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[发明专利]一种消防救援髋关节助力外骨骼机器人-CN202310593216.2在审
发明人：刘凯旋;张震宇;李昀佶;宁业衍;甘文萱;蔡君;刘建文;许栋来 -专利权人：上海微电机研究所（中国电子科技集团公司第二十一研究所）
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B25J9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种消防救援髋关节助力外骨骼机器人，包括外骨骼结构本体和绑缚系统；该外骨骼结构本体包括背部模块、腰部模块、动力模块和腿部模块；该背部模块底部两侧各与一个腰部模块连接；各腰部模块侧面与一个动力模块连接，各动力模块底部与一个腿部模块连接；该背部模块远离人体的侧面底部与空气呼吸器的瓶口一端铰接，该空气呼吸器套设有空气呼吸器绑带，该空气呼吸器绑带固定于该背部模块；该绑缚系统包括腿部绑带、腰部绑带和背带；本发明实施例提供的外骨骼机器人,可以避免消防空气呼吸器与外骨骼装置背部空间的干涉，实现人体与设备的协调运动。
一种消防救援髋关节助力骨骼机器人

[实用新型]一种提高耐压的横向沟槽型碳化硅MOSFET-CN202223502028.4有效
发明人： 李昀佶;周海;何佳;单体玮 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种提高耐压的横向沟槽型碳化硅MOSFET，包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底上设有沟槽，所述沟槽内设有绝缘层，所述绝缘层内设有多晶硅层；所述碳化硅衬底上设有漏区以及源区，所述漏区连接至所述绝缘层，所述源区连接至所述绝缘层；漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述漏区；源极金属层，所述源极金属层连接至所述源区；以及，栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述多晶硅层结构简单，制造工艺也简单，成本较低，有效控制器件成本的情况下，可以在100‑650V电压领域完成碳化硅器件的应用市场拓展。
一种提高耐压横向沟槽碳化硅 mosfet

[发明专利]一种无源上肢外骨骼机器人-CN202310307378.5在审
发明人：宁业衍;高哲;刘凯旋;张震宇;李昀佶;蔡君;刘建文;王春雷;范春辉;杨亚 -专利权人：上海微电机研究所（中国电子科技集团公司第二十一研究所）
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B25J9/00 文献下载
摘要：本发明涉及外骨骼机器人技术领域，公开了一种无源上肢外骨骼机器人，该无源上肢外骨骼机器人包括背部支撑架和两个适配于胳膊的手臂助力支撑架；每个手臂助力支撑架包括依次连接的肩部支撑架、大臂支撑架和小臂支撑架；肩部支撑架包括第一结构件和第二结构件，第一结构件与背部支撑架绕第一轴线转动连接；第二结构件与第一构件之间绕第二轴线转动连接；大臂支撑架与第二构件之间绕第三轴线转动连接，大臂支撑架与第二结构件之间设有第一助力组件；小臂支撑架与大臂支撑架绕第四轴线转动连接，小臂支撑架与大臂支撑架之间设有第二助力组件。该无源上肢外骨骼机器人能提升与人体的耦合性，提高活动柔顺性；能独立对大臂和小臂助力，提升助力效果。
一种无源上肢骨骼机器人

[发明专利]用于髋关节助力外骨骼机器人的腿杆装置-CN202310388422.X在审
发明人：蔡君;张震宇;李昀佶;黄浩;宁业衍;刘建文;刘凯旋;许栋来;王春雷 -专利权人：上海微电机研究所（中国电子科技集团公司第二十一研究所）
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B25J9/00 文献下载
摘要：本发明涉及助力机器人技术领域，具体提供一种用于髋关节助力外骨骼机器人的腿杆装置，腿杆装置包括腿杆本体、腿部绑缚模块、便捷拆装模块；便捷拆装模块包括腿部支撑板、卡接轮和卡齿组件，其中：腿部支撑板设置在腿部绑缚模块与人体腿部前侧相对的位置上；卡接轮绕第一轴线转动地设置在支撑板上，卡接轮内部形成有多齿卡接槽、且多齿卡接槽内设有朝向第一轴线凸起的啮合齿；卡齿组件设有可自卡齿组件的外周面凸出的卡齿结构，卡齿结构与啮合齿啮合，卡齿结构设置成可相对于支撑板沿人体腿部的长度方向伸缩的结构；通过卡齿组件的周向多齿与卡接轮啮合避免了连接松动，且可伸缩性以及卡接轮的旋转结构能够使其进行轴向位移和内收/外展角度的补偿。
用于髋关节助力骨骼机器人装置

