|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 2732727个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201780059506.1有效
-
铃木正彦;今井元;北川英树;菊池哲郎;西宫节治;上田辉幸;原健吾;大东彻;伊藤俊克
-
夏普株式会社
-
2017-09-21
-
2022-02-25
-
H01L29/786
- 半导体装置具备包含半导体层(7)、栅极电极(3)、栅极绝缘层(5)、源极电极(8)以及漏极电极(9)的薄膜晶体管(101)，半导体层(7)具有层叠结构，该层叠结构包含：第1氧化物半导体层(71)，其包含In和Zn，第1氧化物半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比大于第1氧化物半导体层所包含的Zn相对于全部金属元素的原子数比；第2氧化物半导体层(72)，其包含In和Zn，第2氧化物半导体层所包含的Zn相对于全部金属元素的原子数比大于第2氧化物半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比；以及中间氧化物半导体层(70)，其配置在第1氧化物半导体层与第2氧化物半导体层之间，第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层是结晶质氧化物半导体层，中间氧化物半导体层是非晶质氧化物半导体层，第1氧化物半导体层(71)配置在比第2氧化物半导体层(72)靠栅极绝缘层(5)侧。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]固体成像器件-CN201110064703.7有效
-
舛冈富士雄;原田望
-
日本优尼山帝斯电子株式会社
-
2011-03-14
-
2011-09-21
-
H01L27/146
- 固体成像器件的各像素(10)具备：第1半导体层(1)；第2导电型的第2半导体层(2)；在第2半导体层(2)的上部侧面区域形成为不与第2半导体层(2)的上表面相接的第3半导体层(5a、5b)及第4半导体层(6a、6b)；形成于第2半导体层(2)的下部侧面区域的栅极导体层(4a、4b)；间隔绝缘膜(3a、3b)而形成于第4半导体(6a、6b)层的侧面的导体电极(7a、7b)；及形成于第2半导体层(2)的上表面的第5半导体层(8)；至少第3半导体层(5a、5b)、第2半导体层(2)的上部区域、第4半导体层(6a、6b)、第5半导体层(8)形成于岛状形状内。此外，将既定电压施加于导体电极(7a、7b)以使空穴蓄积于第4半导体层(6a、6b)的表面。
- 固体成像器件
- [发明专利]半导体装置-CN201510761415.5有效
-
鸟居克行
-
三垦电气株式会社
-
2015-11-10
-
2020-08-07
-
H01L29/739
- 一种半导体装置。其为了解决如下问题：容性FP的电位分割效果较强，耗尽层容易到达n‑区域的端。特征在于，边缘区具有：半导体基体；作为与第1导电型相反的导电型的第2导电型的半导体区域，其以pn结合的方式配置在半导体基体内；以及导体层，在半导体区域上方和半导体区域外侧的区域上方并列配置有多个所述导体层，所述导体层与半导体区域以及半导体区域外侧的区域绝缘，半导体区域外侧的区域上方的所述导体层与半导体区域外侧的区域上表面之间的距离大于半导体区域上方的所述导体层与导体区域上表面之间的距离。半导体基体上方的导体层与半导体基体上表面之间的距离大于半导体区域上方的导体层与半导体区域上表面之间的距离。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件及半导体模块-CN201210504640.7无效
-
北川光彦
-
株式会社东芝
-
2012-11-30
-
2013-10-23
-
H01L23/58
- 本发明提供半导体器件及半导体模块。半导体器件具备包括第1及第2主面的半导体基板，半导体基板具备在半导体基板内形成的第1导电型的第1半导体层、在第1半导体层的第1主面侧的表面形成的第2导电型的第2半导体层、在第2半导体层的表面形成的第1导电型的第3半导体层、及在第1半导体层的第2主面侧的表面形成的第2导电型的第4半导体层。器件还具备：控制电极，形成于半导体基板的第1主面侧；及第1主电极，形成于半导体基板的第1主面侧。器件还具备：第2主电极，形成于半导体基板的第2主面侧；及接合终端部，形成于半导体基板的第2主面侧，具有将第4半导体层包围的环状的平面形状。
