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[发明专利]双极型晶体管-CN200310101510.X无效
发明人：曾根高真一;丰田泰之;新井一浩;太田顺道 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-10-13 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明提供一种具备双极型晶体管，其具备多个具有发射极、基极以及集电极的单位晶体管成电的并联连接的双极型晶体管，各晶体管组的单位晶体管数量各不相同，是具备2、4、8、16个的第1晶体管组、第2晶体管组、第3晶体管组以及第4晶体管组的梳形多触点型双极型晶体管。
双极型晶体管

[发明专利]双极型晶体管-CN202110967967.7在审
发明人： A·高蒂尔;E·布雷扎;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极型晶体管。一种双极型晶体管，包括发射极、基极和集电极的堆叠。基极被构造为具有梳状物形状，包括被定向为在与堆叠的堆叠方向正交的平面中的指状物。
双极型晶体管

[发明专利]双极型晶体管-CN01810449.5无效
发明人： T·J·菲利普斯 -专利权人：秦内蒂克有限公司
申请日： 2001-05-24 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种双极型晶体管具有窄禁带半导体材料的基极和集电极区排除的基板接触的少数载流子具有基区掺杂浓度超过1017cm－3。该晶体管比现有技术的窄禁带双极型晶体管具有更大的动态范围，更大交流电压与功率增益带宽乘积以及更低的基极接入电阻。
双极型晶体管

[实用新型]双极型晶体管-CN202121984664.8有效
发明人： A·高蒂尔;E·布雷扎;P·舍瓦利耶 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极型晶体管。一种双极型晶体管，其特征在于，包括：发射极、基极和集电极的堆叠；其中基极被构造为具有梳状物形状，梳状物形状包括被定向为在与堆叠的堆叠方向正交的平面中延伸的指状物；第一外围绝缘沟槽，围绕双极型晶体管；以及第二绝缘沟槽
双极型晶体管

[发明专利]双极型晶体管-CN01804324.0有效
发明人： K·奥芬格;M·蔡勒;J·贝克 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2001-01-24 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种双极型晶体管(10)，通过优化布图，使基极－集电极电容和集电极电阻的乘积减小，因此能提高这些重要的晶体管参数。双极型晶体管(10)包括几个发射极元件组成的发射极(E)(22，25，26)，几个基极接头(B)(40，41)和几个集电极接头(C)(50)。所述元件按照规定的顺序设置，以形成晶体管布图。根据本发明该发射极(20)有至少一个闭合区(21)，该发射极区(21)界定至少一个内部发射极区域(27)，它可分成几个子区域(28)。至少一个基极接头(41)设置在发射极内部区域(27)中。至少一个基极接头(40)和集电极接头(50)设置在发射极区(21)的外部。
双极型晶体管

[发明专利]双极型晶体管-CN201480008941.8有效
发明人：梅本康成;黑川敦;西明恒和 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2014-02-13 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：在n型的各个第一半导体层(3a)、(3c)、(3e)间分别设置有p型的第二半导体层(3b)、(3d)，即使不使第一半导体层(3a)、(3c)、(3e)的掺杂浓度降低，也能够降低集电极层3整体表观上的掺杂浓度
双极型晶体管

[发明专利]双极型晶体管-CN201480057996.8有效
发明人：大川峰司;江口博臣;金原啓道;池田智史 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开一种能够在提高耐压的同时提高电流放大率的双极型晶体管。双极型晶体管(10)具有p型的发射极区(40)、p型的集电极区(20)、被设置于发射极区(40)与集电极区(20)之间的n型的基极区(30)、被设置于基极区(30)的下方的p型的第一埋入区(50)、与基极区(30)相比n型杂质浓度较低的n型区(18)。基极区30具有位于第一埋入区(50)的上方的第一高浓度区(32)以及低浓度区(34)、和位于与低浓度区(34)相比靠集电极区(20)侧的第二高浓度区(35)，第二高浓度区(35)的n型杂质浓度高于低浓度区(34)的n型杂质浓度。
双极型晶体管

[发明专利]大功率放大器的温度不敏感型偏压电路-CN200480021519.2有效
发明人： Y·杨;K·乔依;N－C·郑 -专利权人：斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H03F3/04 文献下载
摘要：偏压电路包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管。第一双极型晶体管具有连接到第一节点的基极，第一节点通过第一电阻连接到参考电压。第二双极型晶体管具有连接到第一节点的基极。第三双极型晶体管具有连接到第一节点的集电极和在第二节点连接到第一双极型晶体管的射极的基极。第二双极型晶体管的射极被连接到与放大器相关的第四双极型晶体管的基极，第二双极型晶体管不具有连接到第二双极型晶体管的射极的电阻。
大功率放大器温度敏感偏压电路

