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[外观设计]房屋模型-CN202330322553.9有效
发明人：王选政;袁千惠;叶风 -专利权人：新疆艺术学院
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： 21-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：房屋模型。2.本外观设计产品的用途：用于房子模型。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
房屋模型

[发明专利]一种TOPCon电池微纳米绒面结构的制备方法-CN202310804775.3在审
发明人：付少剑;叶风;杨阳;毛卫平 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种TOPCon电池微纳米绒面结构的制备方法，涉及涉及电池结构加工技术领域。所述TOPCon电池微纳米绒面结构的制备方法主要包括硅片去损伤层、硅片表面微刻蚀、硅片碱制绒、绒面酸洗腐蚀等步骤。本发明克服了现有技术的不足，在N型硅片上制备出微纳米界面的金字塔结构，有效的增加吸收光程，降低反射率提升电池效率，同时微纳米级的结构能更好的匹配正面银铝浆，改善接触电阻，成为推动topcon电池提升转化效率潜在动力，该工艺方法简单无金属污染，适宜规模性生产。
一种 topcon 电池纳米结构制备方法

[发明专利]ToPCon电池及其制备方法-CN202310632285.X在审
发明人：毛卫平;叶风;杨阳 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种ToPCon电池及其制备方法。该ToPCon电池的制备方法包括：对基片的正面进行制绒；对制绒后的基片的正面进行硼扩散处理；去除绕镀在基片的背面的硼硅玻璃层；依次在基片的背面沉积隧穿氧化层和多晶硅层；依次去除绕镀在基片的正面的磷硅玻璃层、多晶硅层和隧穿氧化层；通过碱制绒处理去除基片的正面的硼硅玻璃层。采用本申请实施例在通过碱制绒处理去除硼硅玻璃层的过程中，无需考虑碱性溶液损伤基片的正面的第二绒面的问题，从而可解决不能完全去除硼硅玻璃层而降低电池性能的问题，也就是说，采用本申请实施例的制备方法可完全去除硼硅玻璃层，且不会损坏基片的绒面。
topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310633834.5在审
发明人：金竹;毛卫平;杨阳;周晓炜;张明明;叶风;付少剑;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种TOPCon电池及其制备方法，属于TOPCon电池技术领域，包括单晶硅片，其背面从内到外依次设置有隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极；掺杂多晶硅层为磷掺杂的多晶硅，包括第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域；第二掺杂多晶硅区域厚度、掺杂浓度均小于第一掺杂多晶硅区域。将掺杂多晶硅层分成两个区域，并分别对其厚度、掺杂浓度等进行设计，第一掺杂多晶硅区域具有较高掺杂浓度和厚度，既能避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低金属接触区复合电流，又能保证较低的金属接触电阻；第二掺杂多晶硅区域具有较低的掺杂浓度和厚度，能降低非金属区掺杂多晶硅的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310470211.0在审
发明人：毛卫平;金竹;张明明;郭世成;范洵;付少剑;杨阳;叶风;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池的制备方法，包括：在隧穿层下表面制备本征非晶硅薄膜；在所述本征非晶硅薄膜下表面制备氧化硅层作为扩散阻挡层；在扩散阻挡层表面开槽；进行POCl3扩散，在开槽处进行重掺杂，形成第一掺杂多晶硅区域；在未开槽区域进行轻掺杂，形成第二掺杂多晶硅区域。本发明提供的TOPCon电池的制备方法，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅厚度和浓度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种双掺杂层TOPCon电池结构及其制备方法-CN202310624489.9在审
发明人：金竹;毛卫平;杨阳;叶风;付少剑;刘建华;董玉良;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种双掺杂层TOPCon电池结构及其制备方法，涉及电池加工制备技术领域。所述双掺杂TOPCon电池结构，包括单晶硅片，依次设置在单晶硅片正面的扩散层、钝化层、正面减反射层、正面金属电极，以及依次设置在单晶硅片背面的隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极，所述掺杂层包括位于硅片正面的第一扩散掺杂层和位于第一扩散掺杂层与正面金属电极之间的第二外延掺杂层。本发明克服了现有技术的不足，既能保证金属接触区的P型掺杂层厚度，有效屏蔽金属区复合，并减小金属区接触电阻；同时又能降低非金属区的掺杂浓度和结深，减小非金属区俄歇尔复合以及寄生光吸收；因此，能有效提升TOPCon电池转化效率。
一种掺杂 topcon 电池结构及其制备方法

