“菅野裕士”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果19个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910709932.6有效
发明人：石田贵士;杉本尚丈;菅野裕士;冈本达也 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够减小半导体层内的晶粒的粒径的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备：第1半导体层，作为具有导电性的多晶半导体层；第2半导体层，设置在所述第1半导体层上，作为具有导电性且粒径比所述第1半导体层小的多晶半导体层；及多个电极层，在第1方向相互隔开而积层于所述第2半导体层上。所述装置还具备：第3半导体层，在所述第1半导体层、所述第2半导体层、及各所述电极层内，以在所述第1方向延伸的方式设置，且以与所述第2半导体层相接的方式设置；及电荷储存层，设置于所述多个电极层与所述第3半导体层之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201910681128.1有效
发明人：小宫谦;石田贵士;菅野裕士 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够实现高集成化及高速化的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备：衬底；多个栅极电极，在与衬底的表面交叉的第1方向上排列；第1半导体层，在第1方向上延伸，且与多个栅极电极对向；栅极绝缘膜，设置于栅极电极与第1半导体层之间；第2半导体层，设置于比多个栅极电极更靠衬底侧，且连接于第1半导体层的与第1方向交叉的第2方向的侧面；及第1接触件，在第1方向上延伸，且连接于第2半导体层。第2半导体层具备：第1区域，连接于第1半导体层的第2方向的侧面，且包含P型杂质；及第1接触区域，连接于第1接触件，且N型杂质的浓度比第1区域大。
半导体存储装置

[发明专利]轮胎-CN202180065751.X在审
发明人：宇田糸织;菅野裕士 -专利权人：株式会社普利司通
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B60C11/03 文献下载
摘要：轮胎包括：胎面部，其与路面接触；槽，其设于胎面部；以及多个突起，其设于槽的槽侧壁，多个突起至少设于槽侧壁的槽深的40％～60％的区域中的任意位置，在用槽的宽度方向截面观察时，突起的顶部位于比突起的基部的宽度方向中央部靠胎面部的接地面侧的位置。
轮胎

[发明专利]半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法-CN202080103412.1在审
发明人：高山华梨;菅野裕士;武木田秀人 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：提供可进行容易的擦除动作的半导体存储装置。半导体存储装置具备：层叠体，具有多个导电层与多个绝缘层，多个导电层包含连接于第一选择晶体管的栅极的第一选择栅极线、设于第一选择栅极线的上方并且连接于存储器晶体管的栅极的字线、及设于字线的上方并且连接于第二选择晶体管的栅极的第二选择栅极线；芯绝缘层，具有相对于半导体基板的表面比第二选择栅极线的上表面低的上表面；半导体层，包含具有存储器晶体管和第一以及第二选择晶体管各自的沟道形成区域的第一半导体部、及设于芯绝缘层的上表面的第二半导体部；以及在第一方向上设于半导体层与层叠体之间的存储器层。第一半导体部具有含有杂质元素并且与第二选择栅极线重叠的杂质半导体区域。
半导体存储装置以及制造方法

[发明专利]防老剂供给用组合物、防老剂供给材料和防老剂供给方法-CN202080042233.1在审
发明人：福岛敦;菅野裕士;田原圣一;三浦贵裕;浦田智裕 -专利权人：株式会社普利司通
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种能够向橡胶制品补充防老剂而所述补充不需要长时间的防老剂供给用组合物。为了实现上述目的，本发明为包括基材和5质量％以上的防老剂的防老剂供给用组合物，且其特征在于所述基材的溶解度参数(SP值)小于7.8(cal/cm3)1/2。
防老剂供给组合材料方法

[发明专利]半导体存储装置及其控制方法-CN202110093272.0在审
发明人：石田贵士;菅野裕士 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够提高对存储单元晶体管的擦除动作的可靠性的半导体存储装置及其控制方法。根据一实施方式，半导体存储装置具备与多个存储单元晶体管电连接的第一布线。所述装置还具备对所述第一布线施加第一电压而擦除存储于所述存储单元晶体管的数据的擦除部。而且，所述擦除部以所述第一电压上升到第一值、从所述第一值下降到第二值、维持在所述第二值的方式施加所述第一电压。
半导体存储装置及其控制方法

[发明专利]半导体存储装置-CN202010765316.5在审
发明人： 菅野裕士 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够实现擦除动作的速度提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：层叠体，具有多个导电层和多个绝缘层，导电层和绝缘层沿第一方向交替层叠；以及柱状体，在所述层叠体内沿所述第一方向延伸，包含半导体主体和设置于所述多个导电层中的至少一个与所述半导体主体之间的电荷蓄积膜，所述多个导电层中的第一导电层与所述半导体主体连接，所述半导体主体，以沿所述第一方向距与所述第一导电层的连接部位近的顺序、具有n型杂质的浓度比p型杂质的浓度高的第一区域和p型杂质的浓度比n型杂质的浓度高的第二区域。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201910137765.2在审
发明人： 菅野裕士;图师知文 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明的实施方式的半导体存储装置具备基体部、积层体、第2导电层、柱状体。所述柱状体具备半导体主体与电荷累积膜。所述半导体主体具有第1区域与第2区域。所述第1区域从所述半导体主体与所述第1半导体部的连接部到达所述第2导电层内。所述第1区域含有第1材料。所述第2区域位于比所述第1区域距所述积层体近的位置，且至少一部分存在于所述第2导电层内。所述第2区域不含所述第1材料，或者其所述第1材料的浓度比所述第1区域小。所述第2导电层内的所述半导体主体的第1外周长大于所述积层体的与所述第2导电层相接的第1面的所述半导体主体的第2外周长。
半导体存储装置