[发明专利]对双极型晶体管进行仿真的方法及双极型晶体管仿真电路-CN201210452059.5有效
发明人：王正楠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种对双极型晶体管进行仿真的方法，其先建立一双极型晶体管仿真电路，双极型晶体管仿真电路包括一标准双极型晶体管、一电压控制电流源和一寄生电阻；电压控制电流源、寄生电阻串接在标准双极型晶体管的基极同集电极之间；然后该双极型晶体管仿真电路对双极型晶体管进行仿真。本发明还公开了一种双极型晶体管仿真电路。本发明能仿真双极型晶体管集电极在高压偏置条件下的电流击穿特性，仿真精度高。
双极型晶体管进行仿真方法电路

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管电路、相关应用系统和制造方法-CN202210726770.9在审
发明人：冯宇翔;张土明;华庆 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管电路、绝缘栅双极型晶体管应用系统以及绝缘栅双极型晶体管电路制造方法，绝缘栅双极型晶体管电路包括三极管、反相器、第一续流二极管、第二续流二极管、第一晶体管以及第二晶体管。本发明的绝缘栅双极型晶体管电路、绝缘栅双极型晶体管应用系统以及绝缘栅双极型晶体管电路制造方法可选择并联不同型号的续流二极管且应用范围广。
绝缘栅双极型晶体管电路相关应用系统制造方法

[实用新型]一种单端输入迟滞比较电路-CN201520312354.X有效
发明人：沈怿皓;于涛 -专利权人：上海中基国威电子有限公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H03K5/22 文献下载
摘要：第一绝缘栅双极型晶体管的门极接第五电阻至输入电压端，第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管的发射极分别接第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管的发射极，第三绝缘栅双极型晶体管、第五绝缘栅双极型晶体管的门极、集电极均接第四绝缘栅双极型晶体管的门极，第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管的集电极分别接第三电阻、第四电阻至第十三绝缘栅双极型晶体管、第十四绝缘栅双极型晶体管的集电极。
一种输入迟滞比较电路

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路-CN201310537659.6有效
发明人：叶彬城;陈文全 -专利权人：中航太克（厦门）电子技术股份有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G05B19/048 文献下载
摘要：绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路，涉及晶体管保护电路。设有控制中心、绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路、绝缘栅双极型晶体管和绝缘栅双极型晶体管驱动模块；绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的输入端与IGBT的C极及输入驱动端连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路与绝缘栅双极型晶体管驱动模块驱动输出电源连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的击穿信号输出端与控制中心连接，控制中心的控制PWM信号输出端接绝缘栅双极型晶体管驱动模块的输入端，绝缘栅双极型晶体管驱动模块与IGBT的E极连接。IGBT一旦发生击穿，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路检测到后将击穿电信号送至控制中心，经控制中心进行处理，避免带来连锁损坏。
绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路

[实用新型]一种绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路-CN201320688973.X有效
发明人：叶彬城;陈文全 -专利权人：厦门普罗太克科技有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： G05B19/048 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路，涉及晶体管保护电路。设有控制中心、绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路、绝缘栅双极型晶体管和绝缘栅双极型晶体管驱动模块；绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的输入端与IGBT的C极及输入驱动端连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路与绝缘栅双极型晶体管驱动模块驱动输出电源连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的击穿信号输出端与控制中心连接，控制中心的控制PWM信号输出端接绝缘栅双极型晶体管驱动模块的输入端，绝缘栅双极型晶体管驱动模块接IGBT的E极。IGBT一旦发生击穿，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路检测到后将击穿电信号送至控制中心，经控制中心进行处理，避免带来连锁损坏。
一种绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路

[实用新型]一种半导体电路及智能功率模块-CN202222641578.8有效
发明人：冯宇翔;谢荣才;华庆;李强;盛爽;蒋华杏;高远航 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体电路及智能功率模块，包括：驱动IC芯片、多个电容和多组功率模块，所述驱动IC芯片引脚分别与所述多个电容、所述多组功率模块电连接；所述多组功率模块包括RC绝缘栅双极型晶体管和与所述RC绝缘栅双极型晶体管并联的绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的源极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的源极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的漏极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的漏极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极、所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极分别连接至所述驱动IC芯片的引脚。
一种半导体电路智能功率模块

[发明专利]高压半导体功率开关器件-CN201410584966.4有效
发明人：谢潮声;陈安邦;邓志强 -专利权人：科域半导体有限公司
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：本发明公开了一种三端子高压达林顿双极型晶体管功率开关器件，其包括:两个高压双极型晶体管，两者的集电极连接在一起作为集电极端子,第一高压双极型晶体管的基极作为基极端子,第一高压双极型晶体管的发射极连接到第二高压双极型晶体管的基极(内部基极),并且第二高压双极型晶体管的发射极作为发射极端子；二极管,其正极连接到所述内部基极(第一高压双极型晶体管的发射极,或第二高压双极型晶体管的基极)，并且其负极连接到所述基极端子。类似地，可以通过将前述的开关器件的第一高压双极型晶体管替换为高压MOSFET来形成三端子MOSFET/双极型晶体管混合高压开关器件。
高压半导体功率开关器件

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