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[发明专利]一种二维过渡金属硫化物及其制备方法和应用-CN202210534757.3在审
发明人：刘碧录;吴沁柯;农慧雨;王经纬;成会明 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维过渡金属硫化物及其制备方法和应用。本发明的二维过渡金属硫化物的制备方法，包括以硫源和过渡金属源为制备原料在衬底上进行化学气相沉积反应；硫源为块体硫；过渡金属源包括钼源和钨源中的至少一种。本发明提供的制备方法具有可控性、可重复性强，能够获取缺陷密度低、晶体质量高的二维过渡金属硫化物等优点。本发明还提供了上述制备方法制得的二维过渡金属硫化物及其应用。
一种二维过渡金属硫化物及其制备方法应用

[发明专利]一种锰金属磷酸盐的制备方法及产品-CN202210185231.9在审
发明人：骆艳华;裴晓东;刘晨;钱有军 -专利权人：中钢天源股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C01B25/37 文献下载
摘要：本发明公开了一种锰金属磷酸盐的制备方法及产品，属于新能源材料制备技术领域。该方法包括：配制铁源溶液、锰源溶液和磷源溶液步骤；将上述铁源溶液、锰源溶液与磷源溶液在高速搅拌的前提下反应，得到锰金属磷酸盐料浆；将锰金属磷酸盐料浆过滤、洗涤、干燥、焙烧脱水后，得到无水锰金属磷酸盐。采用高速搅拌并实现瞬时反应，能够在确保样品性能指标的同时，实现原料用量的减少，显著降低锰金属磷酸盐一次颗粒粒径，提高锰金属磷酸盐的反应活性。
一种金属磷酸盐制备方法产品

[发明专利]半导体结构-CN202010662141.5在审
发明人：翁翊轩;李威养;杨丰诚;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构，其包括多个半导体层的堆叠、第一金属栅极堆叠、第二金属栅极堆叠、源极/漏极结构以及源极/漏极接点。多个半导体层的一堆叠位于基板上；第一金属栅极堆叠位于半导体层的堆叠上；第二金属栅极堆叠交错于半导体层的堆叠之间；源极/漏极结构位于半导体层的堆叠中；源极/漏极接点位于源极/漏极结构上。在许多例子中，源极/漏极结构与第二金属栅极堆叠的侧壁隔有第一气隙，且源极/漏极接点与第一金属栅极堆叠的侧壁隔有第二气隙。
半导体结构

[发明专利]一种碳纳米管限域金属纳米线材料及其制备方法和应用-CN202210474372.2在审
发明人：宫勇吉;何倩倩 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明属于无机材料技术领域，具体涉及一种碳纳米管限域金属纳米线及其制备方法和应用。本发明提供一种碳纳米管限域金属纳米线材料的制备方法：将碳纳米管和有机金属源混合，得到混合料；所述碳纳米管两端开口；所述有机金属源包括有机钯金属源和/或有机钼金属源；在真空环境中，将所述混合料进行预热处理，得到前驱体材料，所述前驱体材料包括碳纳米管和填充在所述碳纳米管腔内的有机金属源；所述预热处理的温度≥所述金属源的升华温度；在保护气体中，将所述前驱体材料进行煅烧处理，得到所述碳纳米管限域金属纳米线材料本发明提供的制备方法能够实现有机金属源充分填充碳纳米管，得到的碳纳米管限域金属纳米线材料电化学性能好，且材料稳定性好。
一种纳米管限域金属线材料及制备方法应用

[发明专利]一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法-CN201710406579.5有效
发明人：李亦衡;朱廷刚;朱友华;张葶葶;王强 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法，包括在衬底上涂负性光刻胶，对负性光刻胶光刻显影，形成栅/源/漏极区；在负性光刻胶上、栅/源/漏极区内形成第一金属层；在第一金属层上涂正性光刻胶，对正性光刻胶光刻显影，在栅极区内、两侧的第一金属层上形成正性光刻胶填充；去除暴露的第一金属层；在负/正性光刻胶填充上、源/漏极区内形成第二金属层；去除位于负/正性光刻胶填充上的第二金属层，去除涂覆的负/正性光刻胶填充，栅极区内第一金属层为栅极金属层，源极、漏极内第二金属层为源极金属层以及漏极金属层。本发明消除栅极和源/漏极之间的不对准；改善了小型几何器件的加工余量；提高大直径晶圆器件的产量。
一种平面功率转换器件栅极对准方法

