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[发明专利]磁隧穿结装置及其形成方法-CN201910030827.X在审
发明人：陈纬;王慧琳;杨玉如;林进富;邹宜勲;杨钧耀 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种磁隧穿结装置及其形成方法，该磁隧穿结装置包含两个磁隧穿结元件以及一磁屏蔽层。两个磁隧穿结元件并排设置。磁屏蔽层设置于两个磁隧穿结元件之间。一种形成前述磁隧穿结装置的方法包含有下述步骤。接续，填入磁隧穿结元件于凹槽中。或者，一种形成前述磁隧穿结装置的方法包含有下述步骤。首先，形成一磁隧穿结层。之后，图案化磁隧穿结层，以形成磁隧穿结元件。而后，形成一层间层于磁隧穿结元件之间，其中层间层包含一磁屏蔽层。
磁隧穿结装置及其形成方法

[发明专利]一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法-CN201910178462.5在审
发明人：方志来;吴征远;田朋飞;闫春辉;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：该方法可避免应力释放形成高密度穿透缺陷、铟团聚、相分离，增强有源区内载流子隧穿，增加电子与空穴空间交叠，并改变载流子密度分布，有效提高辐射复合效率，改善现有黄绿光LED发光效率较低的问题，增强探测器与太阳能电池光生载流子分离能力
半极性超薄层结构铟镓氮二维制备氮化镓薄膜生长载流子半导体材料辐射复合效率光生载流子载流子隧穿太阳能电池分离能力空穴空间密度分布应力释放非对称黄绿光相分离探测器衬底交叠穿透团聚

[发明专利]存储单元、存储单元的制造方法与操作方法-CN200510127511.0有效
发明人：徐子轩;吴昭谊;李明修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-12-05 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种存储单元，该存储单元位于基底上，该基底有多个浅沟渠隔离，其中每一上述这些浅沟渠隔离的上表面低于该基底的上表面，且上述这些浅沟渠隔离共同定义该基底的垂直鳍状结构，该存储单元包括：跨骑闸，载流子捕捉结构以及至少两源极载流子捕捉结构位于跨骑闸与基底之间，其中载流子捕捉结构包括直接接触跨骑闸的捕捉层以及位于捕捉层与基底之间的穿隧层。源极/漏极区位于跨骑闸所裸露的基底的部分垂直鳍状结构中。
存储单元制造方法操作方法

[发明专利]一种太阳电池以及制作方法-CN202110297175.3有效
发明人：张策;朱鸿根;郭文辉;吴志明;张雷;翁妹芝;吴真龙 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本申请实施例提供了的一种太阳电池以及制作方法，层叠的多个子电池以及位于相邻子电池之间的隧穿结结构，所述隧穿结结构包括层叠的第一超晶格层、隧穿结层以及第二超晶格层，所述第一超晶格层和所述第二超晶格层能够抑制所述隧穿结层中的掺杂离子扩散到相邻子电池中，进而避免所述隧穿结层的掺杂浓度降低，有助于维持所述隧穿结层高掺杂的特点，使得隧穿结层的隧穿效果好，隧穿电流大，满足大电流输运需求。并且，所述第一超晶格层和所述第二超晶格层能够有效抑制所述隧穿结层中的掺杂离子扩散到相邻的子电池中，还能够避免所述隧穿结层的掺杂浓度降低，进而避免所述隧穿结层对所述太阳电池开路电压的损耗增大。
一种太阳电池以及制作方法

