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- [发明专利]半导体装置-CN202211446144.0在审
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南川和生;吉川大辉;安原纪夫;中村和敏
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2022-11-18
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2023-09-26
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H01L29/41
- 实施方式提供半导体装置，能够降低接通时的损耗。实施方式的半导体装置具备第一电极、半导体部、第二电极、构造体和绝缘部。半导体部包含设于第一电极之上的p型的第一半导体区域、设于第一半导体区域之上的n型的第二半导体区域、设于第二半导体区域之上的p型的第三半导体区域和设于第三半导体区域之上的n型的第四半导体区域及p型的第五半导体区域。构造体包含栅极部和虚设部，栅极部包含至少一个栅极电极，虚设部包含至少两个虚设电极。栅极部和虚设部交替地配置。对于第二电极，施加第一电位。对于栅极电极，施加比第一电位高的第二电位。对于设于与栅极部相邻的位置的虚设电极，施加比第一电位高的第三电位。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201710659295.7有效
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玉城朋宏;中村和敏;下条亮平
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株式会社东芝
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2017-08-04
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2022-01-18
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H01L29/06
- 有关实施方式的半导体装置具有第1电极、多个第1区域、多个第2区域、第1导电型的第8半导体区域、第2导电型的第9半导体区域、第1导电型的第10半导体区域、多个第2电极及第3电极。第1区域具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域及栅极电极。第2区域具有第2导电型的第5半导体区域、第2导电型的第6半导体区域及第1导电型的第7半导体区域。第1区域和第2区域交替地设置。第8半导体区域与多个第1半导体区域电连接。第3电极具有隔着第1绝缘层设在第10半导体区域之上的布线部。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201810181594.9有效
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下条亮平;中村和敏;安原纪夫;玉城朋宏
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2018-03-06
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2021-08-17
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H01L29/739
- 实施方式的半导体装置具备：第1二极管部，具有设于半导体层之中的第1阳极区域、第1阴极区域、漂移区域、沿第1方向延伸的第1沟槽、以及第1沟槽电极；第2二极管部，具有第2阳极区域、第2阴极区域、漂移区域、沿第1方向延伸的第2沟槽、以及第2沟槽电极，上述第2二极管部在第1方向上的宽度比第1二极管部在与第1方向正交的第2方向上的宽度大，上述第2二极管部在第1方向上与第1二极管部相邻地设置；以及第1IGBT部，具有第1发射极区域、第1集电极区域、漂移区域、第1基极区域、沿第1方向延伸的第3沟槽、以及第1栅极电极，该第1IGBT部在第2方向上与第1二极管部相邻地设置，并在第1方向上与第2二极管部相邻地设置。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201310733934.1有效
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小仓常雄;中村和敏
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株式会社东芝
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2013-12-26
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2017-11-24
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H01L29/739
- 一种半导体装置，使关断时的开关损失降低。该半导体装置包括第1导电型的第1半导体区域、设在第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域、设在第2半导体区域之上的第1导电型的第3半导体区域、控制电极、绝缘膜、第1电极、第2电极及第2导电型的第4半导体区域。控制电极控制第1半导体区域与第3半导体区域之间的导通。绝缘膜设在控制电极与第2半导体区域之间。第1电极与第2半导体区域及第3半导体区域电连接。第4半导体区域设在第2电极与第1半导体区域之间，具有有第1杂质浓度、作为与第2电极的接触面积而有第1接触面积的第1部分；和有比第1杂质浓度高的第2杂质浓度、有比第1接触面积小的第2接触面积的第2部分。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201410061644.1有效
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三须伸一郎;中村和敏
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株式会社东芝
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2014-02-24
