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[发明专利]阵列基板及制作方法-CN202210231854.5在审
发明人：钟德镇;郑会龙;刘厚锋 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及制作方法，该阵列基板包括：基底；设于基底上的数据线、底栅以及导电部；覆盖数据线、底栅及导电部的第一绝缘层；设于第一绝缘层上的有源层、源极、漏极以及像素电极；设于第一绝缘层上的栅极绝缘层以及设于栅极绝缘层上的扫描线和顶栅，有源层在基底上的投影与顶栅和底栅在基底上投影的交叠区域相对应，底栅通过导电部与扫描线导电连接。通过在有源层上下侧分别设置顶栅和底栅，顶栅和底栅分别可以为有源层遮挡外界环境光和背光，而且顶栅和底栅还可做为屏蔽电极，以避免有源层受到数据信号的干扰，底栅与数据线均采用同一金属层制成，大大简化了制作工艺；另外通过顶栅和底栅同时控制有源层，使得TFT的性能更好。
阵列制作方法

[实用新型]一种自行车筐-CN201520094516.7有效
发明人：张云苓 -专利权人：天津市爱杜自行车有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： B62J9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种自行车筐，包括外筐和内筐；所述外筐包括外筐底和外筐栅；所述外筐底呈圆形；所述外筐栅沿所述外筐底圆周方向匀布在外筐底上方；所述外筐栅的栅杆宽度大于空隙宽度；所述内筐包括内筐底和内筐栅；所述内筐底呈圆形；所述内筐栅沿所述内筐底圆周方向匀布在所述内筐底外侧；所述内筐栅栅杆宽度与外筐栅空隙宽度相应；所述内筐可置于外筐内。外筐连接在车架或者车把上，通常情况下可单独使用；此外，可以根据是否需要筐盖而选择内筐底向下亦或向上置入外筐中，还可以根据是需要透光透气还是需要封闭来选择内筐栅对准外筐栅的栅杆亦或空隙置入；如此排列组合，
一种自行车筐

[发明专利]薄膜晶体管、制作方法、驱动方法及显示面板-CN202111587882.2在审
发明人：王航 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括：基板；底栅电极，设于基板上；底栅绝缘层，底栅绝缘层覆盖底栅电极和基板；金属层，设于底栅绝缘层上；金属氧化物半导体层，卡设于金属层中，且金属氧化物半导体层的一侧与底栅绝缘层接触；顶栅绝缘层，顶栅绝缘层覆盖底栅绝缘层和金属层，且顶栅绝缘层与金属氧化物半导体层的另一侧接触，顶栅绝缘层设有过孔，过孔暴露出金属层的一部分；顶栅电极，设于顶栅绝缘层上。本申请实施例中在金属氧化物半导体层的两侧分别设置第一沟道和第二沟道，底栅电极和顶栅电极交替打开，第一沟道和第二沟道交替使用，可有效减少阈值电压的漂移，使TFT器件的稳定性增加。
薄膜晶体管制作方法驱动方法显示面板

[发明专利]主动元件及其制造方法-CN202111150973.X有效
发明人：范扬顺;黄震铄 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：主动元件包括基板、切换底栅极、驱动底栅极、第一栅绝缘层、切换通道、驱动通道、第二栅绝缘层、切换顶栅极与驱动顶栅极。切换底栅极与驱动底栅极配置于基板上。第一栅绝缘层配置于基板上且覆盖切换底栅极与驱动底栅极。切换通道与驱动通道配置于第一栅绝缘层上。驱动通道具有一低电位端。低电位端电性连接驱动底栅极。第二栅绝缘层配置于第一栅绝缘层上且覆盖切换通道与驱动通道。第二栅绝缘层的厚度大于第一栅绝缘层的厚度。切换顶栅极与驱动顶栅极配置于第二栅绝缘层上。切换顶栅极电性连接切换底栅极。
主动元件及其制造方法

[发明专利]薄膜装置-CN202011540862.5在审
发明人：桑原祐也;竹知和重 -专利权人：天马日本株式会社;武汉天马微电子有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种薄膜装置，包括：第一氧化物半导体薄膜晶体管，包括顶栅电极、第一金属氧化物薄膜以及位于顶栅电极和第一金属氧化物薄膜之间的顶栅绝缘薄膜；第二氧化物半导体薄膜晶体管，包括底栅电极、第二金属氧化物薄膜和位于底栅电极与第二金属氧化物薄膜之间的底栅绝缘薄膜；底栅绝缘层，其包括所述底栅绝缘薄膜；存储电容器，其配置为存储被施加于所述底栅电极的信号电压。
薄膜装置