[发明专利]一种跨骑型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201410438469.3有效
发明人：黄如;吴春蕾;黄芊芊;王佳鑫;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公布了一种跨骑型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法，该器件包括隧穿源区，沟道区，漏区和位于沟道上方的控制栅，其中，隧穿源区与沟道区的异质隧穿结的能带结构为跨骑型异质结。若为N型器件则在隧穿源区与沟道区的异质隧穿结交界面处，隧穿源区导带底位于沟道区导带底的上方，隧穿源区价带顶位于沟道区价带顶下方；若为P型器件则隧穿源区导带底位于沟道区导带底的下方，隧穿源区价带顶位于沟道区价带顶上方本发明可显著提高隧穿场效应晶体管的开态电流，同时保持较陡直的亚阈值斜率。其制备工艺简单有效，极大降低生产成本。
一种跨骑型异质结共振场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体存储器元件-CN202011221820.5在审
发明人：陈自平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：浮动栅极晶体管包含浮动栅极、浮动栅极氧化层、源极掺杂区、在浮动栅极下方的第一隧穿区掺杂、第二隧穿区掺杂、在第一隧穿区掺杂上的第一隧穿氧化层、在第二隧穿区掺杂上的第二隧穿氧化层。浮动栅极氧化层介于第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层之间。淡掺杂扩散区围绕源极掺杂区和第二隧穿区掺杂。
半导体存储器元件

[发明专利]一种TOPCon电池及其背面金属化处理方法-CN202310279151.4在审
发明人：杜浩江;叶继春;曾俞衡;杨阵海;廖明墩;刘伟;行孟超;王太强 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种TOPCon电池及其背面金属化处理方法，TOPCon电池包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的背面设有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层上依次设第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层的材质为n型或p型多晶硅薄膜本发明将第一多晶硅层和第二多晶硅层的双层多晶硅结构作为TOPCon电池的载流子传输层，可以提升多晶硅结构的表面润湿性，且电学与钝化性能良好，从而能提高电镀或化学镀种子层的质量，获得更高的电池效率。
一种 topcon 电池及其背面金属化处理方法

[发明专利]一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法-CN202110438714.0有效
发明人：徐培强;王克来;宁如光;林晓珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底隧穿结、多反射中心布拉格反射镜、中电池、中顶隧穿结、顶电池和盖帽层，其中，多反射中心布拉格反射镜，反射镜由n组交替生长的AlGaInP层和GaInP层组成，通过设计一种新型光谱反射结构，在保证电池结构对入射光足够吸收的情况下，减薄电池区厚度，降低载流子复合几率，提高太阳电池的开路电压及抗辐照性能。
一种辐照高效砷化镓太阳电池制备方法

[发明专利]闪存单元的擦除方法-CN202110987922.6有效
发明人：蒋家勇;石振东 -专利权人：北京磐芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本公开的闪存单元的擦除方法将FN隧穿机制和带带隧穿热载流子注入机制相结合，具有操作功耗低和擦除速度快的优点，能够改善闪存单元的擦除操作的阈值电压窗口并且提高存储可靠性。
闪存单元擦除方法

[发明专利]具渐变式超晶格结构的太阳电池-CN200710102816.5无效
发明人：郭盛辉;陈奕良;吴佩璇;许荣宗 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳电池，包括多个堆叠式pn结结构及多个穿隧接面层，其中穿隧接面层是位于堆叠式pn结结构之间。因此能将波长响应范围提高至1.0eV，以增加波长响应频谱，并且因为渐变式超晶格结构，此区域载流子所碰到的势垒较小并容易跨越势垒，故可增加效率。
渐变晶格结构太阳电池

[实用新型]一种GaSbx-CN202020500387.8有效
发明人：万智;徐培强;林晓珊;张银桥;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/0735 文献下载
摘要：xAs(1‑x)空间电池外延片，包括Ge衬底，所述Ge衬底上依此设置有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、GaAs隧穿结层、GaSbAs缓冲层、中电池、GaInP/AlGaAs隧穿结层、顶电池和欧姆接触层，所述GaSbAs缓冲层由五层组分递变GaSbxAs(1‑，新结构GaSbxAs(1‑x)缓冲层层数和厚度的减少，将使得电池外延层晶格位错密度降低，提升电池晶格质量，从而减少载流子的非辐射复合
一种 gasb base sub

