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[发明专利]一种同质结型感存算集成器件及其制备方法-CN202211603603.1在审
发明人： 孟佳琳;王天宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开一种同质结型感存算集成器件及其制备方法。该同质结型感存算集成器件包括：柔性衬底；底电极，其为有机导电聚合物，形成在所述柔性衬底上；第一功能层，其为经退火后的三元素n型氧化物半导体薄膜，具有光电响应的结晶相，形成在所述底电极上；第二功能层，其为未经退火的三元素n型氧化物半导体薄膜，与所述第一功能层的材料相同，共同构成同质结；多个彼此间隔分布的凹槽，贯穿所述第二功能层和所述第一功能层至底电极，其内填充有隔离层；顶电极，形成在所述第二功能层上，其中，第一功能层在光照下产生光生载流子，对光学信息进行感知，并以电流的形式反馈至器件，同时借助第二功能层的忆阻特性，以实现整体器件状态的记忆存储，通过对器件不断地施加光电信号，实现器件电导的连续调制，从而实现神经形态计算中权重更迭。
一种同质结型感存算集成器件及其制备方法

[发明专利]一种柔性感存算一体存储器及其制备方法-CN202211603880.2在审
发明人： 孟佳琳;王天宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本发明公开一种柔性感存算一体存储器及其制备方法。该柔性感存算一体存储器包括以下步骤：在第一金属织物表面形成铁电存储功能层；在第二金属织物表面形成光电探测功能层；将具有光电探测功能层的第二金属织物采用经纬交织的方式与具有铁电存储功能层的第一金属织物进行交叉自组装，构建多端信号同步传入与处理的网络节点结构，用于构建柔性感存算一体化的神经计算网络与系统。
一种柔性感存算一体存储器及其制备方法

[发明专利]一种原位互连的感存算一体化集成器件及其制备方法-CN202211603584.2在审
发明人： 孟佳琳;王天宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开一种原位互连的感存算一体化集成器件及其制备方法。该原位互连的感存算一体化集成器件包括：衬底，其形成有间隔排列的第一凹槽结构；神经形态器件，包括底电极，功能层和顶电极，依次形成在第一凹槽结构中，第一隔离层，形成在神经形态器件的顶电极上，其形成有多个间隔分布的通孔；第二隔离层，形成在第一凹槽结构间的衬底表面；传感器件的底电极，其填充通孔，并覆盖第一隔离层表面和第二隔离层间的衬底表面；间隔排列的第二凹槽结构，形成在传感器件的底电极上，第二凹槽结构的位置与通孔的位置相对应；传感器件的功能层，形成在第二凹槽结构的底部和侧壁；光电传感器的顶电极，形成在传感器件的功能层上并填充第二凹槽结构。
一种原位互连感存算一体化集成器件及其制备方法

[发明专利]一种仿生光电储备池神经形态器件及其制备方法-CN202211603896.3在审
发明人： 孟佳琳;王天宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开一种仿生光电储备池神经形态器件及其制备方法。该光电储备池神经形态器件包括：衬底；种子层，形成在所述衬底上；隔离层，形成在所述种子层上；氧化物纳米线网络，形成在所述隔离层表面，作为电子储备池，利用生长的氧化物纳米线随机排布的特性构建储备池中的神经元节点，借助氧化物纳米线的忆阻行为实现类人脑的随机相连的储备池神经元；具有光电响应的半导体量子点，生长在氧化物纳米线网络上，对其进行修饰，将器件的响应从纯电学拓展至光电响应，实现对光信号的感知功能；工作电极，生长在纳米线网络上。
一种仿生光电储备神经形态器件及其制备方法

[发明专利]一种柔性反铁电神经形态晶体管及其制备方法-CN202211489471.4在审
发明人： 孟佳琳;王天宇;李振海;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开一种柔性反铁电神经形态晶体管及其制备方法。该柔性反铁电神经形态晶体管包括：柔性衬底；栅电极薄膜，形成在所述柔性衬底上；过渡层，其为高k介质材料，形成在所述栅电极薄膜上；反铁电性功能薄膜叠层，由多重铪基铁电薄膜和反铁电诱导层交叠而成，形成在所述过渡层上；硅纳米线，其表面包覆有二维半导体薄膜和二维铁电薄膜，相互间隔且平行排列，形成在所述反铁电性功能薄膜叠层上；源电极和漏电极，形成在各所述纳米线的两侧。
一种柔性反铁电神经形态晶体管及其制备方法

