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[发明专利]基于铝纳米晶浮栅的柔性碳纳米管光电记忆存储器-CN201910325450.0有效
发明人：孙陨;曲庭玉;孙东明;朱钱兵;成会明 -专利权人：辽宁冷芯半导体科技有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本发明涉及柔性碳纳米管光电记忆存储器的研发与应用领域，具体为一种采用铝纳米晶作为浮栅层、氧化生成的氧化铝作为隧穿层的柔性碳纳米管光电记忆存储器及其制作和作为光电传感及记忆存储器件的应用。采用高纯度半导体性碳纳米管薄膜作为沟道材料，利用铝的易氧化特性，构建均匀离散分布的铝纳米晶浮栅/氧化铝隧穿层一体化电荷俘获层，获得高性能柔性碳纳米管浮栅存储器，器件具有高电流开关比和高稳定性，经过两千次机械弯曲之后同时，基于载流子直接隧穿机制，实现柔性碳纳米管光电记忆图像存储器，开辟碳纳米管柔性光图像存储器件领域的新应用。
基于纳米晶浮栅柔性光电记忆存储器

[发明专利]生物传感器及其制作方法-CN201680089091.8在审
发明人：徐挽杰;杨喜超;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：一种生物传感器及其制作方法，该生物传感器包括：底栅(110)；第一电介质层(140)；线隧穿结构，该线隧穿结构由第一半导体层(161)和第二半导体层(162)部分重叠构成；源极(120)和漏极(130)该生物传感器采用采用第一半导体层(161)和第二半导体层(162)重叠构成的线隧穿结构，制作较为容易，由于亚阈值摆幅不受载流子热分布的限制，在室温下可以实现更小的亚阈值摆幅，并且整个重叠区域均是有效信号感测区域
生物传感器半导体层隧穿结构亚阈值摆幅电介质层生物物质灵敏度传感器底栅制作载流子静态工作点选择性探测感测区域有效信号重叠区域热分布探测物漏极源极

[发明专利]半导体结构及其形成方法、半导体器件-CN201911320044.1在审
发明人：刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成隧穿氧化膜，形成隧穿氧化膜的步骤包括：依次形成多个子隧穿氧化膜；形成子隧穿氧化膜的步骤包括：形成初始子隧穿氧化膜；对初始子隧穿氧化膜进行氧化处理，使初始子隧穿氧化膜转化为子隧穿氧化膜本发明实施例依次形成多个子隧穿氧化膜以形成隧穿氧化膜，初始子隧穿氧化膜的厚度较薄，因此，有利于保证初始子隧穿氧化膜在所述氧化处理的过程中能够完全被氧化、并提高氧化处理的均匀性，从而有利于提高氧原子在子隧穿氧化膜中的分布均匀性、改善子隧穿氧化膜材料中的晶格结构，相应提高了隧穿氧化膜的薄膜质量，进而在后续图形化隧穿氧化膜以形成隧穿氧化层后，有利于提升隧穿氧化层的薄膜质量。
半导体结构及其形成方法半导体器件

[发明专利]一种应变量子阱垂直腔面发射激光器及其制备方法和应用-CN202211070845.9在审
发明人：巫江;李妍;任翱博;赵飞云;唐枝婷 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：顶部反射器和底部反射器，所述顶部反射器和底部反射器之间包括顶部空间层(p‑spacer)和底部空间层(n‑spacer)，所述顶部空间层和底部空间层之间设置有第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区之间设置有隧穿结本发明采用双有源区结构，在两个有源区间设计了一个隧穿结结构，使注入的载流子在双有源区在中进行两次光增益，因而输出光功率成倍增加，光电转换效率也随之提高。
一种应变量子垂直发射激光器及其制备方法应用

[发明专利]纳米晶浮栅存储器及其制备方法-CN201110022339.8无效
发明人：刘明;金林;霍宗亮;刘璟;张满红;王琴 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米晶浮栅存储器包括硅衬底；所述硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区；所述源导电区与所述漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层；覆盖在所述隧穿介质层上的纳米晶电荷存储层；覆盖在所述纳米晶电荷存储层上的采用双层材料顺次堆叠并能进行带隙调制的复合阻挡层
纳米晶浮栅存储器及其制备方法

[发明专利]分裂栅型快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法-CN96105549.9无效
发明人：安秉振 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-03-14 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：根据本发明的Split栅型快速EEPROM单元，利用一加到用厚绝缘膜将隧道区与沟道隔离的结构上的高电压，执行编程和擦除操作，此时该单元能防止结区和栅极间的层叠区的强电场引发的带间隧穿和二次热载流子所导致的单元的隧道氧化膜的减薄
分裂快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法

[发明专利]一种负阻式GaN压力传感器及其制备方法-CN201910969075.3在审
发明人：张伟;汤乃云;叶怀宇;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L41/113 文献下载
摘要：首先，本发明利用共振隧穿效应调控量子阱内载流子输运过程以及负阻效应；其次，本发明利用了AlGaN/GaN异质结具有的压电极化效应，通过外部压力改变极化电场，从而使得量子阱内的能级发生改变，达到控制量子阱中载流子的隧穿效率
量子阱选择性刻蚀负阻效应双势垒衬底生长载流子共振隧穿效应能级刻蚀钝化层外延层材料响应灵敏度压力传感器载流子输运淀积金属极化电场刻蚀凹槽刻蚀台面输出电流外部压力外界压力压电极化电极台面电极孔钝化层异质结淀积负阻隧穿制备调控表现

