“成会明”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果549个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于石墨烯插入层降低暗电流的高性能Au／Gr／Ge光电探测器及构筑方法-CN202210352014.4在审
发明人：刘驰;蒋海燕;李波;孙东明;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测器的研发与应用领域，具体为一种基于石墨烯插入层降低暗电流的高性能Au/Gr/Ge光电探测器及构筑方法。该光电探测器包括顶部金属电极、晶圆级石墨烯插入层、Ge衬底，Ge衬底的顶部依次设置晶圆级石墨烯插入层和顶部金属电极，与晶圆级石墨烯插入层接触的顶部金属电极为金/钛/金的叠层复合结构。在本发明中，通过在Ge和金属电极之间插入石墨烯层，成功减弱了费米能级钉扎效应，使得肖特基结势垒高度得到明显提高，从而暗电流下降至1.6mA/cm2，光电探测器的响应度达到1.82A/W，这种高性能的光电探测器非常有望应用于光通信等领域，发挥其独特的优势。
基于石墨插入降低电流性能 au gr ge 光电探测器构筑方法

[发明专利]一种正极催化剂、制备方法、及锌空气电池-CN202310849566.0在审
发明人：韩翠平;齐佳伟;李欢;许敏炜;成会明 -专利权人：深圳理工大学（筹）;中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本申请提供的正极催化剂及其制备方法，将质量比为1：5‑7：6‑8的水合醋酸金属化合物、1,10‑菲罗琳和XC‑72R商业炭黑进行超声溶解；将超声溶解的混合溶液进行湿法球磨，并将所述湿法球磨后的物料烘干处理；将烘干后的物料在惰性气氛下以1‑10℃/min的升温速率于500‑700℃碳化1‑3h得到碳化后的反应物；将所述反应物经酸洗、过滤、水洗、烘干得到钴氮碳正极催化剂，本申请合成的催化剂使用非贵金属钴、铜等元素替代商业催化剂中的贵金属元素，合成的催化剂成本低，具有规模化合成价值；通过湿法球磨协助的金属原子螯合策略制备，吡啶氮与石墨氮物种能够协同促进钴氮位点的反应活性，该催化剂具有氧还原/氧析出反应双功能催化活性，可用于锌空气电池的制备。
一种正极催化剂制备方法空气电池

[发明专利]一种微电子封装混合焊料凸点结构及电镀制备方法-CN202310845046.2在审
发明人：祝清省;赵科涵;刘畅;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及微电子高密度封装互连技术领域，具体为一种微电子封装混合焊料凸点结构及电镀制备方法。该凸点结构为纯锡/锡铋合金混合结构，具有更低的钎焊回流温度、良好润湿性、可焊性以及能够抑制晶须生长等优势。该电镀制备方法包括：在带有导电籽晶层的基体上，利用光刻方法在光刻胶干膜中制备出柱形孔腔；先在孔腔内自底向上电镀沉积生长纯锡，然后再继续电镀沉积生长锡铋合金；通过有机溶剂去除光刻胶，形成纯锡/锡铋合金柱状凸点阵列；在140～200℃温度钎焊回流后，形成柱状纯锡/帽状锡铋的凸点结构。该混合焊料凸点可应用于BGA、Flip‑chip等形式的微电子互连工艺，这种混合凸点不仅适合晶圆级电镀制备，也可在陶瓷、塑料、玻璃基板表面电镀制备。
一种微电子封装混合焊料结构电镀制备方法

[发明专利]共轭有机材料BQBQ-COF、制备方法、正极材料、制备方法及应用-CN202310844132.1在审
发明人：韩翠平;李美霖;李森林;许敏炜;成会明 -专利权人：深圳理工大学（筹）;中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C08G73/06 文献下载
摘要：本申请提供的共轭有机材料BQBQ‑COF，采用2,3,6,7,10,11‑六羟基三亚苯水合物和2,3,5,6‑四(氨基)对苯醌在有机溶剂中冷凝回流的方法，通过有机分子在乙酸溶液中脱水缩合后，得到高度共轭的具有多活性位点的有机物BQBQ‑COF，本申请通过聚合反应引入了丰富的活性位点，形成的共轭框架抑制了有机材料在水中的溶解，同时增强材料的电子传导能力，有效提升了有机电极材料的倍率性能和长循环稳定性。另外，本申请还提供了一种共轭有机材料BQBQ‑COF的制备方法、正极材料、制备方法及应用。
共轭有机材料 bqbq cof 制备方法正极应用