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2017-09-29
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H01L29/739
- 一种半导体装置，具备第1导电型的第1基底层。第2导电型的第2基底层设在第1基底层上。第1导电型的第1半导体层设在第2基底层的与上述第1基底层相反的一侧。第2导电型的第2半导体层设在第1基底层的与第2基底层相反的一侧。多个第1电极隔着第1绝缘膜设在第1半导体层及第2基底层中。第2电极在相邻的第1电极之间、隔着第2绝缘膜设在第1半导体层及第2半导体层中。第2电极侧的第1基底层的电阻比栅极电极侧的第1基底层的电阻低。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201410061291.5有效
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原琢磨;中村和敏;小仓常雄
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株式会社东芝
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2014-02-24
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2017-09-15
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H01L29/739
- 一种半导体装置，具备具有第1面和对置于上述第1面的第2面的第1导电型的第1半导体层、和形成在上述第1半导体层的上述第1面上的第2导电型的第2半导体层。进而，上述装置具备形成于上述第1及第2半导体层上且在与上述第1面平行的第1方向上延伸的多个控制电极、和在上述第2半导体层的与上述第1半导体层相反的一侧沿着上述第1方向交替地形成的多个上述第1导电型的第3半导体层及多个上述第2导电型的第4半导体层。进而，上述装置具备在上述第2半导体层的上述第1半导体层侧、或被上述第2半导体层包围的位置上形成的多个上述第1导电型的第5半导体层；上述第5半导体层沿着上述第1方向相互离开而配置。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201310397395.9有效
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小仓常雄;末代知子;押野雄一;三须伸一郎;池田佳子;中村和敏
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株式会社东芝
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2013-09-04
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2017-05-24
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H01L29/868
- 一种半导体装置，具备第一电极；第一导电型的第一半导体层；比第一半导体层的杂质浓度低的第一导电型的第二半导体层；设置在第二半导体层的一部分上的第二导电型的第一半导体区域；与第一半导体区域相接的第二导电型的第二半导体区域；设置在第一半导体区域的至少一部分上的第二导电型的第三半导体区域；以及设置在第一半导体区域、第二半导体区域及第三半导体区域之上的第二电极。第三半导体区域的与第二电极的接触面上的杂质浓度比第一半导体区域的杂质浓度及第二半导体区域的与第二电极的接触面上的杂质浓度高。由第一半导体区域和第一半导体层夹着的第二半导体层的厚度比由第二半导体区域和第一半导体层夹着的第二半导体层的厚度薄。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410448492.0在审
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末代知子;小仓常雄;中村和敏;下条亮平
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株式会社东芝
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2014-09-04
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2015-09-16
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H01L29/739
- 本发明提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括：第一电极；第二电极，其包含向第一电极侧延伸的部分；第一导电型的第一半导体层，其设置在第一电极与第二电极之间；第二导电型的第一半导体区域，其设置在第一半导体层与第二电极之间；第一导电型的第二半导体区域，其设置在第一半导体区域与第二电极之间，与所述部分接触；第三电极，其位于第一电极与所述部分之间，隔着第一绝缘膜设置在第一半导体层、第一半导体区域以及第二半导体区域，且连接在所述部分；第四电极，其隔着第二绝缘膜设置在第一半导体层、第一半导体区域以及第二半导体区域；以及第二导电型的第三半导体区域，其设置在第一半导体区域与第二半导体区域之间。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]半导体装置-CN201410017484.0在审
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下条亮平;中村和敏;小仓常雄;末代知子
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株式会社东芝
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2014-01-14
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2015-04-15
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H01L29/739