[发明专利]双栅电极金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法-CN202010524581.4在审
发明人：周星宇 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种双栅电极金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，包括：衬底基板；依次设置在所述衬底基板上的底栅电极、底栅绝缘层、金属氧化物半导体层、钝化层、设置在所述钝化层上的源极、漏极、第一顶栅电极和第二顶栅电极；平坦层以及像素电极层；所述源极、所述漏极、所述第一顶栅电极和所述第二顶栅电极位于同一层，所述第二顶栅电极通过底栅电极接触孔与所述底栅电极相连接。本发明通过将顶栅电极和源漏电极用同一层金属制作，顶栅和底栅讯号联通，形成双栅结构器件，工艺简单，节约了成本。
电极金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种新型铁电晶体管及其制备方法-CN202010233375.8有效
发明人：诸葛福伟;吕亮;翟天佑 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-03-29 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该新型铁电晶体管包括底栅、底部电极、沟道层、铁电介质层和顶栅，其中：底部电极设置在底栅的上方，作为新型铁电晶体管的源极和漏极，沟道层设置在底部电极和底栅的上方，铁电介质层将底部电极和沟道层包覆，以此完成封装，顶栅设置在铁电介质层的上方，并且部分或全部覆盖沟道层。本发明利用顶栅、底栅的电容耦合效应，通过底栅施加电压的方式对顶栅、铁电介质层产生极化效果，无需通过顶栅施加电压，无需预留顶栅电极引脚，有效减小了铁电晶体管集成电路的复杂程度；同时通过调节顶栅面积的大小，能够改变顶栅和底栅的耦合强度，实现不同强度的电荷掺杂。
一种新型晶体管及其制备方法

[发明专利]一种双栅结构的光敏有机场效应晶体管及其制备方法-CN201610021254.0在审
发明人：张璇;唐莹;韦一;彭应全 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供的一种具有双栅结构的光敏有机场效应晶体管及其制备方法，其结构如图1所示，包括顶部栅电极(1)、顶栅绝缘层(2)、有机半导体层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、底栅绝缘层(6)、底部栅电极(7该双栅结构的有机光敏场效应晶体管中，顶部栅电极和底部栅电极可以分别控制晶体管的开启和关闭，也可同时控制晶体管的开启和关闭；底栅绝缘层覆于底栅之上，源漏电极覆于底栅绝缘层的两侧，中间部分形成沟道，有机半导体层覆于沟道及电极之上，顶栅绝缘层覆于有机半导体层之上，顶栅覆于顶栅绝缘层之上；底部栅电极和顶部栅电极材料相同，底栅绝缘层和顶栅绝缘层材料相同，材料结构对称。
一种结构光敏有机场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]一种双栅结构的光敏有机场效应晶体管-CN201620030937.8有效
发明人：张璇;唐莹;韦一;彭应全 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种具有双栅结构的光敏有机场效应晶体管，其结构包括顶部栅电极(1)、顶栅绝缘层(2)、有机半导体层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、底栅绝缘层(6)、底部栅电极(7)。该双栅结构的有机光敏场效应晶体管中，顶部栅电极和底部栅电极可以分别控制晶体管的开启和关闭，也可同时控制晶体管的开启和关闭；底栅绝缘层覆于底栅之上，源漏电极覆于底栅绝缘层的两侧，中间部分形成沟道，有机半导体层覆于沟道及电极之上，顶栅绝缘层覆于有机半导体层之上，顶栅覆于顶栅绝缘层之上；底部栅电极和顶部栅电极材料相同，底栅绝缘层和顶栅绝缘层材料相同，材料结构对称。
一种结构光敏有机场效应晶体管

[发明专利]一种无屏蔽三栅晶体管器件和基于其的电阻型全摆幅反相器-CN202110416174.6在审
发明人：李东;易佳丽;朱小莉;潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种无屏蔽三栅晶体管器件和基于其的电阻型全摆幅反相器，其中无屏蔽三栅晶体管器件从下至上依次包括中心线重合的控制栅、控制栅绝缘层、底栅、底栅绝缘层、沟道层、顶栅绝缘层和顶栅，所述底栅和顶栅的尺寸相同，所述沟道层的尺寸大于底栅和顶栅的尺寸，所述控制栅的尺寸大于底栅的尺寸；所述源极和漏极均设置于沟道层的顶面且分别位于顶栅的左右两侧。电阻型全摆幅反相器包括上述无屏蔽三栅晶体管器件和分压电阻。本发明的晶体管器件在电路运行过程中，顶栅用于调控晶体管器件初始掺杂，进而精确控制其阈值电压位置，从而获得反相器电路的全摆幅属性。
一种屏蔽晶体管器件基于电阻型全摆幅反相器