[发明专利]一种上肢搬运辅助装置-CN202310388423.4在审
发明人：蔡君;张震宇;李昀佶;黄浩;宁业衍;刘建文;刘凯旋;许栋来;王春雷 -专利权人：上海微电机研究所（中国电子科技集团公司第二十一研究所）
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B25J9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种上肢搬运辅助装置，包括手部机构、卷收机构以及背部支撑机构。手部机构包括手套部件和吊带部件，吊带部件的第一端与手套部件连接。卷收机构包括转轴、棘轮组件以及调节部件。转轴可绕自身轴线旋转地安装于背部支撑机构。吊带部件的第二端与转轴连接，以使转轴转动时实现对吊带部件的卷收。转轴的一端连接至棘轮组件，棘轮组件相对于转轴具有第一姿态和第二姿态，第一姿态和第二姿态分别限制转轴绕其自身轴线向两个相反的方向单向转动。调节部件用于与棘轮组件配合，调节部件动作时能够调节棘轮组件在第一姿态和第二姿态之间切换。本发明具有适用的使用环境广泛、使用时舒适性好的优点。
一种上肢搬运辅助装置

[发明专利]零件尺寸自动化检测装置及方法-CN202211329899.2在审
发明人：宁业衍;李昀佶;张震宇;王春雷;范春辉;黄浩;许栋来 -专利权人：上海微电机研究所（中国电子科技集团公司第二十一研究所）
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明公开一种零件尺寸自动化检测装置及方法，涉及光学检测技术领域，其中装置包括：直线滑台，设置有滑块，滑块固定有第一电动角位移台沿第一方向往复运动，第一电动角位移台固定有第二电动角位移台在第一角度范围内绕第一方向偏转，第二电动角位移台固定有旋转台在第二角度范围内绕第二方向偏转，旋转台用于固定待检测零件且绕第三方向转动，第一方向、第二方向以及第三方向相互垂直；激光传感器可调节固定于待检测零件上方，用于对待检零件进行三维点云数据采集；上位机电性连接控制上述各结构，获取给出检测结果并控制分拣机械手分拣待检测零件。本发明可以提高零件自动化检测的准确度，满足工业生产高效化、智能化的产业链需求。
零件尺寸自动化检测装置方法

[发明专利]一种髋关节助力外骨骼-CN202211485991.8在审
发明人：张震宇;王春雷;黄浩;李昀佶;宁业衍 -专利权人：上海微电机研究所（中国电子科技集团公司第二十一研究所）
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B25J9/00 文献下载
摘要：本发明涉及助力外骨骼领域，公开了一种髋关节助力外骨骼，包括：一个背部支撑杆、两个腰部支撑杆和两个大腿杆；背部支撑杆、腰部支撑杆和大腿杆均为刚性杆；腰部支撑杆的第一端与背部支撑杆的第一端固定连接，腰部支撑杆的第二端设有关节驱动模组，关节驱动模组用于穿戴于使用者的髋关节处；关节驱动模组包括固定端以及输出端；固定端与腰部支撑杆的第二端固定连接，输出端能够绕其自身轴线相对于固定端旋转、且与大腿杆的第一端固定连接；这种髋关节助力外骨骼的结构简单紧凑、使用者穿戴方便、且能够提供行走助力和搬运助力的双重效果。
一种髋关节助力骨骼

[发明专利]一种集成肖特基的碳化硅UMOSFET的制造方法-CN202310104836.5在审
发明人： 李昀佶;张长沙;李佳帅;何佳 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成肖特基的碳化硅UMOSFET的制造方法，包括：在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成掩蔽层；重新形成阻挡层，并对阻挡层和漂移层进行蚀刻形成沟槽；氧化所述沟槽，形成绝缘层；在绝缘层内淀积，形成栅极；重新形成阻挡层，蚀刻，离子注入，形成源区；重新形成阻挡层，蚀刻，淀积金属，形成肖特基金属层；重新形成阻挡层，蚀刻，淀积金属，形成源极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，对栅极淀积金属，形成栅极金属层；清除阻挡层，对碳化硅衬底淀积金属，形成漏极金属层；降低该部分的栅极电场强度，解决栅击穿问题，优化反向恢复特性和续流特性。
一种集成肖特基碳化硅 umosfet 制造方法

[发明专利]一种外骨骼机器人的腿部机构-CN202111233927.6有效
发明人：芮岳峰;黄显道;黄浩;蔡沂恒;杨亚;王春雷;范春辉;马保平;李昀佶;张震宇 -专利权人：上海微电机研究所（中国电子科技集团公司第二十一研究所）
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B25J9/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种外骨骼机器人的腿部机构，包括：第一驱动轮与第二驱动轮，分别安装在第一减速电机组件输出端和第二减速电机组件输出端；第一从动轮与第二从动轮均通过膝关节转轴转动安装于腿部的膝关节处，并均与小腿固定连接；第一减速电机组件与第二减速电机组件的输出方向同向且扭矩相同时，大腿绕髋关节转轴摆动，第一减速电机组件与第二减速电机组件的输出方向反向且扭矩相同时，小腿绕膝关节转轴摆动，第一减速电机组件与第二减速电机组件的输出方向反向/同向，且扭矩不相同时，大腿和小腿同时摆动。本申请可以选用较小的输出扭矩和输出功率的电机就可实现负载的驱动，不仅可以充分发挥电机性能，使系统具有较好的过载能力。
一种骨骼机器人腿部机构