[发明专利]基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管-CN202211489343.X在审
发明人：姜建峰;邱晨光;彭练矛 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于二维半导体的固态源掺杂方法和二维半导体晶体管，该固态源掺杂方法，包括如下步骤：提供基底；在所述基底上制备二维半导体材料层；对所述二维半导体材料层远离所述基底的表面进行表面改性处理；在所述二维半导体材料层远离所述基底的表面上蒸镀固态活性源金属层；在所述固态活性源金属层上蒸镀常规金属层；对所述固态活性源金属层和所述常规金属层进行退火处理，得到二维半金属/金属材料层。根据本发明的固态源掺杂方法避免了常规金属直接蒸镀产生的费米钉扎效应，可以形成欧姆接触，以较低的成本解决高电阻触点的问题。
基于二维半导体固态掺杂方法晶体管

[发明专利]一种液态金属氢源燃料电池-CN201510263802.6在审
发明人：刘静 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01M8/22 文献下载
摘要：本发明提供一种液态金属氢源燃料电池，所述液态金属氢源燃料电池设置有氢源电解液池，氢源电解液池通过氢气入口与氢气腔相通；氢源电解液池内放置有产氢金属和液态金属，产氢金属为铝、镁、钙、铁、锌、锂中的一种，液态金属为室温下为液态的金属或合金，产氢金属浸入或分散在液态金属中，产氢金属质量占液态金属质量的1～80％；所述氢气腔还设置有氢源电解液的进口。而且，铝的来源广泛，氢气的获取变得简便快捷而高效，且燃料电池的设计简单易行，填补了液态金属自动产氢燃料电池的空白，灵活度和安全性极高，具有广阔的应用前景。
一种液态金属燃料电池

[发明专利]一种显示屏制作方法及AMOLED显示屏-CN201810083885.4有效
发明人：马鑫兰;许帅;朱杰;刘海崔;王月文;胡君文;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该显示屏制作方法，包括：在基板上形成缓冲层和多晶硅层；分别形成栅极金属层、存储电容金属层、第一源极漏极金属层、第二源极漏极金属层、平坦化层、阳极层及多个层间绝缘层；其中所述多个层间绝缘层分别位于所述多晶硅层、栅极金属层、存储电容金属层、第一源极漏极金属层、第二源极漏极金属层及平坦化层各层之间，所述阳极层位于所述平坦化层上；其中所述第二源极漏极金属层为整面覆盖的金属层，通过通孔与所述第一源极漏极金属层、多晶硅层和存储电容金属层连接
一种显示屏制作方法 amoled

[实用新型]一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET-CN202222210041.6有效
发明人：张长沙;李昀佶;李佳帅;何佳 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET，包括：第一栅极绝缘层设于碳化硅衬底上侧面；第二栅极绝缘层设于碳化硅衬底下侧面；第一栅极金属层设于第一栅极绝缘层上；第二栅极金属层设于第二栅极绝缘层上；第一N型区设于碳化硅衬底左侧，第一N型区内设有上下对称的第一源区以及第二源区；第二N型区设于所述碳化硅衬底右侧，第二N型区内设有上下对称的第三源区以及第四源区；第一源极金属层连接至第一源区；第二源极金属层连接至第二源区；第一漏极金属层连接至第三源区；以及，第二漏极金属层连接至第四源区，提高器件的电流能力，增加器件驱动能力。
一种提高电流能力对称碳化硅 mosfet

[发明专利]温度非相关的整合电压源与电流源-CN201410148278.3有效
发明人：陈彦渊 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：一种温度非相关的整合电压源与电流源，其电压源电路分支包含串接的至少一金属氧化物半导体晶体管及双极性接面晶体管，其中金属氧化物半导体晶体管折叠耦接至正温度系数电流源，使得流经所述正温度系数电流源的电流镜射至电压源电路分支电流源电路分支包含串接的至少一金属氧化物半导体晶体管及并接的电阻器与双极性接面晶体管，其中金属氧化物半导体晶体管折叠耦接至正温度系数电流源，使得流经正温度系数电流源的电流镜射至电流源电路分支。
温度相关整合电压电流