[发明专利]一种双多晶硅层的TOPCon电池结构及其制备方法-CN202310615723.1在审
发明人：毛卫平;金竹;杨阳;叶风;付少剑;刘建华;董玉良;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种双多晶硅层的TOPCon电池结构及其制备方法，涉及电池加工技术领域。所述TOPCon电池结构包括单晶硅片，依次设置在单晶硅片正面的扩散层、钝化层、正面减反射层、正面金属电极和依次设置在单晶硅片背面的隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层、背面金属电极，所述掺杂多晶硅层包括位于背面的第一掺杂多晶硅层和位于背面金属电极与第一掺杂多晶硅层之间的的第二掺杂多晶硅层，所述第二掺杂多晶硅层掺杂浓大于第一掺杂多晶硅层。本发明克服了现有技术的不足，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅厚度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
一种多晶 topcon 电池结构及其制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池结构及其制备方法-CN202310614951.7在审
发明人：毛卫平;金竹;杨阳;叶风;付少剑;刘建华;董玉良;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种TOPCon电池结构及其制备方法，涉及电池加工技术领域。所述TOPCon电池包括单晶硅片，依次设置在单晶硅片正面的扩散层、钝化层、正面减反射层、正面金属电极，以及依次设置在单晶硅片背面的隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极，所述掺杂多晶硅层包括位于背面金属区下方的第一掺杂多晶硅层和位于背面非金属区下方的第二掺杂多晶硅层；所述第一掺杂多晶硅层为设置在绒面上的磷掺杂的多晶硅层，第二掺杂多晶硅层为设置在抛光面上的磷掺杂的多晶硅层。本发明克服了现有技术的不足，既能降低金属接触区的复合电流密度和接触电阻，同时又能保证非金属区的也具有低的复合电流，从而提升电池转换效率。
一种 topcon 电池结构及其制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310633163.2在审
发明人：毛卫平;金竹;杨阳;周晓炜;叶风;张明明;付少剑;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种TOPCon电池及其制备方法，属于TOPCon电池技术领域，包括单晶硅片，其背面从内到外依次设置有隧穿层、掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极；掺杂多晶硅层包括第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域，其中第一掺杂多晶硅区域与背面金属电极接触，第一掺杂多晶硅区域设置在凹槽表面，隧穿氧化层厚度较薄，内扩结深大于第二掺杂多晶硅区域，能可以有效防止电极金属向结区渗透，降低金属区复合电流，可提高电池开路电压。另一方面，第一掺杂多晶硅区域与印刷浆料具有更大的接触面积，可以降低电池接触电阻，同时凹槽可以防止印刷浆料往外拓宽，保证较高的栅线高宽比，降低栅线线电阻，从而提高电池填充因子。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310470192.1在审
发明人：毛卫平;金竹;张明明;郭世成;范洵;付少剑;杨阳;叶风;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池，包括：掺杂多晶硅层；掺杂多晶硅层包括：第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域；第一掺杂多晶硅区域选自磷掺杂的多晶硅；第二掺杂多晶合金硅区域选自氧、碳、氮中至少一种元素合金化的磷掺杂多晶硅；第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度不低于1E20cm‑3；第二掺杂多晶合金硅区域的禁带宽度大于第一掺杂多晶硅区域的禁带宽度，第二掺杂多晶合金硅区域的掺杂浓度小于第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度。本发明提供的TOPCon电池结构，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅厚度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310470216.3在审
发明人：毛卫平;金竹;张明明;郭世成;范洵;付少剑;杨阳;叶风;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池，包括：单晶硅片；设置在单晶硅片背面的内扩层；设置在内扩层下方的掺杂多晶硅层；所述掺杂多晶硅层包括：第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域，所述第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度高于第二掺杂多晶硅区域的掺杂浓度；所述内层包括：第一内扩区域和第二内扩区域，所述第一内扩区域位置与第一掺杂多晶硅区域位置相对应，所述第一内扩区域的结深大于第二内扩区域的结深。本发明提供的TOPCon电池具有特定的结构，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅的厚度和浓度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
一种 topcon 电池及其制备方法

[实用新型]创意口罩-CN202223300762.2有效
发明人：叶风 -专利权人：浙江传媒学院桐乡研究院有限公司;浙江传媒学院
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： A41D13/11 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种创意口罩，包括口罩本体，所述口罩本体由挂耳、第一贴片、第二贴片和装饰件而组成，所述第一贴片与第二贴片之间可弯折固定连接一起形成罩面，在第一贴片和第二贴片的边缘分别固定连接有所述挂耳，所述第一贴片与第二贴片的连接处形成结合缝，所述第一贴片与第二贴片关于结合缝对称，所述第一贴片和第二贴片的外表面呈毛绒状，所述装饰件用于粘接在所述第一贴片和/或第二贴片的外表面上。本实用新型设计的口罩通过将口罩设计为两片联合式，以及可以DIY增加装饰物，能够对佩戴者的整体穿戴起到装饰作用的同时也能够起到较好的防护作用，从而丰富了人们的生活，服务于佩戴者日常活动和心情。
创意口罩

[外观设计]丝巾（TONGXIANG）-CN202230785600.9有效
发明人：叶风 -专利权人：浙江传媒学院桐乡研究院有限公司;浙江传媒学院
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： 02-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：丝巾（TONGXIANG）。2.本外观设计产品的用途：用于丝巾。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.本外观设计产品为平面产品，省略左视图、右视图、俯视图、仰视图、后视图。
丝巾 tongxiang

[实用新型]创意编织丝巾-CN202223183972.8有效
发明人：叶风 -专利权人：浙江传媒学院桐乡研究院有限公司;浙江传媒学院
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： A41D23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种创意编织丝巾，包括底布，所述底布上穿设有若干条抽拉带，所述抽拉带为薄片状，所述底布上开设有若干抽拉口，所述抽拉带通过抽拉口交叉地穿在底布上，相交叉的抽拉带形成重叠区域，所述抽拉带的长度大于所述底布的长度。本实用新型将经纬编织原理融入丝巾的创新设计中，结合视错觉的艺术表现手法，突破传统丝巾产品仅有单一表现方式的缺点，而且随着对抽拉带的抽拉操作，抽出长度和方向的不同，使底布和抽拉带上图案的进行多样的组合变化，不仅能够得到可变的视觉画面，同时使使用者具备了DIY的趣味体验。
创意编织丝巾

[外观设计]丝巾（菊花开）-CN202230785588.1有效
发明人：叶风 -专利权人：浙江传媒学院桐乡研究院有限公司;浙江传媒学院
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： 02-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：丝巾（菊花开）。2.本外观设计产品的用途：用于丝巾。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.本外观设计产品为平面产品，省略左视图、右视图、俯视图、仰视图、后视图。
丝巾菊花

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