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[发明专利]半导体装置-CN201510086468.1在审
发明人：奥村秀树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供高耐压、低导通电阻的半导体装置。半导体装置具备：第一导电型的第一半导体层；第一电极，在第一半导体层上；第二电极及第三电极，沿着从第一电极朝向第一半导体层的第一方向延伸，具有位于第一半导体层中的第一端和与第一电极相接的第二端；第二导电型的第二半导体层，在第二电极与第三电极之间设置在第一半导体层上；第二导电型的第三半导体层，在第一半导体层与第二电极之间以及第一半导体层与第三电极之间；第一绝缘膜，在第二电极及第三电极与第三半导体层之间；第一导电型的第四半导体层，在第二半导体层上，与第一电极电连接；第四电极，穿过第四半导体层在第一半导体层中延伸，与第四、第二半导体层及第一半导体层之间隔有第二绝缘膜。
半导体装置

[发明专利]半导体激光器及其制造方法-CN201110034657.6有效
发明人：洪梓健;徐智鹏;沈佳辉 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2011-02-10 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光器，其包括N型半导体层、P型半导体层以及设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间的活性层。该N型半导体层具有一个远离该活性层的第一表面。该P型半导体层具有一个远离该活性层的第二表面。该半导体激光器包括位于该第一表面与该第二表面之间的两个相对的侧面。该N型半导体层与该P型半导体层均为六方晶系半导体层。该半导体激光器的两个侧面上形成有两个四方晶系半导体层。每一四方晶系半导体层具有远离与之对应的侧面的一个外表面，该两个四方晶系半导体层的两个外表面相互平行，以构成该半导体激光器的谐振腔的两端面。本发明还涉及一种半导体发激光器的制作方法。
半导体激光器及其制造方法

[发明专利]一种可提高PN结反向击穿电压的装置-CN201110448439.7有效
发明人：秦明;张睿 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可提高PN结反向击穿电压的装置包括第一高阻半导体层、低阻半导体层、第二低阻半导体层和第一绝缘抗反射涂层及第二绝缘抗反射涂层；第二低阻半导体层位于第一绝缘抗反射涂层的内侧面，低阻半导体层位于第二低阻半导体层的另一侧面正下方；第二低阻半导体层与低阻半导体层形成主PN结，第二低阻半导体层与第一高阻半导体层形成辅PN结；第一高阻半导体层的掺杂浓度小于低阻半导体层的掺杂浓度；第二低阻半导体层与低阻半导体层的接触面积小于第一绝缘抗反射涂层与第二低阻半导体层的接触面积；第二低阻半导体层的深度小于低阻半导体层的深度。
一种提高 pn 反向击穿电压装置

[实用新型]一种可提高PN结反向击穿电压的装置-CN201120559840.3有效
发明人：秦明;张睿 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可提高PN结反向击穿电压的装置包括第一低阻半导体层、高阻半导体层、第二低阻半导体层和第一绝缘抗反射涂层及第二绝缘抗反射涂层；第二低阻半导体层位于第一绝缘抗反射涂层的内侧面，高阻半导体层位于第二低阻半导体层的另一侧面正下方；第二低阻半导体层与高阻半导体层形成主PN结，第二低阻半导体层与第一低阻半导体层形成辅PN结；第一低阻半导体层的掺杂浓度小于高阻半导体层的掺杂浓度；第二低阻半导体层与高阻半导体层的接触面积小于第一绝缘抗反射涂层与第二低阻半导体层的接触面积；第二低阻半导体层的深度小于高阻半导体层的深度。
一种提高 pn 反向击穿电压装置

[发明专利]基于氮化镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体装置的制造方法-CN00126376.5有效
发明人：李清庭 -专利权人：光磊科技股份有限公司;李清庭
申请日： 2000-09-12 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种基于氮化镓的III-V族化合物半导体装置的制造方法，包括：在基板上方形成半导体叠层构造，半导体叠层构造包括n型半导体层、主动层以及p型半导体层；蚀刻半导体叠层构造，以露出n型半导体层的一部分；在n型半导体层上形成第一电极，其中第一层电极包括欧姆接触层、阻障层与焊垫层；进行退火制作工艺，用以降低第一电极与n型半导体层之间的接触电阻，同时活化p型半导体层；与在p型半导体层上形成一第二电极。
基于氮化化合物半导体装置制造方法