[发明专利]一种冷源结构和冷源结构金属氧化物半导体场效应晶体管-CN202210565204.4在审
发明人：刘飞;张力公 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种冷源结构和冷源结构金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：常规金属、冷金属、第一绝缘掩蔽层和源端；常规金属通过冷金属与源端相连，用于连接外加电压，引入电流；冷金属为附着在第一绝缘掩蔽层和源端上的一薄层，用于过滤常规金属引入的电流中的高能量载流子；第一绝缘掩蔽层在常规金属和源端之间，用于隔开常规金属与源端，防止电流中的电子隧穿至源端。通过将常规金属与源端通过第一绝缘掩蔽层分隔，使用冷金属连接被分隔的常规金属和源端，能够过滤亚阈值区域的高能载流子，同时防止电子从常规金属隧穿至源端，使冷源结构失效，冷源结构可使亚阈值电流在亚阈值区的斜率变陡
一种结构金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310470211.0在审
发明人：毛卫平;金竹;张明明;郭世成;范洵;付少剑;杨阳;叶风;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池的制备方法，包括：在隧穿层下表面制备本征非晶硅薄膜；在所述本征非晶硅薄膜下表面制备氧化硅层作为扩散阻挡层；在扩散阻挡层表面开槽；进行POCl3扩散，在开槽处进行重掺杂，形成第一掺杂多晶硅区域本发明提供的TOPCon电池的制备方法，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅厚度和浓度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种感存算一体的柔性有机存储器及其制备方法-CN202210902941.9在审
发明人：陈琳;李庆轩;王天宇;孟佳琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：该感存算一体的柔性有机存储器包括：具有ITO导电层的柔性衬底；阻挡层，其为有机聚合物介质，形成在ITO导电层上；CsPbBr3量子点俘获层，形成在所述阻挡层上；隧穿层，形成在所述量子点俘获层上；有机半导体层，其为对紫外光敏感的有机半导体材料，形成在所述隧穿层上；顶电极，形成在所述有机半导体层上，通过调控施加的紫外光的参数，调控有机半导体层的光生载流子的数量，从而实现对突触后电流的调制
一种感存算一体柔性有机存储器及其制备方法

[发明专利]纳米粒子材料和光电转换器件-CN201080042595.7有效
发明人：村山浩二 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：另外，空穴输送性表面活性剂(5)具有与量子点(2)的价带发生共振隧穿那样的HOMO能级，电子输送性表面活性剂(6)具有与量子点(2)的导带发生共振隧穿那样的LUMO能级。由此实现载流子的输送效率良好且适用于光电转换器件用途的纳米粒子材料。
纳米粒子材料光电转换器件

[发明专利]一种适用于高能光子探测的隧穿光电二极管及其制备方法-CN202210156298.X在审
发明人：雷威;王昕;宋波;李青;张晓兵;朱卓娅;赵志伟;徐玉冰;潘禹竹;李雨巍 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于高能光子探测的隧穿光电二极管及其制备方法，采用厚度很高的本征钙钛矿晶体作为高能光子吸收体，获得较高的光子吸收和转换效率。当高能光子入射后，钙钛矿本征吸收体产生的光生载流子注入量子点能级陷阱，并发生隧穿场致发射，获得高增益光电流。与常规的高能光子PIN探测结构相比较，由于引入了隧穿场发射结构，可以获得较高的光电流增益。
一种适用于高能光子探测光电二极管及其制备方法

[发明专利]一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法-CN201811278441.2有效
发明人：于威;刘海旭;路万兵;焦玉骁;辛利桃;许贺菊;傅广生 -专利权人：河北大学
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：所述晶硅异质结太阳电池的结构为：金属栅线/透明导电电极/含钼氧硫的空穴引出层/第一隧穿层/硅片/第二隧穿层/电子引出层/金属背电极。base:Sub>Sx/MoO3双层薄膜结构，对于后者，MoO3层应与第一隧穿层接触本发明所制备出来的基于含钼氧硫的空穴引出层的晶硅异质结太阳电池，能有效降低材料的缺陷态密度和载流子表面复合速率，提高电池短路电流和内建电场。
一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制造方法-CN201510564000.9有效
发明人：许高博;殷华湘;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种隧穿场效应晶体管及其制造方法，包括：半导体衬底；沟道区，位于半导体衬底上；栅介质层，位于沟道区上，为具有铁电属性的栅介质层；栅电极层，位于栅介质层上，并与栅介质层形成栅堆叠；源/漏区，具有第一掺杂类型的源区和第二掺杂类型的漏区位于沟道区两侧且嵌入半导体衬底中依照本发明的隧穿FET及其制备方法，通过在袋区形成异质结，从而减小袋区与源区界面处能带间隙，提高载流子的隧穿几率，从而提高晶体管的驱动能力，同时通过采用具有铁电属性的栅介质层，利用铁电栅介质层的表面电势放大作用实现导通电流的进一步提高
场效应晶体管及其制造方法

[实用新型]一种钝化接触N型晶体硅电池及其组件和系统-CN201620362816.3有效
发明人：林建伟;孙玉海;刘志锋;季根华;张育政 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：型晶体硅电池，包括N型晶体硅基体，N型晶体硅基体的正表面包括依次从内到外的p+掺杂区域、正表面钝化减反膜和正面电极，正面电极包括与p+掺杂区域欧姆接触的金属丝；N型晶体硅基体的背表面包括依次从内到外的隧穿氧化层其有益效果是：隧穿氧化层及n+掺杂多晶硅层可以给硅基体提供优良的表面钝化及场钝化，硅基体表面的钝化层没被破坏，载流子可选择性的穿过隧穿氧化层被金属电极收集，具有较高的开路电压、短路电流和转换效率，设置金属丝形成正面电极
一种钝化接触晶体电池及其组件系统

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