇;张玲玲 -专利权人：无锡华普微电子有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有多个结的半导体基核电池。所述具有多个结的半导体基核电池包括：N型半导体衬底层，在所述N型半导体衬底层的上表面从下至上依次设有第一N型半导体层、半导体本征层、第二N型半导体层和P型半导体层；所述P型半导体层的周围和第二N型半导体层的上表面之间设有钝化保护层，所述P型半导体层上设有阳极金属层，所述阳极金属层、P型半导体层和钝化保护层上设有放射性同位素层；所述阳极金属层和P型半导体层之间欧姆接触；所述N型半导体衬底层的下表面上设有阴极金属层，所述阴极金属层与N型半导体衬底层之间欧姆接触。所述具有多个结的半导体基核电池能够增大了电池的短路电流，提高了核电池的转化效率。
一种具有多个结半导体核电

[发明专利]一种半导体光电探测器及其制备方法-CN202310343083.3在审
发明人：牟震;孟鸿;李炜;高源鸿;闫朝一;龙马;张非 -专利权人：北京高德品创科技有限公司;北京大学深圳研究生院;联想万像（深圳）科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K30/80 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体光电探测器及其制备方法，其中半导体光电探测器包括：栅极结构层；位于所述栅极结构层的一侧表面的有机半导体沟道层；位于部分所述有机半导体沟道层背向所述栅极结构层一侧表面的有机半导体光敏层；位于部分所述有机半导体沟道层背向所述栅极结构层一侧表面的源极层和漏极层，所述源极层和漏极层分别位于所述有机半导体光敏层的两侧；位于所述有机半导体光敏层、源极层和漏极层背离所述有机半导体沟道层一侧的有机半导体滤光层；所述有机半导体滤光层的吸收边波长比所述有机半导体沟道层的吸收边波长短。所述半导体光电探测器的结构简单。
一种半导体光电探测器及其制备方法

[发明专利]包括掩埋层的半导体器件-CN201810155053.9有效
发明人： A.迈泽;R.鲁道夫 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了包括掩埋层的半导体器件。一种半导体器件包括第一导电类型的半导体衬底。第二导电类型的第一半导体层在半导体衬底上。第二导电类型的掩埋半导体层在第一半导体层上。第二导电类型的第二半导体层在掩埋半导体层上。沟槽延伸通过第二半导体层、掩埋半导体层以及第一半导体层的每个进入到半导体衬底中。绝缘结构衬垫沟槽的壁。进一步地，导电填充物在沟槽中，并且在沟槽的底部处电耦合到半导体衬底。
包括掩埋半导体器件

[发明专利]光电子半导体器件-CN201580046913.X有效
发明人：吉多·韦斯 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体器件(1)，所述光电子半导体器件具有半导体本体(2)，所述半导体本体具有半导体层序列、第一半导体层(21)和第二半导体层(22)，所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区(20)，其中‑有源区设置在第一半导体层和第二半导体层之间；‑半导体本体具有多个凹部(25)，所述凹部延伸穿过第二半导体层和有源区；和‑在半导体本体的俯视图中，凹部长形地构成有纵向延伸轴线(250)。
光电子半导体器件

[实用新型]一种堆叠态半导体芯片结构-CN202022035136.X有效
发明人：涂波;郑香奕 -专利权人：深圳市洁简达创新科技有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种堆叠态半导体芯片结构，本实用新型堆叠态半导体芯片结构，包括基板，在基板上依次堆叠设置P型半导体层和N型半导体层，P型半导体层和N型半导体层相间设置，P型半导体层至少为2层，N型半导体层至少为2层。本实用新型通过化学气相沉积法来堆叠形成P型半导体层和N型半导体层，并且采用物理刻蚀和电浆清洗的方式形成导电层，避免使用掩膜、光阻剂、光刻机来制造半导体芯片，降低了半导体芯片工艺复杂性，提高了半导体芯片产品的良率
一种堆叠半导体芯片结构

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201811583471.4在审
发明人：中山知士;绵贯真一;小松大士;桑岛照弘;小仓卓;奥秋广幸;清水繁明 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及半导体装置及其制造方法。为了改善半导体装置的性能，在p型半导体PR之上形成半导体层EP。在半导体层EP之上形成n型半导体层NR1。半导体层PR、半导体层EP和半导体层NR1分别配置光接收器的一部分。在半导体层EP之上形成与半导体层EP的材料不同的材料的盖层，并且在盖层内形成硅化物层，该硅化物层是金属与被包括在盖层中的材料的反应产物。穿过硅化物层在盖层之上形成具有阻挡金属膜BM1的插塞。这里，在半导体层NR1内未形成金属与被包括在半导体层NR1中的材料的反应产物。
半导体层盖层半导体装置硅化物层阻挡金属膜金属光接收器插塞制造穿过配置

[发明专利]半导体装置结构-CN201611024334.8在审
发明人：李东颖;叶致锴;徐振峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供半导体装置结构。半导体装置结构包括第一半导体层及第二半导体层，纵向地堆叠于半导体基底上。第一半导体层及第二半导体层包括不同的材料。半导体装置结构也包括栅极堆叠，覆盖第一半导体层的第一部分。半导体装置结构还包括间隔元件，位于栅极堆叠的侧壁上。间隔元件覆盖第二半导体层以及第一半导体层的第二部分。第二半导体层的厚度不同于第二部分的厚度。
半导体装置结构

[发明专利]半导体结构-CN202011051566.9在审
发明人：周钰杰;林琮翔 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括基板、半导体磊晶层、半导体阻障层、第一半导体元件、绝缘掺杂区、及至少一绝缘柱。基板包括基材和复合材料层，半导体磊晶层设置于基板上，半导体阻障层设置于半导体磊晶层上。第一半导体元件设置于基板上，其中第一半导体元件包括位于半导体阻障层上的第一半导体盖层。绝缘掺杂区位于第一半导体元件的一侧。至少部分的绝缘柱位于绝缘掺杂区内，绝缘柱围绕至少部分第一半导体元件且贯穿复合材料层。
半导体结构

[发明专利]半导体装置-CN202210159970.0在审
发明人：旦野克典 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置。在半导体装置中，多个p型半导体层以与n型氧化镓半导体层相接的方式层叠于n型氧化镓半导体层的一个面侧，第一电极体层以与多个p型半导体层相接，且在多个p型半导体层彼此分离的部分处与n型氧化镓半导体层相接的方式层叠于n型氧化镓半导体层的一个面侧，第二电极体层以与n型氧化镓半导体层相接的方式层叠于n型氧化镓半导体层的另一个面侧，其中，p型半导体层各自与相对于p型半导体层各自而言最接近的p型半导体层之间的最短距离是0.4μm
半导体装置

[发明专利]发光装置-CN201910221951.4有效
发明人：金艺瑟;金京完;禹尚沅;金智惠 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：发光装置包括：基板；半导体叠层，位于基板上，包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层和第二半导体层之间的活性层；通孔，穿过第二半导体层及活性层，以暴露第一半导体层的第二表面；第一焊垫电极，覆盖通孔并接触第一半导体层的上表面；以及绝缘层，包括暴露第一半导体层的第一开口及暴露第二半导体层的第二开口，基板包括暴露在半导体叠层周围的表面及边缘侧，第一半导体层包括第一外壁，第二半导体层包括第二外壁，绝缘层覆盖第一半导体层的第一外壁和第二半导体层的第二外壁，并接触暴露在半导体叠层周围的基板的表面，绝缘层包括与基板的表面接触的部分，绝缘层的部分包括边缘侧。
发光装置

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