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[实用新型]一种基于稀土氧化物的光电子器件-CN202122712810.8有效
发明人： 吕正红;满佳秀;胡俊涛;王登科;吴迪 -专利权人：湖畔光芯半导体（江苏）有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10K50/17 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于稀土氧化物的光电子器件，包括自下而上依次设置的自下而上依次设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电致发光单元、电子传输层、电子注入层和阴极；所述阳极的侧面设置有第一连接端；所述阴极的顶面设置有第二连接端；所述第一连接端和所述第二连接端分别与电源的正极和负极连接。本实用新型将通过设置固定厚度的阳极、空穴注入层、空穴传输层、电致发光单元、电子传输层、电子注入层和阴极，避免了现有技术中将稀土金属粉体与稀土氧化物掺杂作为电子注入层的材料时存在的掺杂比例难以确定的问题，提高了光电子器件的稳定性。
一种基于稀土氧化物光电子器件

[实用新型]一种老年人自行配置液体口服药用的量杯-CN202221949147.1有效
发明人： 吕正红;何燕 -专利权人： 吕正红
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： A61J7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及液体口服药调配技术领域，具体为一种老年人自行配置液体口服药用的量杯。包括第一杯体和位于第一杯体内腔可以拿出的第二杯体，第一杯体内腔且位于第二杯体上部位置设置有漏斗，漏斗可拆卸安装在第一杯体上，漏斗上部位置可拆卸设置有密封盖，第一杯体左侧外壁位置开设有第一滑槽，第二杯体左侧外壁位置设置有与第一滑槽适配的手柄。通过漏斗添加药粉和稀释剂(水)，能够避免添加时洒落，同时在搅拌时，也能够避免药液飞溅。
一种老年人自行配置液体口服药用量杯

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202211579778.3在审
发明人：朱瑞;吕正红;陈鹏;胡俊涛;肖云;龚旗煌 -专利权人：北京大学;云南大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10K30/50 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，具体涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池，所述钙钛矿太阳能电池包括界面缓冲层，所述界面缓冲层为含有镱元素的材料。本发明以为含有镱元素的材料作为钙钛矿太阳能电池的界面缓冲层，由于含有镱元素的材料的功函数低，有利于形成欧姆接触，有利于电子的抽提，减小界面处载流子的复合，不仅实现了高的光电转化效率，同时，由于含有镱元素的材料的化学稳定性以及热稳定性，钙钛矿太阳能电池器件的稳定性尤其是热稳定性有显著的提高。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种叠层源漏电极结构及其制备方法和应用、有机薄膜晶体管及其制备方法-CN202211004510.7在审
发明人：朱强;杨振新;吕正红;王登科;张煜枭 -专利权人：云南大学
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种叠层源漏电极结构及其制备方法和应用、有机薄膜晶体管及其制备方法，属于有机电子学技术领域。本发明中，叠层源漏电极结构包含一种少数载流子注入阻挡层，能够在导电源漏电极与有机半导体有源层之间形成I型或者II型异质结界面，即，在导电源漏电极与有机半导体有源层之间形成少数载流子的注入势垒，阻挡少数载流子由导电源漏电极注入到有机半导体有源层中，减缓器件沟道中由于少数载流子注入导致的载流子捕获、复合过程，提升有机薄膜晶体管的偏压应力稳定性。且所述少数载流子注入阻挡层不影响多数载流子由导电源漏电极向沟道的注入过程。
一种叠层源漏电结构及其制备方法应用有机薄膜晶体管

[实用新型]一种含有中间连接电极的串联光电子器件和显示装置-CN202122712799.5有效
发明人： 吕正红;满佳秀;胡俊涛;王登科;吴迪 -专利权人：江苏联视控股集团有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种含有中间连接电极的串联光电子器件和显示装置，将中间连接电极串联在相邻光电子器件单元之间，中间连接电极具有良好的电荷产生和分离能力并实现电子和空穴的有效注入，提高了串联光电子器件的稳定性、电流效率和功率效率。
一种含有中间连接电极串联光电子器件显示装置