[发明专利]用于电催化CO2-CN202310905336.1在审
发明人：张小龙;董盈君;熊菊霞;成会明 -专利权人：深圳先进技术研究院;招商局投资发展有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C25B11/032 文献下载
摘要：本申请提供的用于电催化CO2还原制CO的气相扩散电极的制备方法，将摩尔比为100:1～1:100的导电聚合物单体溶液与金属盐溶液混合并加入分散剂形成混合溶液，将混合溶液转移至基底上，在‑30℃‑50℃温度下反应1‑48h，获得气相扩散电极，本申请通过金属离子自引发导电聚合物单体原位生长的方法，形成了金属‑导电聚合物相扩散电极，由于导电聚合物的特性，该气相扩散电极可以提供较多的成核位点，在达到相似催化效果的同时，减少金属的使用量；其次，导电聚合物特殊的结构提高了电子的转移速率和电极表面CO2的吸附量，有利于提高产物选择性；最后，导电聚合物为有机大分子长链结构，可以通过交联来稳定其结合的基底、金属颗粒和金属‑配体络合物，提高电极的稳定性。
用于电催化 co base sub

[发明专利]一种六方氮化硼薄膜的超快制备方法-CN202210573345.0有效
发明人：任文才;周天亚;徐川;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明涉及六方氮化硼薄膜制备领域，具体为一种六方氮化硼薄膜的超快制备方法，适于六方氮化硼薄膜的高效制备。本发明通过将高温的金属硼化物基体在液氮中快速冷却(淬火)，在淬火过程中液氮被催化裂解为活性的氮原子，然后与基体表面的硼原子反应生长出六方氮化硼薄膜。本发明制备工艺简单，效率高，成本低，可控性好，可批量制备六方氮化硼薄膜，为六方氮化硼薄膜在电子器件、防腐与耐磨涂层、热管理以及离子输运等领域的应用奠定了基础。
一种氮化薄膜制备方法

[发明专利]高碘载量碳材料复合正极、水系锌离子碘二次电池及制备方法-CN202310838190.3在审
发明人：韩翠平;郭颂德;李森林;成会明 -专利权人：深圳理工大学（筹）;中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：本申请提供的高碘载量碳材料复合正极及制备方法，将活性炭、导电碳和粘结剂混合形成浆膏状，将所述浆膏状成型于集流体上，并于50‑100℃温度下鼓风干燥1‑12h，得到复合碳材料正极片；采用电沉积碘的方法将碘负载在所述复合碳材料正极片上，将电沉积后的所述复合碳材料正极片于40‑60℃的条件下鼓风干燥12‑48h，得到高碘载量碳材料复合正极，本申请使用活性炭丰富的微孔结构可以很好的吸附碘活性物质，实现高载量，减少其发生穿梭而引起容量衰减；使用电沉积的方法进行电活性物质的负载，碘活性物质可以很好的进入活性炭宿主材料的空隙中，因此可以进一步提升载量。另外，本申请还提供了包括高碘载量碳材料复合正极的水系锌离子碘二次电池。
高碘载量碳材料复合正极水系离子二次电池制备方法

