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[发明专利]半导体装置-CN201080037940.8有效
发明人：松田成修 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体装置(100)具备元件区域和外周区域，元件区域具有：具有第一导电型的第一半导体层(1)；在第一半导体层的表面形成为岛状，并具有与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层(2)；在第二半导体层的表面形成为岛状，并具有第一导电型的第三半导体层(3)；以及贯通第二半导体层和第三半导体层并到达第一半导体层的内部的多个栅极沟槽(11)，外周区域具有：在元件区域的周围，贯通第二半导体层及第三半导体层，并到达第一半导体层内的多个外周沟槽(14)；以及在第一半导体层的表面形成为岛状，并具有第一导电型的终端层(6)，还具备半导体基体(10)，半导体基体(10)具有第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层及终端层，在第一半导体层的表面侧，第一半导体层未露出于表面
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410657709.9在审
发明人：鉾本吉孝;西脇达也;新井雅俊 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括：第1半导体层，具有第1区域和第2区域；第2半导体层，被设置于第1半导体层上侧；第3半导体层，被选择性地设置于第2半导体层上侧；控制电极，在第2半导体层以及第3半导体层中隔着绝缘膜而被设置；第1导电体，以隔着绝缘膜与控制电极以及第1半导体层相接的方式设置于第1半导体层内，相比控制电极而更位于第1半导体层侧；第2导电体，在第2区域中，在从第3半导体层朝向第1半导体层的方向上延伸，在第1半导体层内隔着绝缘膜而被设置；第1电极，与第1半导体层、第2半导体层以及第3半导体层电连接；以及第2电极，与第1半导体层电连接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010167317.6有效
发明人：舛冈富士雄;中村广记;新井绅太郎;工藤智彦;星拿伐布;布德哈拉久·卡维沙·戴维;沈南胜;沙样珊·陆格玛尼·戴维 -专利权人：日本优尼山帝斯电子株式会社
申请日： 2010-04-20 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明为一种半导体器件及制造方法，该方法包括：在衬底上形成第一柱状半导体层，并在位于该第一柱状半导体层下面的衬底上部形成第一平面半导体层；在该第一柱状半导体层的下部以及第一平面半导体层的全部或上部形成第一半导体层；围绕第一柱状半导体层的下侧壁以及在第一平面半导体层上方形成第一绝缘膜；围绕该第一柱状半导体层形成栅极绝缘膜和栅极电极；形成侧壁状第二绝缘膜，其围绕第一柱状半导体层的上侧壁并接触栅极电极的上表面，以及围绕栅极电极的侧壁；在第一柱状半导体层的上部形成第二半导体层，并在第一半导体层和第二半导体层之间形成半导体层；以及在第一半导体层的上表面以及第二半导体层的上表面分别形成金属半导体化合物。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]MEMS器件和制造MEMS器件的方法-CN201510553886.7有效
发明人： S.科尔布;A.迈泽;T.施勒泽;W.韦尔纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种用于制造MEMS器件的方法包括形成半导体层堆叠，该半导体层堆叠至少包括第一单晶半导体层、第二单晶半导体层和第三单晶半导体层，该第二单晶半导体层在第一和第三单晶半导体层之间形成。第二单晶半导体层的半导体材料与第一和第三单晶半导体层的半导体材料不同。在形成半导体层堆叠之后，第一和第三单晶半导体层中的每个的至少部分同时被刻蚀。
mems 器件制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法-CN200580032508.9有效
发明人：李昔宪 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的有源层，形成在有源层上的第二氮化物半导体层。另一氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的有源层，形成在有源层上的第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的第二氮化物半导体层。再一氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的有源层，形成在有源层上的第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层，和形成在第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的第二氮化物半导体层。
氮化物半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置结构-CN202210938017.6在审
发明人：张荣宏;林志昌;陈仕承;姚茜甯;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置结构，包含多个半导体层，并具有第一组半导体层、设置于第一组半导体层上且与之对准的第二组半导体层、设置于第二组半导体层上且与之对准的第三组半导体层。所述结构还包含第一源极/漏极外延部件，其与第一组半导体层的第一数量的半导体层接触，以及第二源极/漏极外延部件，其与第三组半导体层的第二数量的半导体层接触。所述第一组半导体层的第一数量的半导体层与第三组半导体层的第二数量的半导体层不同。
半导体装置结构

[发明专利]半导体装置-CN201410452729.2在审
发明人：镰田周次 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高破坏耐量的半导体装置。实施方式的半导体装置包括：半导体基板；多个第一导电型的第一半导体层，设置在半导体基板正面，沿着第一方向延伸，并且隔着栅极绝缘膜被栅极层包围；多个第一导电型的第二半导体层，位于第一半导体层之间；第一导电型的第三半导体层，配置在第一半导体层的第一方向的端部，隔着栅极绝缘膜被栅极层包围；第二导电型的第四半导体层，设置在第二半导体层；第一导电型的第六半导体层，设置在半导体基板背面；第二导电型的第七半导体层，设置在第六半导体层与第一、第二及第三半导体层之间；射极电极，电连接于第四半导体层与第五半导体层；以及集极电极，电连接于第六半导体层。
半导体装置