[发明专利]一种恒流源器件及制造方法-CN200710031759.6有效
发明人：吴纬国 -专利权人：广州南科集成电子有限公司
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该器件包括硅衬底(1)，形成于硅衬底(1)正面的氧化层(6)，位于氧化层(6)正面的漏极金属(2)、源极金属(3)、栅极金属(4)，植入到硅衬底(1)中的P+保护环(50)、N+漏区(52)、N+源区(53)，位于N+源区(53)内的P+衬底区(51)，连接N+漏区(52)与N+源区(53)之间的N-通道区(54)，漏极金属(2)、源极金属(3)分别与N+漏区(52)、N+源区(53)、P+衬底区(51)相连接，源极金属(3)、栅极金属(4)通过连接金属(7)相电连接。该方法包括氧化、光刻、蚀刻、离子注入、高温驱入、沉积金属层等步骤。本发明可广泛应用于电子器件领域。
一种恒流源器件制造方法

[发明专利]一种等离子体浸没离子注入系统-CN201210533994.4有效
发明人：赵丽莉;邹志超;窦伟;李超波 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C30B31/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体浸没离子注入系统，包括：离子注入腔室、进气口、出气口、基片台、射频电源、脉冲电源；其中，所述等离子体浸没离子注入系统还包括：注入源，所述注入源与所述进气口连接，用于给所述离子注入腔室注入金属气体源；加热装置，所述加热装置与所述注入源连接，所述加热装置用于将所述注入源中的单质金属气化，本发明通过利用金属或者金属氧化物在不同温度下的饱和蒸汽压不同的特性，将注入源中的单质金属气化成单质金属气体，进而实现了有效产生金属等离子体
一种等离子体浸没离子注入系统

[发明专利]TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法-CN201880022591.9有效
发明人：美崎克纪 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：TFT基板具有：源极金属层(7)，其包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极、连接到源极电极的源极总线(SL)、以及贴片电极；栅极金属层(3)，其形成在源极金属层上，包含TFT的栅极电极(3G)和连接到栅极电极的栅极总线(GL)；栅极绝缘层(4)，其形成在源极金属层与栅极金属层；以及导电层(19)，其形成在栅极金属层上，在栅极金属层与导电层之间不具有绝缘层。
tft 基板具备扫描天线以及制造方法

[实用新型]一种脉宽可调的快前沿高压脉冲源及脉宽可调的快前沿高压脉冲源系统-CN202121144884.X有效
发明人：谢霖燊;石凌;孙楚昱 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H02M9/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种脉宽可调的快前沿高压脉冲源及脉宽可调的快前沿高压脉冲源系统。其目的是解决现有技术适用范围窄，装配繁琐，费时费力的技术问题。该脉冲源包括金属外筒、输出绝缘筒、金属盖板、输出单元、电容单元、支撑绝缘件输入单元、气缸单元和气嘴；金属外筒同轴套设在输出绝缘筒的外部，金属盖板与金属外筒的另一端螺栓连接；输出单元包括输出金属电极、输出转接金属电极和可伸缩金属电连接件；电容单元包括储能电容地电极金属盘、储能电容和储能电容高压电极金属盘；输出金属电极的端部伸出输出绝缘筒，可伸缩金属电连接件与储能电容地电极金属盘相接触；输出转接金属电极与储能电容均有多个。该脉冲源系统还包括第一气源A、第二气源B和高压电源。
一种可调前沿高压脉冲系统

[发明专利]测量金属通孔电阻的集成电路测试器件及其制造方法-CN200910045824.X有效
发明人：廖淼 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量多层结构中的金属通孔电阻的集成电路测试器件，该测试器件为四端开尔文结构，包括源端正极、源端负极、测试端正极、测试端负极和待测金属通孔，源端正极包括N个依次堆叠的金属层，N为大于等于3的自然数，相邻金属层之间通过金属通孔连接；所述源端正极的最底层金属层延伸部分向上依次堆叠N-2个桥接金属层，所述最底层金属层与最接近底层金属层的桥接金属层通过金属通孔连接，相邻桥接金属层通过金属通孔连接，最上层桥接金属层与连接源端负极的金属层通过被测金属通孔连接；测试端正极连接所述最上层桥接金属层，测试端负极连接所述最下层桥接金属层。
测量金属电阻集成电路测试器件及其制造方法