[发明专利]单片LED阵列及其前体-CN201980044914.9在审
发明人：安德烈亚·皮诺斯;萨米尔·迈祖阿里 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种单片LED阵列前体，包括：共享第一半导体层的多个LED结构，其中，第一半导体层限定LED阵列前体的平面，每个LED结构包括：(i)第一半导体层上的第二半导体层，该第二半导体层具有与LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第二半导体层具有与上表面部分垂直的规则梯形截面，使得第二半导体层具有倾斜侧面；(ii)第二半导体层上的第三半导体层，该第三半导体层具有与LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第三半导体层具有与上表面部分垂直的规则梯形截面，使得第三半导体层具有与第二半导体层的倾斜侧面平行的倾斜侧面；(iii)第三半导体层上的第四半导体层，该第四半导体层具有与LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第四半导体层具有与上表面部分垂直的规则梯形截面，使得第四半导体层具有与第三半导体层的倾斜侧面平行的倾斜侧面；以及(iv)第四半导体层上的主电触点，其中，触点仅在第四半导体层的与LED阵列前体的平面平行的上表面部分上，其中，第三半导体层包括多个量子阱子层，该量子阱子层的与LED阵列前体的平面平行的部分具有更大的厚度，与LED阵列前体的平面不平行的部分具有减小的厚度。
单片 led 阵列及其

[发明专利]存储装置及其制造方法-CN201510213839.8有效
发明人：吕函庭;陈威臣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：区块包括多个层，这些层包括多个半导体条，这些半导体条自一半导体接触垫延伸。设置这些层以使得半导体条形成多个半导体条叠层以及多个半导体接触垫的一半导体接触垫叠层。并且，多个选择栅极结构设置于半导体条叠层上，且位于半导体条上的半导体接触垫和存储单元之间。再者，这些选择栅极结构中的不同者将半导体条叠层中的不同的半导体条耦合在这些层中的半导体接触垫上。更进一步，一辅助栅极结构设置在半导体条叠层之上，且位于选择栅极结构和半导体接触垫叠层之间。
存储装置及其制造方法

[发明专利]具有层压层的半导体装置和设备-CN201810274644.8有效
发明人：小林昌弘 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了具有层压层的半导体装置和设备。一种半导体装置，包括：半导体基板，其中设有多个半导体元件；第一半导体层，被重叠在半导体基板上并且其中设有多个光电转换元件；第二半导体层，被布置在半导体基板与第一半导体层之间；第一配线结构，被布置在第一半导体层与第二半导体层之间；第二配线结构，被布置在第二半导体层与半导体基板之间；以及第三配线结构，被布置在第二配线结构与半导体基板之间，多个贯通电极的宽度彼此不同。
具有层压半导体装置设备

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN202210853679.3在审
发明人：林育如;陈书涵;陈俊纮;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：用于形成半导体器件结构的方法包括：形成堆叠在衬底上方的交替的第一半导体层和第二半导体层。方法也包括：蚀刻第一半导体层和第二半导体层以形成鳍结构。方法也包括：氧化第一半导体层以形成第一半导体层的第一氧化部分；以及氧化第二半导体层以形成第二半导体层的第二氧化部分。方法也包括：去除第二半导体层的侧壁上方的氧化物。在去除第二氧化部分之后，第二半导体层的上层窄于第二半导体层的下层。方法也包括：去除第一半导体层以在第二半导体层之间形成栅极开口。方法也包括：在栅极开口中形成栅极结构。本申请的实施例还涉及半导体器件结构。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]雪崩光电二极管-CN201780060588.1有效
发明人：泷本贵博;夏秋和弘;內田雅代 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：雪崩光电二极管包括：第一导电型半导体层(2)，形成于第一导电型的半导体基板(1)内；第一第二导电型半导体层(3)，在俯视基板时以隔开间隔包围第一导电型半导体层(2)的方式形成；第二第二导电型半导体层(5)，以与第一导电型半导体层(2)的底部相接的方式形成在比第一导电型半导体层(2)深的位置；以及第三第二导电型半导体层(6)，以与第二第二导电型半导体层(5)的底部相接的方式形成在比第二第二导电型半导体层由第一导电型半导体层(2)与第二第二导电型半导体层(5)形成雪崩结。以使半导体基板(1)与第一导电型半导体层(2)电气分离的方式将第一、第三第二导电型半导体层(3、6)连接。
雪崩光电二极管

