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[实用新型]编码器与动力源之间的隔热结构-CN201620220869.1有效
发明人：王合平;魏健威;孙月;申春明;孙立强;吴明飞;曲斌;张敏;李俊龙 -专利权人：长春汇通光电技术有限公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H02K11/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种编码器与动力源之间的隔热结构，属于编码器与动力源的连接结构。编码器主体与动力源定子之间有非金属件，所述编码器主体、非金属件、动力源定子通过螺钉固定连接，编码器轴与动力源转子通过非金属转接轴连接在一起、且该编码器轴端与动力源转子轴端间有空隙。优点是结构新颖，编码器轴与动力源转子输出部分采用非金属材料连接，编码器主体与动力源定子部分相连接部分采用非金属材料连接，即编码器与动力源接触及连接部分均采用的是非金属材料，隔绝了动力源的温度传导到编码器
编码器动力之间隔热结构

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202110717059.2在审
发明人：杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：在衬底上形成半导体叠层；在半导体叠层上形成源极金属、漏极金属和栅极金属；在栅极金属上形成介质层；在介质层上形成源场板，源场板位于源极金属和漏极金属之间；可以选择相对介电常数小于5的材料制作保护层，如此，结合保护层在覆盖器件上表面时也会在源场板和漏极金属之间存在，能够通过选择相对介电常数小于5的保护层来降低源场板和漏极金属之间的相对介电常数，从而减小源场板和漏极金属之间的
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种NAND存储器及其制备方法-CN201711097892.1在审
发明人：胡禺石;陶谦;吕震宇;姚兰;肖莉红;陈俊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND存储器，包括硅基板，形成在硅基板上的等级层堆栈，以及垂直贯穿等级层堆栈的NAND串和共源触点，所述共源触点通过硅基板电性连接一个或多个NAND串；所述共源触点由金属硅化物形成，或者由金属硅化物和硅材料形成，或者由金属硅化物和金属钨形成，或者由金属硅化物、硅材料和金属钨形成；所述金属硅化物的应力低于金属钨，能在避免共源触点应力导致的晶圆弯曲变形的同时，维持合适的共源触点电阻。
一种 nand 存储器及其制备方法

[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT显示装置的制作方法-CN201710749034.4在审
发明人：李松杉 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种TFT基板的制作方法及一种TFT显示装置的制作方法，包括步骤提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成源漏极金属层；在所述源漏极金属层上沉积一层光刻胶薄膜，在所述光刻胶薄膜上蚀刻所需的图案；采用BCl3气体除掉所述源漏极金属层表面由于接触空气而产生的金属氧化物；采用Cl2气体和BCl3气体对所述源漏极金属层进行蚀刻。本发明提供了一种TFT基板的制作方法及TFT显示装置的制作方法，通过先单独使用较大流量BCl3气体将源漏极金属层表面的金属氧化物移除，再使用Cl2气体和BCl3气体对源漏极金属层进行蚀刻，能够保证源漏极金属层每个蚀刻区域的蚀刻速度相同，从而大幅度提高源漏极金属层蚀刻后源极和漏极的均一性，进而改善TFT器件的性能。
tft 制作方法显示装置

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202111297050.7在审
发明人：杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该制备方法包括：在衬底上形成半导体叠层；在半导体叠层上形成源极欧姆金属和漏极欧姆金属；在半导体叠层上形成覆盖源极欧姆金属和漏极欧姆金属的种子金属层；在种子金属层上形成光刻胶层，在光刻胶层上形成第一窗口；在第一窗口内沉积Au层；烘烤光刻胶层使光刻胶层收缩，以在Au层和光刻胶层之间形成缝隙；在缝隙和Au层上形成金属阻挡层；去除光刻胶层和露出的种子金属层；在源极欧姆金属和漏极欧姆金属上分别形成源极互连金属和漏极互连金属且在金属阻挡层上形成源场板；源场板与金属阻挡层之间形成有介质层。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]双扩散金属氧化物半导体器件-CN201010601804.9有效
发明人：曹建;赵广艳;高东岳 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种双扩散金属氧化物半导体器件，包括：源区、栅区和漏区；所述源区和栅区表面上分别对应设置有源极金属层和栅极金属层；所述源极金属层的图形与所述栅极金属层的图形不同。本实施例所提供的技术方案中，所述双扩散金属氧化物半导体器件中，源极金属层的图形与栅极金属层的图形不同，因此，后续器件封装制程中的封装设备能够根据图形的不同，实现区分并识别源极金属层和栅极金属层，该方案无需增大源极金属层和栅极金属层之间的距离此外，生产该DMOS器件无需增加专用于区分源极金属层和栅极金属层的工艺步骤，能够简化生产流程，提高生产效率。
扩散金属氧化物半导体器件

