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[发明专利]直接型电子探测器-CN202210411536.7在审
发明人：胡立磊;张力;陈昌;任嘉莹;罗浒;张旭 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种直接型电子探测器，包括：半导体叠层结构及外围信号测量电路；半导体叠层结构由下向上包括：半导体基底、U型截面的半导体电阻层、第一半导体层、第二半导体层、绝缘层、金属层、本征层及第三半导体层；第一半导体层形成于电阻层的凹槽中，第二半导体层形成于第一半导体层上，绝缘层形成于第二半导体层外侧，金属层形成于绝缘层外侧；电阻层及第一半导体层为第一掺杂类型，第二半导体层及第三半导体层为第二掺杂类型，第三半导体层及本征层形成电子吸收区，第一半导体层及第二半导体层形成雪崩区；外围信号测量电路包括计数器；半导体叠层结构与外围信号测量电路电连接。
直接电子探测器

[发明专利]半导体器件及包括其的半导体器件封装-CN202210482686.7在审
发明人：吴炫智;崔洛俊;金炳祚 -专利权人：苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件及包括其的半导体器件封装，半导体器件包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；其中，有源层包括多个阻挡层和阱层，阻挡层、阱层、第一导电型半导体层及第二导电型半导体层包括铝，第二导电型半导体层包括铝组成随远离有源层而以一斜率渐小的半导体层。
半导体器件包括封装

[发明专利]半导体装置-CN201110113071.9有效
发明人：斋藤涉;小野升太郎;谷内俊治;渡边美穗;山下浩明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施方式的半导体装置具备：第一导电型的第一半导体层；第一导电型的第二半导体层和第二导电型的第三半导体层，在大致平行于上述第一半导体层主面的方向上交替地设置在上述第一半导体层之上；第二导电型的第四半导体层，设置在上述第二半导体层和上述第三半导体层之上；第一导电型的第五半导体层，选择性地设置在上述第四半导体层的表面上；控制电极，隔着绝缘膜设置在从上述第五半导体层表面贯通上述第四半导体层地与上述第二半导体层相连的槽内；第一主电极，与上述第一半导体层连接；第二主电极，与上述第四半导体层和上述第五半导体层连接；和第一导电型的第六半导体层，设置在上述第四半导体层与第二半导体层之间。上述第六半导体层的杂质浓度高于上述第二半导体层的杂质浓度。
半导体装置

[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法-CN201310378765.4无效
发明人：中村哲一;山田敦史;石黑哲郎;小谷淳二;今西健治 -专利权人：富士通株式会社;富士通半导体股份有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在第二半导体层上的第三半导体层和第四半导体层；形成在第三半导体层上的栅电极；以及形成在第四半导体层上并接触第四半导体层的源电极和漏电极，其中第三半导体层在栅电极正下方的区域上由用于实现p型的半导体材料形成，并且第四半导体层中的硅的浓度高于第二半导体层中的硅的浓度。
半导体器件以及用于制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202210374852.1在审
发明人：余绍铭;李东颖;云惟胜;杨富祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成具有第一组成的第一半导体层，以及在第一半导体层上方形成具有第二组成的第二半导体层。在第二半导体层上方形成具有第一组成的另一第一半导体层。在另一第一半导体层上方形成具有第三组成的第三半导体层。图案化第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层以形成鳍结构。去除第三半导体层的部分，从而形成包括第二半导体层的纳米线，并且形成围绕纳米线导电材料。第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层包括不同的材料。本发明实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201810911580.8有效
发明人：余绍铭;李东颖;云惟胜;杨富祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成具有第一组成的第一半导体层，以及在第一半导体层上方形成具有第二组成的第二半导体层。在第二半导体层上方形成具有第一组成的另一第一半导体层。在另一第一半导体层上方形成具有第三组成的第三半导体层。图案化第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层以形成鳍结构。去除第三半导体层的部分，从而形成包括第二半导体层的纳米线，并且形成围绕纳米线导电材料。第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层包括不同的材料。本发明实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]具有吸收增强半导体层的图像传感器-CN201810721617.0有效
发明人：吴明锜;杜建男;林坤佑;陈世雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了具有吸收增强半导体层的图像传感器。在一些实施例中，图像传感器包括：堆叠的前侧半导体层、吸收增强半导体层和背侧半导体层。吸收增强半导体层堆叠在前侧半导体层和背侧半导体层之间。吸收增强半导体层具有小于前侧半导体层的能带隙。此外，图像传感器包括多个突起和光电探测器。突起由背侧半导体层限定，并且光电探测器由前侧半导体层、吸收增强半导体层和背侧半导体层限定。
具有吸收增强半导体图像传感器

[发明专利]一种半导体光源及其驱动电路-CN202110857072.8在审
发明人：梁栋;张成 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体光源及其驱动电路，半导体光源包括有源层、第一半导体层、第二半导体层、第一电极、第二电极和第三电极；第一半导体层和第二半导体层分别位于有源层的相对两侧；第一电极与第一半导体层欧姆接触；第三电极与第二半导体层欧姆接触；第一电极与第二电极之间设置有第一电介质层；其中，第一半导体层为P型半导体层，第二半导体层为N型半导体层；或者，第一半导体层为N型半导体层，第二半导体层为P型半导体层。该半导体光源集成有电容器，从而可以降低半导体光源与电容器的串联电感，实现较短的光脉宽和较大的光功率，简化驱动电路的设计，提升驱动电路的性能。
一种半导体光源及其驱动电路