[实用新型]一种提升空间太阳能电池光电转化效率的外延片-CN202020500394.8有效
发明人：万智;徐培强;林晓珊;张银桥;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提升空间太阳能电池光电转化效率的外延片，包括Ge衬底，所述Ge衬底上方依次设置有AlGaInP成核层、GaAs/GaInAs缓冲层、GaAs隧穿结层、GaInAs/AlGaInAs(DBR)反射层、中电池、GaInP/AlGaAs隧穿结层、顶电池和欧姆接触层，本实用新型通过通过在顶电池和中电池的基区和发射区中增加一层一定厚度高掺杂层结构，降低了中电池和顶电池中的PN结反向饱和电流，同时通过优化高掺杂厚度和掺杂，克服了高掺杂层对PN结耗尽层厚度和载流子迁移率的影响，增强了PN结内建电场强度，提升了电池的开路电压和短路电流，从而提升电池的整体光电转化效率。
一种提升空间太阳能电池光电转化效率外延

[发明专利]隧穿晶体管结构及其制造方法-CN201410378521.0有效
发明人：赵静;杨喜超;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种隧穿晶体管结构，包括衬底、硅条、漏极区域、源极区域、栅电介质层及栅极，硅条形成于衬底上，漏极区域形成于硅条一侧，源级区域设第一槽，硅条部分收容于第一槽内，栅电介质层形成于源级区域上并部分包覆源级区域，栅极设第二槽，栅电介质层部分收容于第二槽内，第二槽的横截面形状与第一槽相同，隧穿时，在第二槽的作用下，第一槽发生隧穿，形成隧穿电流。另，本发明还提供一种隧穿晶体管结构的制作方法。本发明提供的隧穿晶体管结构通过改变源级区域及栅极的结构，隧穿时，在栅极作用下，源极区域的隧穿面积增大，在第一槽处发生点隧穿和线隧穿。因此，该结构不仅增大了隧穿面积，同时也增大了隧穿几率，从而提高了整个器件的开态电流。
晶体管结构及其制造方法

[发明专利]垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管及制备方法-CN201410162765.5有效
发明人：王超;黄如;吴春蕾;黄芊芊;赵阳 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管及制备方法，所述隧穿晶体管包括热电子发射源区，隧穿源区，沟道区，隧穿漏区，以及纳米线的栅；控制栅环绕于沟道，带带隧穿发生在隧穿源区与沟道交界面处，在隧穿源区下方存在一个与隧穿源区掺杂类型相反的热电子发射源区；并且隧穿源区电位浮置，器件的源端电位加在热电子发射源区。与现有的TFET相比，垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管通过器件结构设计，在隧穿机制外，引入了热电子发射机制，有效增大了器件导通电流，同时保持了陡直的亚阈值斜率，显著改善了器件特性。本发明的垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管制备工艺简单，极大地降低了生产成本，简化了工艺流程。
垂直沟道双机制导纳米线隧穿晶体管制备方法

[发明专利]一种隧穿氧化层表征方法、装置、设备及可读存储介质-CN202211534228.X有效
发明人：赵迎财;张晓攀;徐义胜;蔡婷婷;马玉超;蔡永梅;何胜;徐伟智 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种隧穿氧化层表征方法、装置、设备及可读存储介质，方法包括：获取TOPCon电池中硅基底的方阻、结构体的方阻及多晶硅层的方阻；结构体包括硅基底、位于硅基底表面的隧穿氧化层及位于隧穿氧化层表面的多晶硅层；根据硅基底的方阻、结构体的方阻及多晶硅层的方阻得到隧穿氧化层的方阻；对隧穿氧化层的方阻进行分析，得到隧穿氧化层的表征结果。本申请公开的技术方案，通过获取TOPCon电池中与隧穿氧化层相关的结构的方阻，并基于这些方阻得到隧穿氧化层的方阻，且对隧穿氧化层的方阻进行分析得到隧穿氧化层的表征结果，并无需破坏电池的结构，且可以实现准确地对隧穿氧化层进行表征
一种氧化表征方法装置设备可读存储介质

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