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[发明专利]半导体装置-CN201910705044.7有效
发明人：大野天颂;藤田努;久米一平;友野章 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：根据一个实施方式，本实施方式的半导体装置具备半导体衬底，该半导体衬底具有第1面、及相对于该第1面位于相反侧的第2面。半导体元件设置于半导体衬底的第1面。多晶或非晶质的第1材料层设置于半导体衬底的第1面的至少外缘。可让激光透过的第2材料层设置于半导体衬底的第2面。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201810971991.6有效
发明人：杉本雅裕;髙桥勲;四户孝;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好接合且半导体特性优异的半导体装置。技术方案为制造一种半导体装置，并将所获得的半导体装置用于功率器件等，所述半导体装置至少包括n型半导体层、i型半导体层及p型半导体层，其中n型半导体层包括第一半导体以作为主要成分，第一半导体为含有选自铝、铟和镓中的一种或两种以上的金属的氧化物半导体。
半导体装置

[发明专利]碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法-CN201910821706.7有效
发明人：冲田恭子;本家翼 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。一种碳化硅单晶衬底(1)，其包括第一主表面(1a)、第二主表面(1b)和圆周边缘部(3)。第二主表面(1b)与第一主表面(1a)相反。圆周边缘部(3)连接第一主表面(1a)和第二主表面(1b)。当沿着与第一主表面(1a)垂直的方向观察时，圆周边缘部(3)具有：直线形的定向平面部(OF1)，具有第一半径(R1)的第一圆弧部(A1)，和连接定向平面部(OF1)和第一圆弧部(A1)并具有小于第一半径(R1)的第二半径(R2)的第二圆弧部(A2)。提供了一种能够抑制在碳化硅外延膜的表面中的级差的发生的碳化硅单晶衬底、及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。
碳化硅衬底用于制造方法

[发明专利]钻石成膜用衬底基板、以及使用其的钻石基板的制造方法-CN201810104358.7有效
发明人：野口仁;牧野俊晴;小仓政彦;加藤宙光;川岛宏幸;山崎聪;德田规夫 -专利权人：信越化学工业株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所;国立大学法人金泽大学
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种钻石基板的制造方法以及用于所述方法的衬底基板，其对于减低包含位错缺陷等的各种缺陷是有效的。上述衬底基板是用于利用化学气相沉积法来成膜钻石膜的衬底基板，其特征在于：前述衬底基板的表面，相对于规定的晶面方位附有偏离角。
钻石成膜用衬底以及使用制造方法

[发明专利]一种非平面GaN HEMT横向功率器件-CN202210022536.8在审
发明人：程骏骥;王榷阳;杨洪强 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体领域，涉及GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)横向功率器件，具体提供一种非平面GaN HEMT横向功率器件。本发明通过结构创新能够有效克服上述非平面GaN HEMT横向功率器件的设计难点，具体通过成熟的硅刻蚀技术，在硅(100)晶面、硅(001)晶面或硅(010)晶面上、沿[110]方向刻蚀形成V形槽，其侧壁(111)面之间的夹角为70.52°，然后在侧壁(111)面进行GaN的极性外延生长、以及AlGaN势垒层，形成非平面的器件结构，其中的2DEG通道由源极曲折到达漏极，那么在同等器件面积的条件下2DEG通道将显著增长，最终使器件Baliga优值显著增大、性能极限得到突破，并获得进一步的可靠性提升。
一种平面 gan hemt 横向功率器件

[发明专利]一种氧化镓器件及制备方法-CN202111407950.2在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：广州华瑞升阳投资有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化镓器件及制备方法。在本发明的一个实施例中，采用异质衬底例如硅(111)面衬底，制备结晶性优异的包含氧化镓半导体层的层叠结构，再通过光刻和刻蚀等技术，对层叠结构和衬底进行刻蚀处理，形成衬底通孔效果，并在衬底通孔区淀积电极层，使包含氧化镓层的层叠结构的下表面直接与电极层建立电性连接，可制备垂直型氧化镓器件。这样的器件结构设计，无异质的缓冲层，可减少不同材料层叠时的晶格失配和热失配，降低器件损耗，提升器件的电性能和可靠性。
一种氧化器件制备方法

[发明专利]SiC层叠体、其制造方法和半导体器件-CN202180032148.1有效
发明人：长泽弘幸 -专利权人： CUSIC股份有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种3C‑SiC和六方晶SiC的层叠结构以及其制造方法，在半导体器件中使用该3C‑SiC和六方晶SiC的层叠结构能够抑制异质界面中的载流子俘获和散射，从而提高半导体器件的特性。在六方晶SiC(1)表面上设置与晶格的最密面(CPP)平行的晶种面(1p)和从最密面倾斜的倾斜面(1i)，在晶种面上生成3C‑SiC的二维核(2e)的同时，在倾斜面上进行步进控制外延，从而制造层叠六方晶SiC层和3C‑SiC层的SiC层叠体。通过使SiC层叠体的所有界面成为共格异质界面(3)，将3C‑SiC表面和六方晶SiC表面隔开，可以自由配置半导体元件，获得高性能半导体器件。
sic 层叠制造方法半导体器件