[外观设计]膝关节助力外骨骼-CN202230393572.6有效
发明人：毛政中;芮岳峰;张震宇;黄浩;黄显道;李昀佶;王春雷 -专利权人：上海微电机研究所(中国电子科技集团公司第二十一研究所)
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： 24-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：膝关节助力外骨骼。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于对穿戴者膝关节进行助力的外骨骼机器人，提升佩戴者的行动能力。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：组件1立体图1。
膝关节助力骨骼

[外观设计]柔性膝关节助力外骨骼-CN202230393574.5有效
发明人：毛政中;芮岳峰;张震宇;黄浩;黄显道;李昀佶;王春雷 -专利权人：上海微电机研究所(中国电子科技集团公司第二十一研究所)
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： 24-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：柔性膝关节助力外骨骼。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于对穿戴者髋关节、膝关节进行助力，提升佩戴者的行动能力。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
柔性膝关节助力骨骼

[发明专利]一种仿生外骨骼脊柱装置-CN202211305526.1在审
发明人：宁业衍;李昀佶;张震宇;王春雷;范春辉;黄浩;许栋来 -专利权人：上海微电机研究所（中国电子科技集团公司第二十一研究所）
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B25J9/00 文献下载
摘要：本发明涉及仿生骨骼技术领域，公开了一种仿生外骨骼脊柱装置，包括：背部支撑结构、仿生脊柱和腰部支撑结构；仿生脊柱包括首尾相接的五段子柱，子柱为刚性材质、且每段子柱能够绕自身的旋转轴线相对于另一段子柱进行旋转，以令仿生脊柱整体能够模拟人体脊柱的弯曲和挺直动作，从而满足了弯腰搬运状态下人体各关节的活动需求；又由于每段子柱均为刚性材质，即使在仿生脊柱随人体脊柱曲线弯曲时，每段子柱也能够对使用者提供充足支撑力。
一种仿生骨骼脊柱装置

[发明专利]一种弯腰搬运用外骨骼的助力效果分析方法-CN202211358530.4在审
发明人：宁业衍;李昀佶;张震宇;王春雷;范春辉;黄浩;许栋来 -专利权人：上海微电机研究所（中国电子科技集团公司第二十一研究所）
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B25J9/00 文献下载
摘要：本发明涉及仿生外骨骼领域，公开了一种弯腰搬运用外骨骼的助力效果分析方法，包括：在使用者处于相同的设定状况时，分别在使用者未穿戴外骨骼、使用者穿戴外骨骼且外骨骼处于非助力状态、以及使用者穿戴外骨骼且外骨骼处于助力状态这三种情况下，对使用者腰椎受到的力进行受力分析；通过受力分析获取第一受力、第二受力和第三受力的值；判断第一受力与第三受力的大小，以及第二受力与第三受力的大小；若第三受力小于第一受力、且第三受力小于第二受力，则外骨骼的助力效果满足使用者的助力需求；若第三受力大于等于第一受力、或第三受力大于等于第二受力，则外骨骼的助力效果无法满足使用者的助力需求。
一种弯腰运用骨骼助力效果分析方法

[发明专利]提高耐压的横向沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法-CN202211646425.0在审
发明人： 李昀佶;周海;何佳;单体玮 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高耐压的横向沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法，在碳化硅衬底上形成阻挡层，蚀刻形成沟槽；对沟槽进行氧化形成绝缘层；形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻，淀积，形成多晶硅层；形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻、离子注入，形成源区和漏区；形成阻挡层，蚀刻形成栅极区域，对栅极区域进行氧化形成栅极氧化层；形成阻挡层，蚀刻，淀积金属，形成源极金属层和漏极金属层；在碳化硅衬底上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，对栅极氧化层刻蚀到多晶硅层；进行金属淀积，形成栅极金属层，并清除所有阻挡层；结构简单，制造工艺也简单，成本较低，有效控制器件成本的情况下，在100‑650V电压领域完成碳化硅器件的应用市场拓展。
提高耐压横向沟槽碳化硅 mosfet 制造方法

[实用新型]一种低体二极管正向导通压降的沟槽型碳化硅MOSFET-CN202222053743.8有效
发明人： 李昀佶;张长沙;周海 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低体二极管正向导通压降的沟槽型碳化硅MOSFET包括：漂移层设于所述碳化硅衬底上侧面，多晶硅源区设于第二掩蔽层上，且多晶硅源区下部侧壁连接至漂移层；栅极绝缘层为凹字型，栅极绝缘层底部连接至第一掩蔽层，栅极绝缘层下部侧壁连接至漂移层；栅极多晶硅层设于栅极绝缘层上；第一夹断区底部连接至漂移层，且第一夹断区侧壁连接至多晶硅源区的一侧壁；第二夹断区底部连接至漂移层，第二夹断区一侧壁连接至多晶硅源区的另一侧壁，第二夹断区的另一侧壁连接至栅极绝缘层的侧壁；源极金属层底部连接多晶硅源区；栅极金属层底部连接栅极多晶硅层；漏极金属层连接至碳化硅衬底的下侧面，降低源极到漏极的体二极管压降。
一种二极管向导通压降沟槽碳化硅 mosfet

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