[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统-CN201010576073.7无效
发明人：丁圣勋;金俊亨 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：发光器件包括第一导电半导体层，该第一导电半导体层包括第一导电杂质；第二导电半导体层，该第二导电半导体层包括不同于第一导电杂质的第二导电杂质；第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；以及AlInN基半导体层，该AlInN基半导体层被插入在有源层和第二导电半导体层之间同时接触有源层和第二导电半导体层并且包括第二导电杂质。
发光器件及其制造方法封装以及照明系统

[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN202111490565.9在审
发明人：高坂崇雄;堀井秀人;德平弘毅;松泽一也;河合宏树 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及半导体存储装置。半导体装置具备：第1导电层；半导体层，在第1方向贯通第1导电层而设置，且包含氧化物半导体；第1绝缘层，在与第1方向交叉的第2方向上设置在第1导电层与半导体层之间；第2导电层，在第1方向上设置在半导体层的一侧，且电连接于半导体层；第3导电层，在第1方向上设置在半导体层的另一侧，且电连接于半导体层；电导体，在第1方向上从第3导电层朝向第2导电层延伸，且在第2方向上与半导体层重叠；以及电荷储存膜，在第2方向上设置在半导体层与电导体之间
半导体装置存储

[发明专利]半导体装置-CN201680084787.1有效
发明人：西井昭人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：目的在于提供能够对恢复动作时的第一P型半导体层的电场集中进行抑制的技术。半导体装置具有漂移层、N型半导体层以及第一P型半导体层、第二P型半导体层、电极、以及绝缘层。N型半导体层以及第一P型半导体层以彼此横向相邻的状态配置于漂移层的下方。绝缘层以与第二P型半导体层以及电极接触的状态配置于第一P型半导体层的上方。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201510013137.5在审
发明人：矶部康裕;杉山直治 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：根据本发明的一种实施方式，半导体装置具有第一氮化物半导体层、本征氮化物半导体层、以及具有Al的第二氮化物半导体层。所述本征氮化物半导体层设置于所述第一氮化物半导体层的第一侧。所述第二氮化物半导体层设置于所述本征氮化物半导体层的与所述第一氮化物半导体层相对的一侧。所述第一氮化物半导体层在所述第一氮化物半导体层、所述本征氮化物半导体层以及所述第二氮化物半导体层层叠的方向上具有第一浓度和低于所述第一浓度的第二浓度重复出现的碳分布。
半导体装置

[发明专利]一种无须使用光刻机和光刻胶的半导体芯片结构及其工艺方法-CN202110694371.4在审
发明人：涂波;郑香奕 -专利权人：深圳市洁简达创新科技有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种无须使用光刻机和光刻胶的半导体芯片结构及其工艺方法，本发明无须使用光刻机和光刻胶的半导体芯片结构，包括基板，在基板上依次堆叠设置P型半导体层和N型半导体层，P型半导体层和N型半导体层相间设置，P型半导体层至少为2层，N型半导体层至少为2层。本发明通过化学气相沉积法来堆叠形成P型半导体层和N型半导体层，并且采用物理刻蚀和电浆清洗的方式形成导电层，避免使用掩膜、光阻剂、光刻机来制造半导体芯片，降低了半导体芯片工艺复杂性，提高了半导体芯片产品的良率
一种无须使用光刻半导体芯片结构及其工艺方法