[发明专利]半导体存储装置-CN202110790034.5在审
发明人：竹冈绫花;窪田吉孝 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明的半导体存储装置具备半导体衬底。半导体衬底具备存储单元阵列区域、边缘密封区域、及设置在它们之间的连接区域。存储单元阵列区域具备：多个第1导电层，沿第1方向排列；第1半导体层，与多个第1导电层对向；及第2半导体层，连接在第1半导体层。边缘密封区域具备：沿第1方向排列的第3半导体层及第4半导体层、与电连接在第3半导体层、第4半导体层及半导体衬底的第2导电层。连接区域具备与第2半导体层及第3半导体层或第4半导体层连续形成，在第2方向延伸的第5半导体层及第6半导体层。连接区域具备沿第2方向排列的多个连接部。这些多个连接部中，第5半导体层及第6半导体层电连接。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202210208592.0在审
发明人：中村胜光 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供能够对接通电压与通断损耗之间的折衷特性进行控制的半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具有半导体衬底、第1导电型的漂移层、第1导电型的缓冲层、第1半导体层及第2半导体层。第1半导体层及第2半导体层设置于比缓冲层更靠半导体衬底的第2主面侧处。第1半导体层及第2半导体层在从半导体衬底的第2主面朝向第1主面的方向上依次排列地配置。第1半导体层和第2半导体层具有彼此相同的导电型。第2半导体层与第1半导体层相比每单位体积的杂质的原子数多。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210817553.0在审
发明人：河野洋志 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：第1电极；第1导电型的第1半导体层，与所述第1电极连接，含有碳化硅；第2导电型的第2半导体层，设置在所述第1半导体层上；第1导电型的第3半导体层，设置在所述第2半导体层上的一部分；第2电极，与所述第2半导体层及所述第3半导体层连接；第3电极，设置在所述第1半导体层的上部内、所述第2半导体层的内部及所述第3半导体层的内部；绝缘膜，设置在所述第1半导体层、所述第2半导体层以及所述第3半导体层与所述第3电极之间；及第4半导体层，设置在所述绝缘膜与所述第1半导体层以及所述第2半导体层之间，相接于所述绝缘膜，杂质浓度比所述第1半导体层的杂质浓度及所述第2半导体层的杂质浓度低。
半导体装置

[发明专利]半导体器件以及包括该半导体器件的发光器件封装-CN201880015967.3有效
发明人：罗锺浩;权五敏;宋俊午;吴正铎 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一个实施例涉及一种半导体器件和包括该半导体器件的发光器件封装。根据实施例的半导体器件可以包括：第一半导体层；第二半导体层，设置在第一半导体层上并包括V形坑；有源层，设置在第二半导体层上；第三半导体层，位于有源层上，具有比有源层的带隙宽的带隙；第四半导体层，其带隙窄于第三半导体层上的第三半导体层的带隙；第四半导体层，位于第三半导体层上，其带隙比第三半导体层的带隙窄；其中，第三半导体层和第五半导体层包括铝组分，第五半导体层的带隙等于或宽于第三半导体层的带隙。根据该实施例的半导体器件不仅可以通过2DHG效应提高空穴注入效率，而且可以增加通过V形坑注入的载流子的注入，从而提高发光效率。
半导体器件以及包括发光器件封装

[发明专利]半导体装置-CN201710145590.0在审
发明人：陈弘斌;郑志成;萧茹雄;陈力毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含突出于半导体基板的半导体鳍片。半导体鳍片包含在半导体基板上的多对半导体层。每一对半导体层包含第一导电型的第一半导体层与第二导电型的第二半导体层。第二半导体层堆叠于第一半导体层上且接触第一半导体层。
半导体装置

[发明专利]半导体DBR、半导体发光器件及制造半导体DBR 的方法-CN201410274243.4在审
发明人：川岛毅士 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种半导体DBR、半导体发光器件及制造半导体DBR的方法。该半导体DBR包括第一多层结构、第二多层结构以及保护层。第一多层结构包括：多个第一半导体层，一个或更多个第二半导体层，每个第二半导体层都插入在多个第一半导体层中的对应一对第一半导体层之间；第二多层结构包括：多个第三半导体层，一个或更多个第二半导体层，每个第二半导体层都插入在多个第三半导体层中的对应一对第三半导体层之间；保护层插入在第一多层结构与第二多层结构之间。第二半导体层具有比第一半导体层低的分解温度。第三半导体层具有比第二半导体层低的分解温度。
半导体 dbr 发光器件制造方法

[实用新型]一种贴片式高稳定性的稳压二极管-CN202222263394.2有效
发明人：黄赛琴;黄福仁;陈轮兴 -专利权人：福建安特微电子有限公司
申请日： 2022-08-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种贴片式高稳定性的稳压二极管，包括半导体基板，所述半导体基板上设有n型半导体层、p型半导体层、接触孔、阳极电极，所述p型半导体层从n型半导体层的表面突出并在n型半导体层的表面与n型半导体层接触，所述接触孔设置在p型半导体层的表面上并穿透p型半导体层到达n型半导体层；所述阳极电极在接触孔的底面与p型半导体层欧姆接触并且与n型半导体层肖特基接触；所述半导体基板上表面设有从上表面向上突出的凸形半导体层，所述p型半导体层设置在凸形半导体层上。
一种贴片式高稳定性稳压二极管