- 半导体器件半导体模块
- [发明专利]半导体装置-CN202011503220.8在审
-
陈则
-
三菱电机株式会社
-
2020-12-18
-
2021-06-25
-
H01L29/423
- 本发明提供一种半导体装置，其即使在具有沟槽栅极和哑沟槽栅极的结构中也不会成为异常的电容‑电压特性。该半导体装置具有：半导体基板，其至少具有从下方起依次设置的第1导电型的第1半导体层以及第2半导体层、第2导电型的第3半导体层、以及在第3半导体层的上层部选择性地设置的第1导电型的第4半导体层；沟槽栅极，其在厚度方向上贯通第4半导体层以及第3半导体层而到达第2半导体层内；第1哑沟槽栅极，其在厚度方向上贯通第3半导体层以及第2半导体层而到达第1半导体层内；以及第2哑沟槽栅极，其在厚度方向上贯通第3半导体层而到达第2半导体层内，第1哑沟槽栅极以及第2哑沟槽栅极配置于沟槽栅极的队列之中，与第1主电极电连接。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610391363.1有效
-
中柴康隆;绵贯真一
-
瑞萨电子株式会社
-
2016-06-03
-
2021-04-30
-
G02F1/225
- 本发明涉及使半导体器件的性能提高的半导体器件及其制造方法。具有光波导路和p型半导体部的半导体器件以如以方式构成。光波导路具有：形成在绝缘层上的第1半导体层、形成在第1半导体层上的绝缘层以及形成在绝缘层上的第2半导体层。此外，p型半导体部具有第1半导体层。而且，p型半导体部的膜厚比光波导路的膜厚小。这样，在第1半导体层和第2半导体层之间形成有绝缘层，因此，使得光波导路的膜厚和p型半导体部的膜厚的控制变得容易。特别是，在p型半导体部的形成工序中，在利用蚀刻除去不需要的第2半导体层之际，使下层的绝缘层作为蚀刻阻挡层发挥作用，从而能够容易地调整p型半导体部的膜厚。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]一种半导体发光元件-CN202080005592.X有效
-
林坤德;丘建生
-
天津三安光电有限公司
-
2020-07-03
-
2023-02-03
-
H01L33/12
- 本发明提供一种半导体发光元件，包含半导体外延叠层，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层；第一电极和第二电极，位于半导体外延叠层的第一表面之上，分别与第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层进行电连接；绝缘层：位于第一电极和半导体外延叠层之间及第二电极和半导体外延叠层之间；其特征在于：还包括防顶针缓冲层，其位于绝缘层和第二导电类型半导体层之间本发明通过防顶针缓冲层的设计，可避免封装过程中顶针顶伤半导体发光元件，有效地保护半导体发光元件，提升半导体发光元件的产品良率。
- 一种半导体发光元件
- [发明专利]太阳能电池-CN200710201496.9无效
-
陈杰良
-
鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
-
2007-08-28
-
2009-03-04
-
H01L31/06
- 一种太阳能电池，其包括：一背电极层；一P型半导体层；一N型半导体层；一前电极层，所述背电极层及前电极层分别与所述P型半导体层及N型半导体层接触，所述P型半导体层与所述N型半导体层相连，所述P型半导体层材质为P型纳米半导体化合物，所述N型半导体层材质为N型纳米半导体化合物。由于材质为纳米半导体化合物，所述P型半导体层及N型半导体层表面粗糙度较低，从而有助于产生的电子、空穴的迁移，提高光电转换效率。所述P型半导体层及N型半导体层在生长时，也容易形成与下层相一致的晶格取向，从而生长质量较好，有助于生长时减少位错等晶格缺陷，如此电子、空穴在迁移时受到的阻力较小，有助于提高光电转换效率。
- 太阳能电池
|
