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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置-CN201510004067.7有效
发明人：刘威;姜春生;辛龙宝 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括：栅金属层、栅绝缘层、有源层以及源漏金属层，其中，栅金属层包括栅极，源漏金属层包括源极和漏极；源漏金属层由包含铜的导电材料形成，薄膜晶体管还包括位于有源层与源漏金属层之间的扩散阻挡层，扩散阻挡层包括与源极位置对应的源极阻挡部以及与漏极位置对应的漏极阻挡部；扩散阻挡层由包含钼的导电材料形成，且从靠近源漏金属层的一侧到靠近有源层的一侧，扩散阻挡层中掺杂有不同浓度的氮。
薄膜晶体管扩散阻挡层源漏金属层显示装置阵列基板源层导电材料栅金属层漏极源极阻挡场效应晶体管漏极位置漏金属层源极位置栅绝缘层靠近源铜扩散制作掺杂

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201711386250.3有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在第一接触孔底部暴露出的衬底中形成第一源漏掺杂层，第一源漏掺杂层中具有第一掺杂离子；在第一源漏掺杂层表面形成第一金属化物；形成第一金属化物之后，在第二区域介质层中形成第二接触孔，第二接触孔底部暴露出所述衬底；在第二接触孔底部暴露出的衬底中形成第二源漏掺杂层，第二源漏掺杂层中具有第二掺杂离子，第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；在第二源漏掺杂层表面形成第二金属化物，第二金属化物与所述第一金属化物的材料不相同形成方法能够降低第一金属化物与第一源漏掺杂层之间的接触电阻，同时降低第二金属化物与第二源漏掺杂层之间的接触电阻。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种蒸发速率可控的电子束蒸发源-CN201720229355.7有效
发明人：徐永兵;何亮;刘文卿;赖柏霖 -专利权人：南京大学
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：超高真空系统中的电子束蒸发源，包括棒状金属源材料即金属源棒、正高压电源、遮板(8)和生长速率计(9)的组合体、离子收集片(7)、灯丝(5)、定位孔柱(4)、金属源棒(3)外围为冷却水罩(6)，灯丝支架的金属柱(1)以及线性驱动器(2)，正高压电源施加金属源棒正高压，阴极灯丝发射的热电子；金属源棒被热电子轰击加热到足够高的温度后以非常低的速率发射出金属源原子束成为蒸发源，蒸发源上设有一个遮板(8)，在停止蒸发的时候遮挡蒸发束，遮板上设有一个同心孔，在遮板打开薄膜生长的时候让蒸发束通过；定位孔柱来活络限定源棒在轴向的进动，并使源棒在调整位置的时候也始终在蒸发源竖直中心上，蒸发源发射路径上有一个离子收集片。
一种蒸发速率可控电子束

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201510215854.6有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供具有鳍部的半导体衬底；形成横跨鳍部的栅极结构；在栅极结构两侧的鳍部表面形成源极材料层和漏极材料层；在半导体衬底、栅极结构、源极材料层和漏极材料层上形成第一介质层；在第一介质层内形成底部露出源极材料层的第一源极通孔和底部露出漏极材料层的第一漏极通孔；在第一源极通孔底部的源极材料层上形成第一金属层；在第一漏极通孔底部的漏极材料层上形成第二金属层；对第一金属层下的源极材料层和第二金属层下的漏极材料层进行势垒降低离子注入；对第一金属层和第二金属层进行第一退火处理，分别形成源极金属硅化物层和漏极金属硅化物层。
晶体管形成方法

[发明专利]能引出高束流金属离子的冷阴极潘宁离子源-CN200910242350.8无效
发明人：徐嘉东;李建明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种能引出高束流金属离子的冷阴极潘宁离子源，该潘宁离子源的上阴极是一圆柱体，下阴极是一个带有圆孔的圆片，其制造材料是与引出金属离子同种的金属材料。这不仅可使离子源引出高熔点金属离子，还可以引出高束流的金属离子。这种改进的离子源的最大特点是结构简单，操作方便。
引出流金离子阴极离子源