[发明专利]半导体芯片及其制造方法-CN202211136290.3在审
发明人：长屋正武;渡边弘纪;大原淳士;河口大祐;原佳祐;笹冈千秋;小岛淳;恩田正一 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社;浜松光子学株式会社;国立大学法人东海国立大学机构
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：一种半导体芯片包括构成芯片的基板(110)，其具有一个表面(110a)、与所述一个表面相反的另一表面(110b)、以及连接所述一个表面和所述另一表面的两对相反侧表面(110c)。所述一个表面和所述另一表面沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的一个。两对相反侧表面中的一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另一个。两对相反侧表面中的另一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另外一个。所述侧表面包括在作为侧表面的法线方向的深度方向上的表面层部分中包含氧化镓和镓金属的改变层(120)。
半导体芯片及其制造方法

[发明专利]层叠结构体、半导体装置及结晶性氧化物膜的成膜方法-CN202211156828.7在审
发明人：渡部武纪;桥上洋;坂爪崇寛 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种层叠结构体、半导体装置及结晶性氧化物膜的成膜方法。一种层叠结构体，其为至少包括基底基板及以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜的层叠结构体，且所述层叠结构体的所述结晶性氧化物膜侧的面中波长400nm～800nm的光的反射率的平均值为16％以上。由此，可提供一种具有以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜的层叠结构体，所述结晶性氧化物膜的结晶缺陷显著少、结晶性优异且在应用于半导体装置时半导体特性优异。
层叠结构半导体装置结晶氧化物方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202211378602.1在审
发明人：李永亮;陈安澜;赵飞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以利于增大环栅晶体管包括的沟道区的载流子迁移率，进而利于提升环栅晶体管的工作性能。所述半导体器件包括：半导体基底、有源结构和栅堆叠结构。有源结构形成在半导体基底上。有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区。沿半导体基底的厚度方向，沟道区包括至少两层间隔设置的沟道部。位于底层的沟道部与半导体基底之间具有空隙，每层沟道部的所有外表面均为{111}晶面。栅堆叠结构环绕在每层沟道部的外周。所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201711344639.1有效
发明人：沈泽民;吴志强;吴忠政;蔡庆威;程冠伦;王志豪;曹敏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；第一半导体材料的第一鳍式有源区域，设置在第一区域内，定向为第一方向，其中，第一鳍式有源区域具有沿着第一方向的100晶体方向；以及第二半导体材料的第二鳍式有源区域，设置在第二区域内，并且定向为第一方向，其中，第二鳍式有源区域具有沿着第一方向的110晶体方向。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]碳化硅外延基板及其制造方法-CN202210257615.7在审
发明人：三浦刚;市川穂高;木村直矢;奥田裕之;广冈泰典 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供能够使高品质的碳化硅单晶快速生长的碳化硅单晶的制造方法。碳化硅外延基板(10)包括具有第一面的碳化硅基板(20)和位于第一面的碳化硅外延层(30)，第一面(20a)为(000－1)C面，在碳化硅外延层的上表面(30a)，线状表面缺陷密度小于1.0cm‑2，并且叠层缺陷密度小于1.2cm‑2。
碳化硅外延及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示面板-CN202210898927.6在审
发明人：卓恩宗;杨凤云;袁海江 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板，包括：提供基板，在所述基板表面形成绝缘层，所述基板和所述绝缘层构成半导体结构；及以预设条件在所述半导体结构的表面形成沟道层，所述沟道层的材质包括微晶硅，所述预设条件包括预设温度区间。本申请的技术方案能够在保证沟道层有较佳的电子迁移率的同时其制备过程不对基板造成损伤。
薄膜晶体管及其制备方法显示面板

[发明专利]半导体存储器装置及制造其的方法-CN202210020435.7在审
发明人：柳民泰;严祥训;李基硕;李玟洙;李元锡;赵珉熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：提供了一种通过改善界面特性同时减少泄漏电流而性能提高的半导体存储器装置以及制造其的方法。半导体存储器装置包括：导线，其位于衬底上；第一层间绝缘层，其暴露出导线并且在衬底上限定沟道槽；沟道层，其沿着沟道槽的底部和侧表面延伸；第一栅电极和第二栅电极，它们在沟道槽中彼此间隔开；第一栅极绝缘层，其位于沟道层与第一栅电极之间；以及第二栅极绝缘层，其位于沟道层与第二栅电极之间。沟道层包括顺序地堆叠在导线上的第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层的结晶度大于第二氧化物半导体层的结晶度。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体结构-CN202011620433.9在审
发明人：陈彦兴;许祐铭;杨宗穆;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构，包括一基底，其包括一元件区、一周边区围绕着该元件区，以及一过渡区位于该周边区及该元件区之间。一外延层位于该元件区、该周边区及该过渡区上，其中该外延层位于该过渡区上的一第一部分包括多晶结构。
半导体结构

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