[发明专利]一种基于稀土氧化物的光电子器件-CN202111312318.X在审
发明人： 吕正红;满佳秀;胡俊涛;王登科;吴迪 -专利权人：江苏联视控股集团有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于稀土氧化物的光电子器件，包括自下而上依次设置的自下而上依次设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电致发光单元、电子传输层、电子注入层和阴极；所述阳极的侧面设置有第一连接端；所述阴极的顶面设置有第二连接端；所述第一连接端和所述第二连接端分别与电源的正极和负极连接。本发明将通过设置固定厚度的阳极、空穴注入层、空穴传输层、电致发光单元、电子传输层、电子注入层和阴极，避免了现有技术中将稀土金属粉体与稀土氧化物掺杂作为电子注入层的材料时存在的掺杂比例难以确定的问题，提高了光电子器件的稳定性。
一种基于稀土氧化物光电子器件

[发明专利]一种含有中间连接电极的串联光电子器件和显示装置-CN202111312353.1在审
发明人： 吕正红;满佳秀;胡俊涛;王登科;吴迪 -专利权人：江苏联视控股集团有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有中间连接电极的串联光电子器件和显示装置，将中间连接电极串联在相邻光电子器件单元之间，中间连接电极具有良好的电荷产生和分离能力并实现电子和空穴的有效注入，提高了串联光电子器件的稳定性、电流效率和功率效率。
一种含有中间连接电极串联光电子器件显示装置

[发明专利]一种金属氧化物叠层场效应材料的制备方法-CN201810695671.2有效
发明人： 吕正红;张涛;王登科 -专利权人：云南大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属氧化物叠层场效应材料的制备方法，采用真空气相沉积法在衬底上依次沉积第一金属氧化物、芯层金属和第二金属氧化物，所述第一金属氧化物和芯层金属发生氧化还原反应，在衬底上形成第一表层和芯层前驱体，所述芯层前驱体和第二金属氧化物发生氧化还原反应，形成芯层和第二表层；所述芯层中金属氧化物的带隙≥3eV，所述第一表层和第二表层中金属氧化物的带隙独立地≤3eV，所述芯层中金属氧化物的带隙与所述第一表层中金属氧化物的带隙的差值≥1eV。本发明提供的制备方法操作简单、生产成本低、成膜性好，产品具有高的载流子迁移率。
一种金属氧化物场效应材料制备方法

[发明专利]一种银镁合金电极和一种有机发光二极管-CN201810972025.6有效
发明人： 吕正红;满佳秀;何守杰;张涛;王登科 -专利权人：云南大学
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种银镁合金电极，属于光电材料领域。本发明提供的银镁合金电极中镁的质量百分含量≥50％，从而使合金中同时具有AgMg3相和Mg相，将其应用于底部发射型有机发光二极管的反射电极，所得二极管具有较好的发光效率；本发明还提供了一种银‑银镁合金复合电极，该电极顶部区为银，底部区为银镁合金，将其应用于顶部发射型有机发光二极管的透明电极，所得二极管具有较好的发光效率。
一种镁合金电极有机发光二极管

[发明专利]一种金属氧化物叠层场效应材料及其应用-CN201810695653.4有效
发明人： 吕正红;张涛;王登科 -专利权人：云南大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属氧化物叠层场效应材料。本发明提供的金属氧化物叠层场效应材料将带隙不同的金属氧化物形成异质结，并限定带隙差(ΔE)≥1eV，异质结界面处产生能带弯曲，在带隙较大的一侧形成势垒，在带隙较小的一侧形成三角势阱，在栅极电场的诱导下，在异质结界面上产生极化电荷，并聚集大量的载流子。因此，本发明提供的金属氧化物叠层场效应材料具有高的载流子迁移率，高于103cm2/V·s，克服了常规金属氧化物场效应材料载流子迁移率较低，需要将其制作成具有较高成本的晶相结构，甚至需要晶相结构的衬底的问题。
一种金属氧化物场效应材料及其应用