[发明专利]一种柔性神经视网膜器件及其制备方法-CN202211489550.5在审
发明人： 孟佳琳;王天宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开一种柔性神经视网膜器件及其制备方法。该柔性神经视网膜器件包括：柔性衬底；隔离层，以一定间隔形成在所述柔性衬底上；底部栅电极，形成在所述隔离层的间隔中的柔性衬底上；有机铁电聚合物薄膜，形成在上述结构上；无机铪基铁电薄膜，形成在所述有机铁电聚合物薄膜上；p型二维半导体材料层和n型氧化物半导体层，两者相互搭接形成具有光电响应的pn结型沟道层，形成在所述无机铪基铁电薄膜上，且位于所述底部栅电极上方；电极材料叠层，分别形成在p型二维半导体材料层和n型氧化物半导体层两侧。
一种柔性神经视网膜器件及其制备方法

[发明专利]一种异质集成的人工视网膜忆阻器件及其制备方法-CN202211489475.2在审
发明人： 孟佳琳;王天宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10N79/00 文献下载
摘要：本发明公开一种异质集成的人工视网膜忆阻器件及其制备方法。该异质集成的人工视网膜忆阻器件由两片包含人工视网膜忆阻器的硅片背部相互贴合，实现硅‑硅键合，互连与集成为异质集成的人工视网膜忆阻器件，上层人工视网膜忆阻器作为光电传感单元，下层人工视网膜忆阻器作为存储单元与处理单元，并且上层器件和下层器件均为环形结构，可独立完成光信号采集、处理与存储任务。相比于传统的光学信号感知、处理与存储单元，本发明的器件无需考虑传感单元、存储单元与计算单元间复杂的信号转换与集成困难，极大程度提高了后摩尔时代芯片的工作效率与集成密度。
一种集成人工视网膜器件及其制备方法

[发明专利]一种全透明的防水柔性有机忆阻器及其制备方法-CN202011155925.5有效
发明人：陈琳;孟佳琳;王天宇;何振宇;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K10/50 文献下载
摘要：本发明公开一种全透明的防水柔性有机忆阻器件及其制备方法。该全透明的防水柔性有机忆阻器件，包括：柔性衬底；底层电极，形成在柔性衬底上；经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层，形成在底层电极上；顶层电极，相互隔离分布在PEDOT:PSS有机功能层上。本发明解决了有机材料器件易受到水的影响而使得器件性能衰减或失效的问题，为有机忆阻器件的防水应用场景提供了可能。
一种透明防水柔性有机忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种感存算器件及制备方法-CN202211242145.3在审
发明人：杨雅芬;何振宇;王天宇;孟佳琳;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种感存算器件及制备方法，包括在衬底上并列形成第一电极和第二电极，以及形成连接于第一电极和第二电极之间的功能层，功能层由在第一电极表面上形成的第一电极金属的氧化物纳米线和在第二电极表面上形成的第二电极金属的氧化物纳米线组成。本发明通过将基于电极金属的氧化物纳米线所构建的忆阻器与CMOS工艺材料相结合，能够实现具有轻便、易制备等特点的感存算一体神经突触器件，具有较大的应用前景。
一种感存算器件制备方法

[发明专利]一种基于柔性衬底的感存算器件及制备方法-CN202211242840.X在审
发明人：杨雅芬;何振宇;王天宇;孟佳琳;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G06N3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于柔性衬底的感存算器件及制备方法，包括在柔性衬底上形成并列设置的两个电极，以及形成连接于两个电极之间的功能层，功能层包括连接于两个电极之间的金属氧化物纳米线。本发明通过采用常温化学方法制备基于柔性衬底和金属氧化物纳米线的感存算器件，在物理形态上与生物系统更加兼容，同时避免了柔性衬底在高温条件下容易变形的问题，可以适用于新型可穿戴系统，具有制备方法简便，工艺可与低温的CMOS工艺相兼容，器件电学特性测试简便等优点，有望未来在可穿戴感存算器件制造中获得应用。
一种基于柔性衬底感存算器件制备方法