[发明专利]一种制备金属助催化剂和钙钛矿金属氧化物共晶格外延生长的方法-CN202210352013.X有效
发明人：刘岗;杜培培;朱华泽;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B01J23/58 文献下载
摘要：本发明涉及负载型催化材料制备领域，具体为一种制备金属助催化剂和钙钛矿金属氧化物共晶格外延生长的方法。选择合适的钙钛矿材料作为基体负载贵金属颗粒，通过特定气氛中热处理，实现贵金属与基体以共晶格的外延界面相结合的方法，解决目前负载型贵金属催化剂面临的贵金属与基体界面电荷转移势垒高、金属‑载体相互协同效应弱等难题。根据目标金属的晶格参数，选用合适的钙钛矿型金属氧化物载体，通过浸渍法负载贵金属前驱体，然后经过控制气氛下的热处理，得到贵金属颗粒和金属氧化物基体共晶格外延生长的材料。本发明所采用的制备工艺简单、方法简便、操作过程参数易控制，所制备的催化剂应用场景不受限制，在催化领域具有广阔的应用前景。
一种制备金属催化剂钙钛矿氧化物晶格外延生长方法

[发明专利]一种基于碳纳米管插入层减弱金属/锗费米能级钉扎效应的异质结及其制作方法-CN202210295705.5在审
发明人：刘驰;魏玉宁;孙东明;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明涉及新型半导体器件的研发与应用领域，具体为一种基于碳纳米管插入层减弱金属/锗费米能级钉扎效应的异质结及其制作方法。该异质结是由顶部金属电极、碳纳米管薄膜插入层、锗衬底组成，锗衬底的顶部依次设置碳纳米管薄膜插入层和顶部金属电极，与碳纳米管薄膜插入层接触的顶部金属电极为铝/钛/金自下而上的叠层复合结构。本发明采用插入导电碳纳米管薄膜层的方法来缓解费米能级钉扎效应，网状的碳纳米管导电层有助于消除肖特基势垒高度，而且不会引入较大电阻，从而使金属与轻掺杂n‑Ge之间实现较小的的接触电阻。同时，这一工作为费米能级钉扎的调制和理解提供一种新的方式，有助于提升以新型材料为沟道的晶体管性能。
一种基于纳米插入减弱金属费米能级效应异质结及其制作方法

[发明专利]一种制备FeNi纳米颗粒和Fe-Nx-CN202310684482.6在审
发明人：侯鹏翔;孟育;刘畅;吴安萍;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：本发明涉及高效金属‑空气电池空气电极催化薄膜制备领域，具体为一种制备FeNi纳米颗粒和Fe‑Nx单原子共修饰单壁碳纳米管催化薄膜的方法。以二茂铁和二茂镍为催化剂前驱体，采用FCCVD法生长残留有FeNi纳米颗粒的自支撑单壁碳纳米管薄膜；将生长的单壁碳纳米管薄膜与FePc共同真空密封在石英管中并加热处理以负载高浓度Fe‑Nx单原子活性位点。本发明将OER和ORR活性位点整合到高质量单壁碳纳米管薄膜网络结构中，不破坏碳纳米管薄膜本征结构，使其成为高效、稳定的一体化双功能催化薄膜，可直接作为可充放锌空电池的空气电极催化层。由此薄膜组装的锌空电池具有较高且稳定的开路电压、高功率密度和优异的循环充放电性能。
一种制备 feni 纳米颗粒 fe base sub

[发明专利]一种多孔碳均匀陶瓷化制备碳化硅基复合材料的方法-CN202211177982.2有效
发明人：汤素芳;赵日达;庞生洋;李建;胡成龙;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B38/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔碳均匀陶瓷化制备碳化硅基复合材料的方法，属于飞行器用热防护材料技术领域。该方法将酚醛树脂、乙二醇及固化剂混合均匀制得前驱体溶液，并将其浸渍入碳或陶瓷纤维预制体中，采用高压辅助相分离与高温固化方法，通过抑制乙二醇的沸腾与游离酚等物质的挥发，促进酚醛树脂更多活性位点参与聚合反应，进而在固化‑碳化后获得具有均匀的纳米孔结构及适宜的孔隙率的多孔碳基熔渗预制体。经1450~1550℃低温渗硅使多孔碳完全转化为碳化硅基体，且该过程产生的体积膨胀可完全填充原有孔道。所得碳化硅基体结构致密，无残碳、残硅，且晶粒细小；同时，引入的液硅在反应过程中被完全消耗，纤维无刻蚀。
一种多孔均匀陶瓷制备碳化硅复合材料方法