[发明专利]根据SOH监测的运行中锂化-CN201811091133.9在审
发明人：罗恩·帕兹;尼尔·凯德姆;多龙·布尔施泰恩;尼尔·巴拉木;尼尔·保尔;丹尼尔·阿罗诺夫 -专利权人：存点有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：提供了系统和方法，其中利用相应袋中的电池堆的电极，原位调节电池堆和锂离子电池中的金属离子的水平。可以通过电连接到电极的袋中的金属离子源电化学地进行金属离子的调节。可以优化金属离子源的位置和形状以产生到电极表面的均匀金属离子移动和有利的SEI形成。金属离子源可以是可拆卸的，或者包括锂源，该锂源用于根据SoH参数在电池运行期间锂化阳极或阴极。金属离子的调节可以在单独的一个或多个电解质储存器中从金属离子源进行，在形成之前或期间循环含金属离子的电解质通过袋中的电池堆。
金属离子源金属离子电池堆袋中锂化电极锂源阴极电解质储存器电解质锂离子电池电化学电极表面均匀金属可拆卸的离子移动原位调节阳极电连接监测电池优化

[发明专利]具有非晶态金属层的金属栅-CN201580051216.3在审
发明人： J·J·徐;Z·王;K·里姆;S·S·宋;C·F·叶 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种特定的半导体器件包括衬底、源极触点、漏极触点和金属栅极。所述衬底包括源极区、漏极区和沟道。所述源极触点耦合到所述源极区。所述漏极触点耦合到所述漏极区。所述金属栅极耦合到所述沟道。所述金属栅极包括非晶态金属层。
具有晶态金属

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111168049.4在审
发明人：杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底和半导体层，半导体层上划分有两个相间隔的有源区，以及位于有源区外围的无源区，在有源区设置有第一源极、漏极和栅极，在无源区设置有源极焊盘、漏极焊盘和栅极焊盘，漏极焊盘与漏极连接，栅极焊盘与栅极连接；在两个有源区上连接设置有第二源极，第二源极包括第一金属部、第二金属部和第三金属部，第一金属部和第三金属部分别连接于两个有源区，第二金属部位于两个有源区之间的无源区；源极焊盘分别与第一源极和第二源极连接，源极焊盘与第二源极共用第二金属部，得到预制器件结构。该半导体器件能够改善因源极测试焊盘设置在芯片边缘而导致的探针分布复杂的问题。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种双层肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法-CN201410428648.9在审
发明人：孙雷;徐浩;张一博;韩静文;王漪;张盛东 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：一种双层源/漏肖特基势垒结构的MOS晶体管，包括半导体衬底、沟道区；下层金属硅化物源区、下层金属硅化物漏区；上层金属硅化物源区、上层金属硅化物漏区；栅介质层和控制栅；其中，沟道区呈长方体状，一侧与上、下两层金属硅化物源区相接，另一侧与上、下两层金属硅化物漏区连接；沟道区位于控制栅和栅介质层的下方；上层源区和上层漏区金属硅化物为低肖特基势垒的同种材料；下层源区和下层漏区金属硅化物为高肖特基势垒的同种材料；上下源漏之间金属硅化物材料不同；上层金属硅化物的厚度小于下次硅化物的厚度。
一种双层肖特基势垒 mos 晶体管及其制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及阵列基板的测量方法-CN201810202808.6在审
发明人：黄乐 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管及阵列基板的测量方法，包括：将薄膜晶体管放置在测量机台上的指定区域；确定并记录所述薄膜晶体管中漏极、源极和栅极的位置；分别采用目标激光除去所述漏极周围栅极金属线与源极金属线上方的钝化层，进而出现裸露栅极金属线与裸露源极金属线；使用三根测量探针分别接触漏极、裸露栅极金属线、裸露源极金属线；完成对所述薄膜晶体管的电学特性测量。本发明通过采用镭射激光除掉源极金属线及栅极金属线上方的钝化层，使得源极金属线与源极探针直接接触、栅极金属线与栅极探针直接接触，进而在电极端子受损的前提下也能完成薄膜晶体管的电学特性测量。
薄膜晶体管栅极金属线源极金属裸露漏极电学特性测量阵列基板钝化层源极测量测量探针电极端子镭射激光目标激光栅极探针测量机除掉探针受损记录