[发明专利]一种二维互补型存储器及其制备方法-CN202110248345.9有效
发明人：王天宇;孟佳琳;何振宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体为一种二维互补型存储器及其制备方法。本发明二维互补型存储器包括：衬底；底电极阵列，包括多条沿第一方向延伸，沿第二方向排列的线状底电极；在底电极阵列上依次形成的第一BN二维材料层、石墨烯二维材料层、第二BN二维材料层；以及顶电极阵列，包括多条沿第二方向延伸，沿第一方向排列的线状顶电极，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。本发明采用独立的互补型存储器解决交叉阵列中的“潜行电流”问题，提高了材料的选择范围，同时全二维材料构建的范德瓦尔斯异质结作为互补型存储器的功能层，可缩减至原子级别的厚度，有效提高二维存储器的高密度集成能力。
一种二维互补存储器及其制备方法

[发明专利]一种纳米尺寸的高速神经形态器件及其制备方法-CN202211112676.0在审
发明人： 孟佳琳;王天宇;李振海;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明一种纳米尺寸的高速神经形态器件及其制备方法。该器件包括：衬底；顶部沟槽，形成在衬底正面；下层电极，其覆盖顶部沟槽的底部、侧壁并延伸覆盖衬底表面；氧化物功能层，形成在所述下层电极上；粘附层，形成在所述氧化物功能层上；顶层电极，形成在所述粘附层上，覆盖粘附层表面并完全填充顶部沟槽；底部沟槽，形成在衬底背面，其贯穿衬底下部使顶部沟槽内的下层电极的部分下表面露出；底层电极，形成在所述底部沟槽中，其填充底部沟槽，与下层电极相接触并覆盖衬底背面，其中，位于顶部沟槽内的所述顶层电极与位于底部沟槽内的所述底层电极的重叠区域小于10nm。
一种纳米尺寸高速神经形态器件及其制备方法

[发明专利]一种基于ZrO2-CN202211112651.0在审
发明人：陈琳;李振海;孟佳琳;王天宇;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种基于ZrO2反铁电性的多比特存储场效应晶体管制备方法。包括以下步骤：在Si衬底上沉积SiO2层，并对SiO2层进行光刻、刻蚀露出衬底形成栅极窗口；利用氮等离子体对Si衬底做钝化处理形成Si3N4薄层；形成HZO/ZrO2/HZO叠层结构，通过调控ZrO2的厚度，使ZrO2具有适当的反铁电特性，并通过调节ZrO2两侧HZO的厚度来调控ZrO2反转电流的大小，从而调节ZrO2层反铁电电流特征峰的移动，使器件拥有非易失性多态存储的同时扩大存储窗口；形成TiN层作为栅极，并在N2氛围中退火；刻蚀去除两侧的SiO2层，光刻出源极和漏极的位置并进行离子注入掺杂；形成SiO2边墙，再次进行离子注入，高温快速退火，激活掺杂离子；在源极、漏极和栅极表面形成接触电极。
一种基于 zro base sub

[发明专利]一种改善铁电MOS电容性能的方法-CN202211112656.3在审
发明人：陈琳;李振海;孟佳琳;王天宇;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种改善铁电MOS电容性能的方法。该方法包括以下步骤：在Si衬底形成TiN底电极；在室温下采用氨等离子体对所述TiN底电极进行处理，使TiN底电极富N；在经处理后的所述TiN底电极上形成铪基铁电介质层；在所述铪基铁电介质层上形成TiN顶电极；在氮气氛围下进行快速热退火处理。
一种改善 mos 电容性能方法

[发明专利]一种通过插层技术优化铁电MOS电容性能的方法-CN202211112658.2在审
发明人：陈琳;李振海;孟佳琳;王天宇;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种通过插层技术优化铁电MOS电容性能的方法。该方法包括以下步骤：在Si衬底上形成金属底电极；在所述金属底电极上沉积高k介电层；在所述高k介电层上沉积金属氮化物作为应力夹持层；在所述应力夹持层上沉积铪基铁电层；在所述铪基铁电层上形成金属顶电极；在氮气氛围下进行快速热退火处理。
一种通过技术优化 mos 电容性能方法

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