[发明专利]GaN HEMT半导体器件及其制备方法-CN202010672036.X在审
发明人：马飞;冯光建;程明芳 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN HEMT半导体器件及其制备方法，该方法包括：提供GaN HEMT半导体器件薄膜结构；于GaN HEMT半导体器件薄膜结构上形成源电极及漏电极并沉积SiN钝化层；于SiN钝化层内形成自下向上逐渐增大的金属栅电极采用gate‑last工艺并通过形成自下向上逐渐增大的金属栅电极，二次沉积形成源电极和漏电极的电极补充层或源电极和栅场板的电极补充层，从而缩短源电极‑金属栅电极、漏电极‑金属栅电极的距离，降低了源电极、漏电极的接入电阻，提高器件耐压性能，同时由于金属栅电极于源、漏电极之后制备，避免了源漏电极制备工艺对金属栅电极造成损伤，提高了器件性能。
gan hemt 半导体器件及其制备方法

[实用新型]多功能离子束复合处理系统-CN200920199384.9无效
发明人：张高会;李红卫;万向明;武建军;郑顺奇;焦志伟;于明州;周云;黄国青 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多功能离子束复合处理系统，包括真空室、离子注入装置和磁控溅射装置，真空室连接真空泵，离子注入装置安装在真空室上部，真空室内部设有样品台，样品台位于离子注入装置下方；离子注入装置包括气体离子源和金属离子源，磁控溅射装置为磁控溅射靶，磁控溅射靶、气体离子源和金属离子源分别连接电源，金属离子源和磁控溅射靶安装在气体离子源侧部，金属离子源与磁控溅射靶分别连接角度调节装置。本实用新型集离子注入、磁控溅射、金属离子注入于一体，磁控溅射后(或磁控溅射时)既可以注入气体离子，也可以在注入气体离子的时候，还可以外加注入金属离子，从而既提高了沉积速度，又可以增加改性层厚度。
多功能离子束复合处理系统

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201510303519.1在审
发明人：孔祥永 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板包括：衬底、栅金属层、有源层、源漏金属层、像素电极层、以及存储电容区域；在存储电容区域，栅金属层包括栅金属层存储图案、有源层包括有源层存储图案、源漏金属层包括源漏金属层存储图案、像素电极层包括像素电极层存储图案；栅金属层存储图案、有源层存储图案、源漏金属层存储图案和像素电极层存储图案在衬底上的投影至少部分重合，且像素电极层存储图案与栅金属层存储图案电连接构成存储电容的第一电极，有源层存储图案与源漏金属层存储图案电连接构成存储电容的第二电极。
一种阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构-CN202110011382.8在审
发明人：胡盖;黄传伟;夏华秋;诸建周;吕文生 -专利权人：江苏东海半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是降低导通电阻的Trench MOSFET结构，其结构包括衬底层和位于衬底层表面的源区金属层、漏区金属层、栅区金属层；衬底层上方与源区金属层、漏区金属层、栅区金属层之间从下至上依次设有水平N+漏层、N‑漂移区、P型阱区层和N+型源区层；还包括双沟槽结构：槽型多晶硅栅区和槽型场氧；槽型场氧右侧设与水平N+漏层连接的纵向N+漏区；源区金属层、漏区金属层、栅区金属层分别通过接触孔内金属分别与N+型源区层
一种降低通电 trench mosfet 结构

