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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种刻蚀方法-CN201911382651.0在审
发明人：杨美音;高建峰;罗军;崔岩;许静 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本申请提供一种刻蚀方法，在衬底上从下至上可以依次形成底层电极膜层、固定磁性膜层、隧穿绝缘膜层、自由磁性膜层和顶层电极膜层，分别对顶层电极膜层、自由磁性膜层和隧穿绝缘膜层进行刻蚀，形成顶层电极层、自由磁性层和隧穿绝缘层的堆叠层也就是说，在进行固定磁性模层的刻蚀时，隧穿绝缘层的侧壁已经形成有侧墙，因此不会有金属飞溅到隧穿绝缘层的侧壁上，也不会对隧穿绝缘层造成刻蚀损伤，保证了隧穿绝缘层的结构完整性和功能完整性，因此提高了器件的可靠性
一种刻蚀方法

[发明专利]用于获取进入血管外间隙的途径的医疗工具和方法-CN201980050792.4在审
发明人： G·P·埃伯索尔;K·R·马夸德;K·索曼荪达拉姆;S·Z·马尔奇克;L·R·伦茨;O·迪亚兹-基奥萨;C·斯维塔拉斯基 -专利权人：美敦力公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： A61B17/32 文献下载
摘要：所述工具可以包含手柄和隧穿轴，所述隧穿轴联接到所述手柄。所述隧穿轴从近侧端延伸到远侧端，并且所述隧穿轴的至少一部分在第一端与所述远侧端之间以弯曲朝向延伸。所述隧穿轴的所述远侧端包含具有锐性边缘的切削工具。所述切削工具可从凹入定位移动到展开定位，在所述凹入定位中，所述切削工具的所述锐性边缘凹入到所述隧穿轴的所述远侧端中，在所述展开定位中，所述切削工具的所述锐性边缘延伸超出所述隧穿轴的所述远侧端，以例如用所述锐性边缘切削心包
用于获取进入血管外间途径医疗工具方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010492502.6在审
发明人：陈勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；第一隧穿氧化层，位于所述第一区域的半导体衬底上；第二隧穿氧化层，位于所述第二区域的半导体衬底上，所述第二隧穿氧化层的厚度大于所述第一隧穿氧化层的厚度；浮置栅极，位于所述第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层上。本申请所述的半导体结构及其形成方法，将常规半导体结构中的隧穿氧化层分为厚度不同的两部分，可以同时兼顾闪存器件擦除速度以及应力诱导泄漏电流，即保证擦除速度的同时尽量降低应力诱导泄漏电流。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种磁传感器和电子设备-CN202111360274.8在审
发明人：易立琼;杨泽洲;胡笑鲁;陈少娴 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：其中，所述磁传感器包括印刷电路板和隧穿磁阻元件，该印刷电路板包括目标走线。本申请中，在安装隧穿磁阻元件时，可以让隧穿磁阻元件安装在目标走线的正上方或正下方，且其内部的检测单元与目标走线的距隧穿磁阻元件最近一侧边缘之间的距离D，与目标走线的宽度W之比为3.0％至20.0％之间，实现让隧穿磁阻元件检测目标走线的电流值不随目标走线中电信号的频率变化而变化，或变化很小，使得隧穿磁阻元件可以准确地检测出目标走线中电信号的电流值，从而提高隧穿磁阻元件测量带宽的范围。
一种传感器电子设备

[发明专利]磁阻式随机存取存储器的电路结构与布局结构-CN202110598874.1在审
发明人：吴奕廷;黄正同;王荏滺;谢咏净;杨伯钧;陈健中;李柏昌 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的电路结构与布局结构，其中该磁阻式随机存取存储器电路结构中的存储单元具有依序串联的三个晶体管以及四个磁隧穿结，其中第一晶体管与第三晶体管的连接处为第一结点，第二晶体管与第三晶体管的连接处为第二结点，第一晶体管与第三晶体管的另一端连接到一共同的来源线，第一磁隧穿结与第二磁隧穿结串联构成第一磁隧穿结组且一端连接到第一结点，第三磁隧穿结与第四磁隧穿结串联构成第二磁隧穿结组且一端连接到该第二结点。
磁阻随机存取存储器电路结构布局