[发明专利]一种石墨烯像素电极限域载流子传输及其柔性有源矩阵发光二极管的制备方法-CN202310542958.2在审
发明人：杜金红;张鼎冬;佟博;马来鹏;任文才;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K71/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯像素电极限域载流子传输及其柔性有源矩阵发光二极管的制备方法，属于透明导电膜应用与柔性显示技术领域。利用绝缘性聚合物材料使石墨烯像素电极间绝缘同时提高电荷的垂直注入与输运及其柔性有源矩阵发光二极管的制备方法。首先将不同基体上生长的石墨烯薄膜转移至转印基体上，并对其进行激光刻蚀制备出石墨烯像素电极。然后将石墨烯像素电极矩阵转移至薄膜晶体管阵列上，进而在石墨烯矩阵表面沉积一层超薄的聚合物层。最后，在聚合物改性的石墨烯电极上构建发光二极管，获得有源矩阵发光二极管器件。该方法制备的有源矩阵发光二极管器件具有像素清晰、柔性可弯折，在柔性显示器及智能穿戴设备等领域具有广阔的应用前景。
一种石墨像素极限载流子传输及其柔性有源矩阵发光二极管制备方法

[发明专利]一种用于电催化CO2-CN202310904014.5在审
发明人：张小龙;熊菊霞;董盈君;成会明 -专利权人：深圳先进技术研究院;招商局投资发展有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C25B11/032 文献下载
摘要：本申请提供了用于电催化CO2还原产甲酸的气相扩散电极的制备方法与应用，获取第一混合溶液，获取第二混合溶液，将所述第一混合溶液及所述第二混合溶液均匀混合后涂覆至基底表面，再在‑30℃‑100℃温度下放置1‑48h，得到所述气相扩散电极，上述制备方法，将包括导电聚合物单体、铋或锡基金属组分涂覆到基底表面，形成一体式的导电聚合物‑催化剂/疏水基底复合气相扩散电极，不仅可以增强金属活性组分与基底材料之间的稳固性，同时具有更优异的导电性，更高的比表面积和丰富的表面化学反应位点等特征，有助于反应过程中CO2分子的快速吸附与活化，从而在电催化CO2还原电解池中表现出优异的甲酸催化活性和稳定性。
一种用于电催化 co base sub

[发明专利]一种非层状二维材料及其制备方法与应用-CN202210662427.2有效
发明人：刘碧录;谭隽阳;李晟楠;王经纬;成会明 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C16/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种非层状二维材料及其制备方法与应用。所述制备方法为以包含金属化合物和金属单质的金属源为原料，通过化学气相沉积法制备所述非层状二维材料，在化学气相沉积过程中，所述单质和所述化合物通过归中反应调控金属源的挥发速度，其中，所述金属包括过渡金属。本发明中的制备方法具有可控性好的特点。
一种层状二维材料及其制备方法应用

[发明专利]一种高定向水平排列氮化硼膜的制备方法-CN202310605352.9在审
发明人：范维仁;陈国荣;赖佛阳;丘陵;成会明 -专利权人：佛山（华南）新材料研究院
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高定向水平排列氮化硼膜的制备方法，包括以下步骤：使用氮化硼粉末作为原料以制备浆料；将所制备的浆料涂布于离型膜上，得到薄膜；对薄膜进行压缩处理；重复多次上述涂布、压缩处理步骤，得到预处理薄膜；对预处理薄膜进行热压处理，得到高定向水平排列氮化硼膜。本发明通过筛选一定片径大小的氮化硼粉末与涂布厚度匹配，匹配比例为涂布厚度：氮化硼片径＝2‑4：1，使浆料中聚合物固化成型前有更多的氮化硼粉体被水平定向排列，经过多次涂布压缩及热压处理，得到高定向水平排列的氮化硼膜，从而提高其平面导热性能及介电性能；解决传统方式能耗大、难以规模化生产及一次涂布压缩成型的氮化硼片层水平定向排列程度低的问题。
一种定向水平排列氮化制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 549 条