[发明专利]一种显示基板及其制造方法、显示装置-CN202111002703.4在审
发明人：蔡璐;张瑞卿;王强;王旭东;金文强;徐国芳;景国栋;田刚;郭强;王旭;徐东;李春波;刘乐;刘静;李子华 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，所述显示基板包括衬底基板及由靠近所述衬底基板一侧向远离所述衬底基板一侧依次设置的源漏金属层、平坦层和电极层，所述源漏金属层至少包括被所述平坦层覆盖的第一源漏金属图案和未被所述平坦层覆盖的第二源漏金属图案，其中所述电极层包括电极图案及遮挡图案，所述电极图案位于所述平坦层之上；所述遮挡图案直接覆盖于至少部分所述第二源漏金属图案之上，并沿着所述第二源漏金属图案的图案边沿设置。本公开实施例的显示基板及其制造方法、显示装置，能够解决源漏金属图案在电极层刻蚀时出现侧面缺陷而导致不良的技术问题。
一种显示及其制造方法显示装置

[实用新型]一种显示基板及显示装置-CN202122068568.5有效
发明人：蔡璐;张瑞卿;王强;王旭东;金文强;徐国芳;景国栋;田刚;郭强;王旭;徐东;李春波;刘乐;刘静;李子华 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开提供一种显示基板及显示装置，所述显示基板包括衬底基板及由靠近所述衬底基板一侧向远离所述衬底基板一侧依次设置的源漏金属层、平坦层和电极层，所述源漏金属层至少包括被所述平坦层覆盖的第一源漏金属图案和未被所述平坦层覆盖的第二源漏金属图案，其中所述电极层包括电极图案及遮挡图案，所述电极图案位于所述平坦层之上；所述遮挡图案直接覆盖于至少部分所述第二源漏金属图案之上，并沿着所述第二源漏金属图案的图案边沿设置。本公开实施例的显示基板及显示装置，能够解决源漏金属图案在电极层刻蚀时出现侧面缺陷而导致不良的技术问题。
一种显示显示装置

[发明专利]一种沟槽MOS及其把沟槽MOS的体区接出的设计方法-CN201310208368.2在审
发明人：黄泽军;李伟;李伟聪 -专利权人：深圳市锐骏半导体有限公司
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽MOS及其把沟槽MOS的体区接出的设计方法，包括接出金属板以及接出金属板下面的体区的设计，所述体区上设置沟槽、源区、源区接触孔、体区接触孔、栅极接触孔，源区、体区接出面、栅极接触孔依次排布，源区接触孔设置在源区上，体区接触孔设置在体区接出面上；所述接出金属板划分为栅极金属板、源区金属板、体区电极金属板。设计步骤：缩小源区的面积，形成新的源区面，留出体接出面；确定体接出面积；在体接出面上增加体接触孔；在体接触孔上连接体接出金属板。本发明的提出，实现了对体单独施加电压，能实现电调效果。
一种沟槽 mos 及其体区接出设计方法

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制备方法-CN202210117144.X有效
发明人：许建华;乐伶聪;杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体外延层、源极、漏极、栅极和源场板，源场板的一端设置有第一欧姆金属，在半导体外延层上还形成有第一电阻区，由非金属构成，并具有导电性，第一欧姆金属与源极通过第一电阻区电学连接。相较于现有技术，本发明通过设置第一欧姆金属，第一欧姆金属与源极通过第一电阻区电学连接，从而实现了源场板和源极之间的电学连接，无需额外设置连接金属桥结构，避免了连接金属桥部分产生栅极‑源极寄生电容，同时使得介质层覆盖能够更加完整
半导体器件制备方法