[发明专利]具有集成电路元件的半导体结构及其形成和操作的方法-CN200810190331.0有效
发明人：吕函庭;赖二琨 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明揭露一种集成电路元件，包含薄膜晶体管，叠层阵列，且在无接面的NAND组态下采用带隙工程隧穿层。所述集成电路元件包含通道区域，被形成于绝缘层上的半导体主体内；隧穿介电结构，被置于该通道区域上，且隧穿介电结构包含多层结构，又该多层结构包含至少一具有空穴隧穿能障高度层，而该空穴隧穿能障高度小于该层与该通道区域间的界面的空穴隧穿能障高度；电荷储存层，被放置于该隧穿介电结构上；绝缘层，被放置于该电荷储存层上；以及栅极电极，被放置于该绝缘层上。
具有集成电路元件半导体结构及其形成操作方法

[发明专利]穿隧磁阻结构以及集成式3轴向磁场传感器与其制造方法-CN201110261944.0有效
发明人：陈永祥;颜诚廷 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：穿隧磁阻结构以及集成式3轴向磁场传感器与其制造方法。在基板上的穿隧磁阻(TMR)结构，包括具有相同图案和相同磁性薄膜堆栈的两个磁性穿隧接面(MTJ)器件，位于同一导电性底部电极上以及并联连接的导电性顶部电极。每个磁性穿隧接面器件包括：固定层，其位于所述底部电极上、具有固定磁距；非磁性穿隧层，其位于所述固定层上；以及自由层，其位于所述穿隧层上、且具有自由磁距。这两个磁性穿隧接面器件具有共线的易轴，且其固定磁距都平行于同一固定方向，所述同一固定方向与易轴具有45度角；在初始时以电流产生的磁场使其自由磁距平行于所述易轴但方向相互反平行。
磁阻结构以及集成轴向磁场传感器与其制造方法

[发明专利]静电放电保护结构及其形成方法-CN201310224057.5有效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种静电放电保护结构及其形成方法，所述静电放电保护结构包括半导体基片，贯穿所述半导体基片的硅通孔结构，所述硅通孔结构包括第一表面和第二表面；位于所述硅通孔结构的第一表面的隧穿介质层，所述隧穿介质层的面积大于所述硅通孔结构的俯视面积，使得所述隧穿介质层还覆盖硅通孔结构周围的部分半导体基片表面，且所述隧穿介质层内离散分布有金属材料。在未进行静电放电时，利用隧穿介质层使得第一电极和第二电极电学隔离；当静电放电时，由于静电电压很高，使得隧穿介质层内离散分布的金属材料之间发生隧穿效应，第一电极和第二电极导通，利用所述硅通孔结构进行静电放电
静电放电保护结构及其形成方法

[发明专利]一种砷化镓多结太阳电池及制作方法-CN201910423564.9有效
发明人：吴真龙;韩效亚;张策;张海林;王玉 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓多结太阳电池及制作方法，该砷化镓多结太阳电池中，第一隧穿结和所述第二隧穿结的结构相同，通过在n型GaInP层和p型AlGaAs层之间插入一个GaAs薄层，与GaInP层和AlGaAs层相比，GaAs层具有更低的电子有效质量，更高的掺杂效率，因此可以获得更薄的耗尽区宽度和更短的隧穿深度，其相比GaInP层和AlGaAs层更低的带隙也会形成三明治的量子阱结构减少隧穿深度，最终获得更高的峰值隧穿电流密度此外，GaAs层还可以作为过渡层，有效抑制P原子和掺杂剂向AlGaAs层的扩散，可以获得组分陡峭的界面，改善隧穿结的隧穿电流和热稳定性。
一种砷化镓多结太阳电池制作方法

[发明专利]SOI衬底双向击穿保护双栅绝缘隧穿增强晶体管及制造方法-CN201410747360.8在审
发明人：靳晓诗;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI衬底双向击穿保护双栅绝缘隧穿增强晶体管，对比同尺寸MOSFETs或隧穿场效应晶体管，通过在集电结和发射结中引入低杂质浓度的击穿保护区以显著提升器件在深纳米尺度下的耐压的正向及反向耐压能力；在基区两侧同时具有绝缘隧穿结构，在栅电极的控制作用下使绝缘隧穿效应同时发生在基区两侧，提升了隧穿电流的产生率；利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性；通过发射极将隧穿信号增强实现了优秀的正向导通特性；另外本发明还提出了一种SOI衬底双向击穿保护双栅绝缘隧穿增强晶体管的具体制造方法。
soi 衬底双向击穿保护绝缘增强晶体管制造方法

