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- [发明专利]固体摄像器件-CN201180001296.3有效
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舛冈富士雄;原田望
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新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司
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2011-03-07
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2012-01-25
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H01L27/146
- 固体摄像器件的像素(11)具备：第1导电型的第1半导体层(1)，形成于衬底上；第1半导体层上的第2导电型的第2半导体层(2)；第1导电型的第3半导体层(5a、5b)，形成于第2半导体层(2)的上部侧面区域；第2导电型的第4半导体层(6a、6b)，形成于第3半导体层(5a、5b)的外侧面区域；栅极导体层(4a、4b)，隔着绝缘膜(3a、3b)而形成于第2半导体层(2)的下部侧面区域；以及第2导电型的第5半导体层(7)，形成于第2半导体层(2)和第3半导体层(5a、5b)的上面；且第5半导体层(7)和第4半导体层(6a、6b)为相连接，且至少第3半导体层(5a、5b)、第2半导体层(2)的上部区域、第4半导体层(6a、6b)、以及第5半导体层(7)形成于岛状形状内。
- 固体摄像器件
- [发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法-CN201210378505.2有效
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赵猛
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2012-09-29
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2014-04-09
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H01L21/336
- 一种鳍式场效应晶体管及其制造方法，制造方法包括：在半导体衬底上形成绝缘层；图形化绝缘层，形成多个露出半导体衬底的沟槽；在沟槽中填充第一半导体材料，形成第一半导体层；在第一半导体层中掺入防沟道掺杂离子扩散材料；对第一半导体层进行沟道掺杂；向沟槽填充第二半导体材料，以形成第二半导体层；去除绝缘层，露出包括第一半导体层和第二半导体层的鳍；在鳍上形成栅极结构。鳍式场效应晶体管包括：位于半导体衬底上的多个鳍；鳍包括第一半导体层和第二半导体层，其中第一半导体层掺杂有沟道掺杂离子，第一半导体层还掺有防沟道掺杂离子扩散材料，第二半导体层为非掺杂半导体层；形成于鳍上的栅极结构
- 场效应晶体管及其制造方法
- [发明专利]半导体器件及其制作方法、电子设备-CN202080101293.6在审
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万光星;黄威森
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华为技术有限公司
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2020-06-30
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2023-01-31
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H01L29/78
- 一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，提供一种包括不同栅长垂直环栅晶体管的半导体器件。该半导体器件包括：基板(01)以及位于基板(01)上的第一半导体鳍(Z1)和第二半导体鳍(Z2)；第一半导体鳍(Z1)包括层叠设置的多个隔离半导体图案层和至少一个沟道半导体图案层，其中，每一个沟道半导体图案层夹在两个隔离半导体图案层之间；第二半导体鳍(Z2)包括依次层叠设置的第一隔离半导体图案层、第一沟道半导体层和第二隔离半导体图案层；第一半导体鳍(Z1)中的所有沟道半导体图案层的总厚度与第二半导体鳍(Z2)中的第一沟道半导体层的厚度不同
- 半导体器件及其制作方法电子设备
- [发明专利]半导体装置-CN201410376732.0有效
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斋藤尚史;蔵口雅彦;杉山仁
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株式会社东芝
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2014-08-01
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2017-05-31
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H01L29/778
- 实施方式的半导体装置具备第1GaN类半导体的第1半导体层、带隙比第1GaN类半导体小的第2GaN类半导体的第2半导体层、带隙比第2GaN类半导体大的第3GaN类半导体的第3半导体层、带隙比第3GaN类半导体小的第4GaN类半导体的第4半导体层、带隙比第4GaN类半导体大的第5GaN类半导体的第5半导体层、一端位于第5半导体层且另一端位于第3半导体层的沟槽、设置在沟槽内壁上的栅极绝缘膜、设置在栅极绝缘膜上的栅极电极、设置在第5半导体层上的源极电极、以及在第5半导体层上相对于源极电极设置在栅极电极的相反侧的漏极电极。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200980110489.5有效
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中野佑纪
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罗姆股份有限公司
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2009-03-26
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2011-02-23
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H01L29/78
- 本发明提供半导体装置及其制造方法，半导体装置(A1)包括：具有形成有沟(3)的第一面和与该第一面为相反侧的第二面的半导体层；栅极电极(41)；和栅极绝缘层(5)。上述半导体层包括第一n型半导体层(11)、第二n型半导体层(12)、p型半导体层(13)、和n型半导体区域(14)。沟(3)贯通p型半导体层(13)到达第二n型半导体层(12)。P型半导体层(13)具有比沟(3)更接近上述半导体层的上述第二面的第一p型半导体层(131)。由此，可以使栅极绝缘层(5)的绝缘破坏难以产生。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]半导体器件-CN201510098219.4在审
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壱岐村岳人
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株式会社东芝
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2015-03-05
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2016-01-27
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H01L29/861
- 本发明描述了例如二极管的半导体器件。所述半导体器件包括第一导电类型衬底层。第二导电类型第一半导体层位于第一导电类型衬底层中。第一导电类型第二半导体层位于所述第一半导体层中并且与所述衬底层分开。第二导电类型第三半导体层位于所述第二半导体层中。第一导电类型第四半导体层位于所述第三半导体层中。第一导电类型第五半导体层位于所述第三半导体层中并且与所述第四半导体层分开。第二导电类型第六半导体层位于所述第三半导体层中并且与所述第四半导体层分开。第一电极连接到所述第四半导体层。并且第二电极连接到所述第五半导体层和所述第六半导体层。
- 半导体器件
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