[发明专利]凹入式半导体器件-CN200580027015.6无效
发明人：新华·P·李;布鲁斯·M·格林;奥林·L·哈廷;埃伦·Y·兰;查尔斯·E·韦策尔 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2005-07-22 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：一种半导体结构包括第一半导体层(22)、在第一半导体层上方的第二半导体层(24)、在第二半导体层上方的第三半导体层(25)和在第三半导体层上方的第四半导体层(26)。第一导电部分(144)耦合到第一半导体层，和第二导电部分(50)形成在第一半导体层上方。
凹入式半导体器件

[发明专利]发光装置与其制作方法-CN201710046399.0有效
发明人：吴宗典;何金原;林宗毅 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光装置，其包含半导体结构、第一电极、第二电极与延伸电极。半导体结构具有至少一侧壁。半导体结构包含发光层、第一半导体层与第二半导体层。发光层置于第一半导体层与第二半导体层之间。第一电极电性连接半导体结构的第一半导体层。第一半导体层置于发光层与第一电极之间。第二电极电性连接半导体结构的第二半导体层。第二半导体层置于发光层与第二电极之间。延伸电极置于半导体结构的侧壁，且与第二电极电性连接。
发光装置与其制作方法

[发明专利]半导体器件、含该半导体器件的半导体封装及其制造方法-CN200910162143.1无效
发明人：金维植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-08-05 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件、具有该半导体器件的半导体封装及其制造方法，该半导体器件包括：第一发光芯片，该第一发光芯片具有第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层；设置在第一发光芯片上的第二发光芯片，该第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层；和设置在第一半导体层和第四半导体层之间的导电层，第一半导体层和第四半导体层具有不同的导电类型。
半导体器件半导体封装及其制造方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制造方法-CN201510088404.5在审
发明人：简怡峻 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一异质结太阳能电池包含掺杂型半导体基板、第一非晶半导体缓冲层、第一非晶半导体层、第二非晶半导体缓冲层、第二非晶半导体层、边缘保护层、第一透明导电层及第二透明导电层。第一非晶半导体缓冲层包覆掺杂型半导体基板的第一表面与侧壁。第一非晶半导体层包覆第一非晶半导体缓冲层。第二非晶半导体缓冲层包覆第二表面。第二非晶半导体层包覆第二非晶半导体缓冲层。边缘保护层包覆第一非晶半导体层的边缘。第一透明导电层包覆第一非晶半导体层。第二透明导电层包覆于第二非晶半导体层。
异质结太阳能电池及其制造方法

[发明专利]具有减小的泄漏的CMOS器件及其形成方法-CN201410683088.1在审
发明人：李宜静;吴政宪;柯志欣;万幸仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种器件包括第一半导体层，和位于第一半导体层上方的第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层包括不同的材料。半导体区位于第二半导体层上面并且与第二半导体层接触，其中，半导体区的底面与第二半导体层的第一顶面接触。半导体区和第二半导体层包括不同的材料。半导体区的底面具有与第二半导体层的(551)表面平面接触的倾斜部分。本发明涉及具有减小的泄漏的CMOS器件及其形成方法。
具有减小泄漏 cmos 器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202011026437.4在审
发明人：吕哲庆;杨宝如;王彦森;蔡宗杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：披露了半导体装置与其制造方法。例示性的方法包括：于基板的第一区中形成含第一半导体材料的第一半导体层；于第一半导体层与基板上交错沉积多个第二半导体层与多个第三半导体层，以形成半导体层堆叠，其中第二半导体层包括第二半导体材料，第三半导体层包括第一半导体材料，第二半导体材料与第一半导体材料不同，第二半导体层的一者的下表面接触第一区中的第一半导体层与基板的第二区中的基板；平坦化半导体层堆叠的上表面；以及图案化半导体层堆叠，以于第一区中形成第一半导体结构，以及于第二区中形成第二半导体层结构
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置及其驱动方法-CN201610098898.X在审
发明人：北川光彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够提高电流的控制性的半导体装置及其驱动方法。实施方式的半导体装置具备第1导电型的第1半导体层；第2导电型的第2半导体层；第1导电型的第3半导体层；第2导电型的第4半导体层；第1电极，连接于所述第2半导体层及所述第4半导体层；第2电极，隔着绝缘膜与所述第2半导体层相邻；第2导电型的第5半导体层；第1导电型的第6半导体层；第2导电型的第7半导体层；第3电极，连接于所述第5半导体层及所述第7半导体层；以及第4电极，隔着绝缘膜与所述第5半导体层相邻。
半导体装置及其驱动方法

[发明专利]半导体基板以及半导体基板的制造方法-CN201480071089.9在审
发明人：今冈功;内田英次;须田淳 -专利权人：株式会社丰田自动织机;须田淳
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体基板及其制造方法。本发明提供一种多种半导体层露出于表面的半导体基板。半导体基板具备：支承基板、被配置于支承基板的表面的单晶的第1半导体层、被配置于第1半导体层的表面的一部分的单晶的第2半导体层、以及被配置于第1半导体层的未配置有第2半导体层的表面的单晶的第3半导体层。第3半导体层的晶体取向与第1半导体层一致，并由与第1半导体层相同材料形成。
半导体以及制造方法