[发明专利]防击穿SOI折叠栅绝缘隧穿双极晶体管及其制造方法-CN201410747246.5有效
发明人：靳晓诗;吴美乐;刘溪;揣荣岩 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种防击穿SOI折叠栅绝缘隧穿双极晶体管，对比同尺寸MOSFETs或隧穿场效应晶体管，通过在集电结和发射结中引入低杂质浓度的击穿保护区以显著提升器件在深纳米尺度下的正反向防击穿能力；在基区两侧和上表面同时具有绝缘隧穿结构，在栅电极的控制作用下使绝缘隧穿效应同时发生在基区两侧和上表面，因此提升了隧穿电流的产生率；利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性；通过发射极将隧穿信号增强实现了优秀的正向导通特性；另外本发明还提出了一种防击穿SOI折叠栅绝缘隧穿双极晶体管单元及其阵列的具体制造方法。
击穿 soi 折叠绝缘双极晶体管及其制造方法

[发明专利]体硅双向击穿保护双栅绝缘隧穿增强晶体管及其制造方法-CN201410746320.1有效
发明人：靳晓诗;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种体硅双向击穿保护双栅绝缘隧穿增强晶体管，对比同尺寸MOSFETs或隧穿场效应晶体管，通过在集电结和发射结中引入低杂质浓度的击穿保护区以显著提升器件在深纳米尺度下的耐压的正向及反向耐压能力；在基区两侧同时具有绝缘隧穿结构，在栅电极的控制作用下使绝缘隧穿效应同时发生在基区两侧，提升了隧穿电流的产生率；利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性；通过发射极将隧穿信号增强实现了优秀的正向导通特性；另外本发明还提出了一种适用于在低成本的体硅晶圆上制造双向击穿保护双栅绝缘隧穿增强晶体管的具体制造方法。
双向击穿保护绝缘增强晶体管及其制造方法

[发明专利]一种锗锡隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201210289255.5有效
发明人：黄如;邱颖鑫 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗锡隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明的锗锡隧穿场效应晶体管包括形成在锗半导体的衬底上的锗锡薄膜层、源区、漏区、沟道区和栅叠层区以及锗半导体的衬底。本发明的锗锡隧穿场效应晶体管制备在锗半导体的衬底上生长的锗锡薄膜层上，其中的锗锡薄膜层中锡的组分是在生长中进行调节，且随着锡的组分增加，锗锡薄膜层的禁带宽度一直减少。锗锡薄膜层的禁带宽度减少使得隧穿宽度减少，隧穿电流明显增加；间接带隙转换为直接带隙（约6%锡）也使得隧穿电流增加，所以锗锡隧穿场效应晶体管可以实现明显地提升驱动电流，从而有效地解决当前隧穿场效应晶体管的驱动电流不足的问题
一种锗锡隧穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种极大磁场测量方法及装置-CN201611019155.5有效
发明人：欧阳勇;何金良;胡军;王善祥;赵根;王中旭;曾嵘;庄池杰;张波;余占清 -专利权人：清华大学;清华四川能源互联网研究院
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明技术要点包括1将四个正交配置的隧穿磁阻电阻放置到外加磁场中，并获取各个隧穿磁阻电阻的阻值；2根据四个隧穿磁阻电阻的阻值计算各隧穿磁阻电阻自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角；3根据第一隧穿磁阻电阻、第三隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H1及方向θ1；根据第二隧穿磁阻电阻、第四隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H2及方向
一种极大磁场测量方法装置

[发明专利]一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法-CN201610272824.3有效
发明人：叶继春;曾俞衡;高平奇;韩灿;廖明墩;王丹;蔡亮 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明提供的太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述钝化隧穿层为氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层中的一种由于氮化硅和氮氧化硅的隧穿势垒较低，本发明钝化隧穿层可以在保证隧穿效率的前提下适当放宽钝化隧穿层的厚度，从而有利于减少钝化隧穿层孔洞，降低漏电流的发生和复合速度，拓宽工艺窗口和提高工艺稳定性。
一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法

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