[发明专利]非易失性存储装置-CN201310741526.0有效
发明人： 菅野裕士;峰村洋一;冢本隆之;大川隆圣;吉田敦;田端英之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：实施例的非易失性存储装置具备第1布线，在第1方向延伸；第2布线，在与上述第1方向正交的第2方向延伸，与上述第1布线电连接；多个第3布线，在与上述第1方向交叉且与上述第2方向正交的第3方向分别延伸。上述多个第3布线在上述第2布线的两侧中，沿着上述第2方向并排设置。上述装置还具备第1存储层，设置在上述多个第3布线中隔着上述第2布线相向的2个第3布线的一方和上述第2布线之间；第2存储层，设置在上述2个第3布线的另一方和上述第2布线之间。上述第2布线在与上述第1存储层连接的第1部分和与上述第2存储层连接的第2部分之间具有块部。
非易失性存储装置

[发明专利]铜-锌合金电镀浴和使用其的镀法-CN200980117220.X无效
发明人： 菅野裕士 -专利权人：株式会社普利司通
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C25D3/58 文献下载
摘要：提供铜-锌合金电镀浴和使用其的镀法，该铜-锌合金电镀浴不使用氰化物，能够在宽的电流密度范围内形成具有目标组成的均匀的有光泽的镀层。该铜-锌合金电镀浴包含铜盐、锌盐、焦磷酸碱金属盐或酒石酸碱金属盐、硝酸离子。另外，所述硝酸离子浓度优选为0.001～0.050mol/L。另外，所述铜-锌合金电镀浴的pH优选为8～14的范围。进而，优选除了含有铜盐、锌盐、焦磷酸碱金属盐、硝酸离子之外，还含有选自氨基酸或其盐中的至少一种，作为所述氨基酸可以优选使用组氨酸。
锌合金电镀使用

[发明专利]离子性化合物-CN200680050700.5无效
发明人：大月正珠;菅野裕士 -专利权人：株式会社普利司通
申请日： 2006-10-12 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： C07F9/6593 文献下载
摘要：本发明涉及燃烧的危险性低的新型离子性化合物，更详细地说，涉及下述通式(I)所示的离子性化合物。(NPR¹₂)_n…(I)[式中，R¹各自独立地为卤族元素或一价取代基，至少1个R¹为下述通式(II)所示的离子性取代基；n表示3～15。－N⁺R²₃X^－…(II)(式中，R²各自独立地为一价取代基或氢，但至少1个R²不是氢，另外，R²可以相互结合形成环；X^－表示一价阴离子)]。
离子化合物

[发明专利]电波用非水电解液和包含其的非水电解液电池以及双电层电容器用电解液和包含其的双电层电容器-CN200680051789.7有效
发明人：大月正珠;菅野裕士 -专利权人：株式会社普利司通
申请日： 2006-12-01 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01M10/40 文献下载
摘要：本发明公开无着火－燃烧危险性的安全的电解液。更具体地公开电池用非水电解液，其特征在于包含由阳离子部分和阴离子部分组成的离子液体和支持盐。所述电池用非水电解液的特征还在于离子液体的阳离子部分含有磷和氮。还具体公开双电层电容器用电解液，其特征在于包含由阳离子部分和阴离子部分组成的离子液体，所述离子液体的阳离子部分含有磷和氮。
电波水电包含电池以及双电层电容器用电解液电容器

[发明专利]非水电解质和包括该非水电解质的非水电解质电池-CN200580039032.1无效
发明人：堀川泰郎;大月正珠;江口真一;菅野裕士 -专利权人：株式会社普利司通
申请日： 2005-10-04 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01M6/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种即使在具有较高氧浓度的条件下也显示不燃性的非水电解质溶液，更特别地涉及非水电解质溶液，其特征在于包括含有由下列通式(I)表示的环状磷腈化合物和由下列通式(II)表示的氟磷酸酯化合物的非水溶剂和载体盐：(NPR¹₂)_n…(I)[其中，R¹独立地为卤族元素或单价取代基；n为3－4]：[其中，R²独立为卤族元素、烷氧基或芳氧基，两个R²中的至少一个为烷氧基或芳氧基]。
水电包括电池

[发明专利]非水性电解质电池用隔片-CN200380107738.8无效
发明人： 菅野裕士;大月正珠;江口真一 -专利权人：株式会社普利司通
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： H01M2/16 文献下载
摘要：本发明涉及用于非水性电解质电池的不燃性隔片，其中即使电池内部的温度较高隔片自身不燃烧，和更特别地涉及由微孔膜组成的非水性电解质电池用隔片，通过向聚合物中加入磷腈衍生物和/或磷腈衍生物异构体形成该微孔膜。
水性电解质电池用隔片

[发明专利]阻燃电解质电解电容器-CN200380104891.5无效
发明人： 菅野裕士;大月正珠 -专利权人：株式会社普利司通
申请日： 2003-11-26 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： H01G9/035 文献下载
摘要：本发明涉及含有阻燃电解质和即使电解质泄露到外部时具有高安全性的电解电容器，和更特别地涉及包括如下部分的电解电容器：具有通过阳极氧化形成的绝缘氧化物层的正电极，负电极，隔片和包含有机溶剂中的溶质的电解质，其特征在于电解质包含不小于3质量％磷腈衍生物和/或磷腈衍生物的异构体。
阻燃电解质电解电容器

1
2
下一页»
尾页
共 19 条