[发明专利]一种浮栅结构的场效应型气体传感器及制备方法-CN202310721213.2在审
发明人：赵腾飞 -专利权人：湖南元芯传感科技有限责任公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明提供一种浮栅结构的场效应型气体传感器及制备方法，包括：衬底层、底栅电极、底栅介质层、沟道层、源电极、漏电极、浮栅介质层和气体敏感层；衬底层设置于气体传感器最底层，起支撑作用；底栅电极设置于衬底层上方中部；底栅介质层设置于衬底层和底栅电极上方，并包覆底栅电极；沟道层设置于底栅介质层上方；源电极和漏电极分别设置于沟道层上方两端，在水平方向上，源电极和漏电极互不接触；浮栅介质层设置于沟道层上方、源电极和漏电极之间；气体敏感层设置于浮栅介质层上方。
一种结构场效应气体传感器制备方法

[发明专利]阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管及其制备方法-CN201410458985.2有效
发明人：黄如;王佳鑫;黄芊芊;吴春蕾;朱昊;赵阳 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管，包括一个底栅电极、一个底栅介质层、一个双层石墨烯有源区、一个金属源电极、一个金属漏电极、一个阶梯顶栅介质层和一个顶栅电极；所述底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介质层的上方，金属源电极和金属漏电极分别在双层石墨烯有源区的两端，且同时覆盖底栅介质层和部分双层石墨烯有源区，阶梯顶栅介质层覆盖在金属源电极、金属漏电极和两电极之间的石墨烯上，顶栅电极只部分覆盖在阶梯顶栅介质层的上方本发明通过引入阶梯顶栅介质层，有效减小关态时源区和栅控沟道之间的隧穿窗口，从而获得较小的关态电流，改善了器件的开关比。
阶梯介质双层石墨场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法-CN201710287051.0有效
发明人：张盛东;周晓梁;卢红娟;梁婷;张晓东 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法，包括在衬底上依次形成底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、顶栅电极、钝化层以及电极导电层，其中所述有源层的材料是透明的氧化物半导体材料；其中，形成所述顶栅电极的操作包括在所述顶栅介质层上形成光刻胶层，从顶栅介质层向衬底的方向曝光,其中与所述底栅电极对应的光刻胶层的厚度小于其他位置的光刻胶层厚度；基于光刻胶层厚度的差异通过曝光去除与所述底栅电极对应的光刻胶层并裸露出部分顶栅介质层，但在其他位置的顶栅介质层上仍留有光刻胶层；在所述顶栅介质层裸露出来的部分上形成与所述底栅电极的位置对应的顶栅电极。
制备氧化物半导体薄膜晶体管方法

[发明专利]一种二维可重构晶体管及其制备方法、调控方法-CN202310174874.8在审
发明人：张跃;卫孝福;张铮;张先坤;于慧慧;高丽;洪孟羽;陈匡磊;尚金森;都娴;罗雨欣 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明提供一种二维可重构晶体管及其制备方法、调控方法，包括绝缘衬底、源极、底栅电极、底栅介电层、二维半导体层、顶栅介电层、漏极和顶栅电极；其中，源极和底栅电极位于绝缘衬底上方，底栅介电层覆盖底栅电极，二维半导体层位于所述底栅介电层上方并与所述源极接触，顶栅介电层覆盖所述二维半导体层，漏极与所述二维半导体层接触，顶栅电极位于所述顶栅介电层上方且不与漏极接触。
一种二维可重构晶体管及其制备方法调控

[发明专利]一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法-CN200410067219.X有效
发明人：刘卫丽;宋志棠;封松林;陈邦明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2004-10-15 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法，其结构包括底部栅电极、底部栅介质层、顶部栅电极、顶部栅介质层、源区、漏区以及沟道区，其中底栅比顶栅宽，沟道区为单晶半导体薄膜。本发明的双栅金属氧化物半导体晶体管结构，较长的底栅用于克服短沟道效应，而尽量小的顶栅目的是为了提高速度，有源区制备在大面积高质量单晶半导体薄膜上，可提高速度，降低功耗。该双栅结构的制备方法是，在制备好底栅(包括栅电极和栅介质层)之后将单晶半导体薄膜转移至底栅上部，在高质量的单晶半导体薄膜上制备晶体管的有源区，然后制备顶部栅介质层和栅电极，形成高性能的双栅金属氧化物半导体晶体管
一种金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法

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