[发明专利]氧化过的铝上的多个空穴注入结构及其在有机发光装置中的应用-CN201910764556.0在审
发明人：李在晋;吕正红 -专利权人：湖畔光电科技(江苏)有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本公开提供了应用于有机电致发光装置中的包括一层或多层氧化物的多层空穴注入结构。层状结构包括包含过渡金属氧化物的诸如Al2O3的绝缘金属氧化物以降低空穴注入势垒并且能够实现夹在导电铝层与空穴传输层之间的空穴传输。所述层状结构还可以包括顺序堆叠的包括第一导电层、绝缘金属氧化物和选自过渡金属氧化物的空穴注入层材料的三层结构。
氧化空穴注入结构及其有机发光装置中的应用

[发明专利]一种金属氧化物叠层场效应电极-CN201810695140.3有效
发明人： 吕正红;张涛;王登科 -专利权人：云南大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物叠层场效应电极。该金属氧化物叠层场效应电极包括多个金属条和金属氧化物叠层薄膜，金属氧化物叠层薄膜的第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度大于3eV；第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；第一金属氧化物薄膜、所述第二金属氧化物薄膜和所述第三金属氧化物薄膜的厚度小于或等于10nm。采用本发明的金属氧化物叠层场效应电极，具有光透过率高、场致导电性能好的优点。
金属氧化物薄膜金属氧化物禁带电极场效应叠层叠层薄膜导电性能光透过率金属条场致

[发明专利]一种红外-可见光学上转换器件-CN201810270195.X有效
发明人：何守杰;王登科;吕正红 -专利权人：云南大学
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种红外‑可见光学上转换器件，所述上转换器件包括：阳极和阴极，所述阳极和所述阴极之间依次设置有第一有机发光二极管、红外光敏层和第二有机发光二极管，所述红外光敏层为在红外波段有吸收的材料，所述第一有机发光二极管从下到上依次设置有第一空穴传输层、第一发光层和第一电子传输层，所述第二有机发光二极管从下到上依次设置有第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层。本发明可以同时利用光生空穴和光生电子产生可见光发射，发射出的可见光光子数是吸收的红外光光子数的2倍。即便是在红外光敏材料吸收较弱的波段也能实现较高的红外‑可见光的转换效率。
有机发光二极管依次设置上转换阴极电子传输层空穴传输层阳极发光层光敏层吸收红外光可见光发射可见光光子可见光光敏材料光生电子光生空穴红外波段转换效率光子数波段发射

[发明专利]一种高对比度有机发光二极管及其设计方法-CN201710034760.8有效
发明人： 吕正红;满佳秀;何守杰;张涛;王登科;江楠 -专利权人：云南大学
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开一种高对比度有机发光二极管及其设计方法，该发光二极管器件结构自下而上依次为衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和黑层阴极，其中黑层电极自下而上依次由一层薄的金属半透明中间电极、相位调控层和厚的金属反射背电极构成，入射光通过在相位调控层中的衰减和在中间电极和背电极之间的相位转变来达到消光效果,通过光学计算，优化相位调控的厚度和光学常数，可以达到反射率仅为衬底材料的反射效果。本发明根据计算结果寻找合适的相位调控层材料，设计出高对比度的有机发光二极管。
一种对比度有机发光二极管及其设计方法

[实用新型]一种黑色OLED背光源的液晶显示器-CN201721423902.1有效
发明人： 吕正红;满佳秀;王登科;江楠;何守杰;张涛;杨翰男 -专利权人：云南大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种黑色OLED背光源的液晶显示器，包括液晶显示屏和OLED背光源，所述OLED背光源具有减反射结构，在不通电时呈黑色。主要针对现有LCD显示器为提高显示对比度需要集成成本较高的偏振片而导致现有显示器比较笨重且不能用于柔性显示的缺陷而设计，与现有技术相比，黑色的OLED背光源本身可以作为LCD的减反射结构，在不使用偏振片的情况下也能达到类似的对比度。
一种黑色 oled 背光源液晶显示器

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