- 本发明提供能够实现开关动作高速化的半导体装置，包括第一～第五半导体区域、多个控制电极、多个导电部、第一、第二绝缘膜、第一、第二电极。多个控制电极在第一半导体区域相互分离地设置。多个导电部设置在第一控制电极和第二控制电极之间。第二半导体区域设置在第一半导体区域。第三半导体区域设置在第二半导体区域。第四半导体区域设置在第一及第二半导体区域之间。第五半导体区域设置在第一半导体区域的与第二半导体区域相反的一侧。第一绝缘膜设置在各个控制电极与第一～第四半导体区域之间。第二绝缘膜设置在各个导电部与第一、第二及第四半导体区域之间。第一电极与第二、第三半导体区域及多个导电部导通。第二电极与第五半导体区域导通。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201310722059.7在审
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小仓常雄;中村和敏
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株式会社东芝
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2013-12-24
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2015-01-21
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H01L29/41
- 实施方式的半导体装置具备：第一导电型的第一半导体区域，设在第一电极的一部分之上，与第一电极欧姆接触；第一导电型的第二半导体区域，设在第一电极的上述一部分以外的部分上，与第一半导体区域及第一电极接触，其杂质浓度比第一半导体区域的杂质浓度低；第二导电型的第一半导体层，设在第一半导体区域上以及第二半导体区域上；第二导电型的第二半导体层，设在第一半导体层上；第一导电型的第三半导体区域，设在第二半导体层上；第二导电型的第四半导体区域，设在第三半导体区域的一部分之上；第二电极，经由绝缘膜与第二半导体层、第三半导体区域以及第四半导体区域相接；以及第三电极，设在第三半导体区域之上以及第四半导体区域之上。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201310375874.0有效
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末代知子;小仓常雄;中村和敏;押野雄一;二宫英彰;池田佳子
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株式会社东芝
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2013-08-26
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2014-03-26
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H01L27/06
- IGBT区域设在第1电极上，作为IGBT发挥功能。二极管区域设在第1电极上，作为二极管发挥功能。边界区域设在IGBT区域与二极管区域之间，邻接于IGBT区域和二极管区域。第1导电型的集电区层设于IGBT区域及边界区域，在IGBT区域作为IGBT的集电区发挥功能。第2导电型的阴极层与集电区层分开设置在二极管区域，作为二极管的阴极发挥功能。第2导电型的漂移层在IGBT区域、边界区域以及二极管区域中设在集电区层及阴极层的与第1电极相反的一侧。第1导电型的扩散层在边界区域设在漂移层的与第1电极相反的一侧。
- 半导体装置
- [发明专利]功率半导体元件-CN201310367702.9无效
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中村和敏;松田正;二宫英彰
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株式会社东芝
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2013-08-21
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2014-03-26
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H01L29/739
- 一种功率半导体元件，具备第1电极、第1半导体层、第2半导体层、第3半导体层、第4半导体层、第2电极、第1控制电极和第1绝缘膜。第1半导体层设在第1电极之上，是第1导电型。第2半导体层设在第1半导体层之上，是第2导电型。第3半导体层在第1半导体层之上、与第2半导体层离开地设置，是第2导电型。第4半导体层设在第3半导体层之上，是第1导电型。第2电极设在第4半导体层之上，与第4半导体层电连接。第1控制电极在第2半导体层与第3半导体层之间、靠近第3半导体层侧设置。第1绝缘膜设在第1半导体层与第1控制电极之间、第2半导体层与第1控制电极之间、以及第3半导体层与第1控制电极之间。
- 功率半导体元件
- [发明专利]半导体装置-CN201310386727.3无效
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小仓常雄;末代知子;押野雄一;池田佳子;中村和敏;下条亮平
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株式会社东芝
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2013-08-30
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2014-03-26
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H01L29/06
- 实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体层，设置于所述第1电极与所述第2电极之间，与所述第1电极进行欧姆接触；第1导电型的第2半导体层，包括设置于所述第1半导体层与所述第2电极之间的部分和设置于所述第1电极与所述第2电极之间并与所述第1电极进行肖特基接触的部分，所述第2半导体层的有效杂质浓度比所述第1半导体层的有效杂质浓度低；第1导电型的第3半导体层，设置于所述第2半导体层与所述第2电极之间，所述第3半导体层的有效杂质浓度比所述第2半导体层的有效杂质浓度低；以及第2导电型的第4半导体层，设置于所述第3半导体层与所述第2电极之间，与所述第2电极接触。
- 半导体装置
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