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202310530111.2在审
发明人：林科闯;请求不公布姓名;孙希国;蔡仙清;卢益锋;谷鹏;张辉;王哲力 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；刻蚀磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口，在源极开口和漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属分别与漂移层欧姆接触。在源极金属和漏极金属之间的磁性介质层上形成栅极金属，即磁性介质层位于栅极金属之下，使得磁性介质层能够受栅极金属的电压调控，产生感应电流，形成微导电通道，来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间
一种电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202110729642.5有效
发明人：林科闯;请求不公布姓名;孙希国;蔡仙清;卢益锋;谷鹏;张辉;王哲力 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；刻蚀磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口，在源极开口和漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属分别与漂移层欧姆接触。在源极金属和漏极金属之间的磁性介质层上形成栅极金属，即磁性介质层位于栅极金属之下，使得磁性介质层能够受栅极金属的电压调控，产生感应电流，形成微导电通道，来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间
一种电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]半导体结构-CN201910476359.9在审
发明人：林鑫成;陈志谚;黄嘉庆 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构，包含：衬底、设置于衬底上的栅极结构、位于此栅极结构两侧的源极结构及漏极结构、以及第一介电层。栅极结构包含设置于衬底上的栅极电极以及与此栅极电极电连接并作为栅极场板的栅极金属层。源极结构包含设置于衬底上的源极电极以及与此源极电极电连接并且沿着栅极电极至漏极结构的方向延伸的第一源极金属层。第一介电层设置于栅极金属层上。其中第一源极金属层的电位与栅极金属层的电位不同，并且第一源极金属层至少露出一部分位于栅极金属层正上方的第一介电层。
半导体结构

[发明专利]集成CDSC和隔离NMOS的超结MOSFET器件-CN202210485355.9在审
发明人：姜鹏 -专利权人：无锡紫光微电子有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成CDSC和隔离NMOS的超结MOSFET器件，包括在N型衬底、N型外延层、P型柱、第一P型体区、第一N型源区、第一绝缘介质层、第一源极金属、第一栅极导电多晶硅、第二P型体区、P型环、第二栅极氧化层、P型衬底、第二N型源区、P型接触区、第二源极金属、漏极金属、第二绝缘介质层与第二栅极导电多晶硅；N型衬底引出作为漏极；第一栅极导电多晶硅与第二栅极导电多晶硅引出作为栅极，第一源极金属与第二源极金属相连，肖特基金属与漏极金属相连并引出作为源极。
集成 cdsc 隔离 nmos mosfet 器件

[实用新型]集成CDSC和隔离NMOS的超结MOSFET器件-CN202221061936.1有效
发明人：姜鹏 -专利权人：无锡紫光微电子有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种集成CDSC和隔离NMOS的超结MOSFET器件，包括在N型衬底、N型外延层、P型柱、第一P型体区、第一N型源区、第一绝缘介质层、第一源极金属、第一栅极导电多晶硅、第二P型体区、P型环、第二栅极氧化层、P型衬底、第二N型源区、P型接触区、第二源极金属、漏极金属、第二绝缘介质层与第二栅极导电多晶硅；N型衬底引出作为漏极；第一栅极导电多晶硅与第二栅极导电多晶硅引出作为栅极，第一源极金属与第二源极金属相连，肖特基金属与漏极金属相连并引出作为源极。
集成 cdsc 隔离 nmos mosfet 器件

[实用新型]改性工艺室-CN202222975181.2有效
发明人：李献伟;王怀玉 -专利权人：浙江生波智能装备有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种改性工艺室，应用于卷绕式铜膜真空镀膜设备中，用于通过金属源注入Cu离子，改性工艺室的金属源包括第一金属源和第二金属源，其中，第一金属源位于改性工艺室左侧偏上位置，并用于在柔性PI基材正面形成由Cu离子和PI材料表面原子或分子相结合的改性嵌入层；而第二金属源位于改性工艺室右侧偏下位置，并用于在柔性PI基材背面形成由Cu离子和PI材料表面原子或分子相结合的改性嵌入层。本实用新型实施例，通过双金属源对柔性PI基材的正反两面同时进行改性处理，注入离子直接和材料表面原子或分子结合，形成改性层，可实现CU材和基材之间的嵌入改性，改善应力，提高附着力，为后续能够制备出表面附着力符合要求的真空镀膜设备提供良好的前期准备
改性工艺

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